薄膜晶体管基底和显示装置制造方法及图纸

提供了一种薄膜晶体管基底和显示装置。薄膜晶体管基底包括基底以及在基底上面沿第一方向和第二方向布置的薄膜晶体管。每个薄膜晶体管包括栅电极、漏电极、源电极和半导体层。漏电极在栅电极上面，并且包括第一漏极倾斜部分以及从第一漏极倾斜部分的端部延伸的第二漏极倾斜部分。源电极在栅电极上面与漏电极分隔开，并且包括第一源极倾斜部分以及从第一源极倾斜部分的端部延伸的第二源极倾斜部分。半导体层与栅电极至少部分地叠置，并且包括连接到漏电极的漏区、连接到源电极的源区以及设置在漏区和源区之间的沟道区。

Thin film transistor substrate and display device

A thin film transistor substrate and display device are provided. The thin film transistor substrate includes a substrate and a thin film transistor disposed along a first direction and a second direction on the substrate. Each thin film transistor includes a gate electrode, a drain electrode, a source electrode, and a semiconductor layer. The drain electrode is above the gate electrode and includes a first drain tilt portion and a second drain tilt portion extending from an end portion of the first drain tilt portion. The source electrode is separated from the drain electrode on the gate electrode and includes a first source tilt portion and a second source tilt portion extending from an end of the first source tilt portion. The semiconductor layer and the gate electrode are at least partially folded and include a drain region connected to the drain electrode, a source area connected to the source electrode, and a channel region disposed between the drain area and the source region.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基底和显示装置本申请要求于2015年12月10日提交到韩国专利知识产权局的第10-2015-0176024号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
一个或更多个实施例涉及一种薄膜晶体管基底和一种显示装置。
技术介绍
显示装置使用多个像素显示图像。像素包括连接到薄膜晶体管(TFT)的像素电极以及接收共电压的共电极。TFT响应于栅极信号而导通。导通的TFT将接收的数据电压传输到像素电极。通过被施加数据电压的像素电极与被施加共电压的共电极形成电场。液晶层被电场驱动从而显示图像。用于使从背光输出的光被遮挡而不通过液晶显示装置的TFT照射到外部的遮光层在薄膜晶体管TFT上。开口率(即，照射了光以显示图像的区域与显示装置的总区域的比率)受遮光层的限制。随着显示装置的分辨率的增大，开口率逐渐减小。
技术实现思路
另外的方面将在随后的描述中部分地被阐述，并且将部分地通过所述描述清楚，或者可通过所提出的实施例的实践而被获知。根据一个或更多个实施例，薄膜晶体管基底包括基底和多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管在基底上面沿第一方向和第二方向布置，其中，所述多个薄膜晶体管中的每个包括栅电极、漏电极、源电极和半导体层，栅电极在基底上，漏电极在栅电极上面，并且包括：第一漏极倾斜部分，在第一方向和第二方向之间的方向上延伸；和第二漏极倾斜部分，在与第一方向相反的方向和第二方向之间的方向上从第一漏极倾斜部分的端部延伸，源电极在栅电极上面与漏电极分隔开，并且包括：第一源极倾斜部分，在第一方向和第二方向之间的所述方向上延伸；和第二源极倾斜部分，在与第一方向相反的方向和第二方向之间的方向上从第一源极倾斜部分的端部延伸，半导体层与栅电极至少部分地叠置，并且包括：漏区，连接到漏电极，源区，连接到源电极，以及沟道区，位于漏区和源区之间。在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上观察的漏电极和源电极的平面形状可以是左尖括号“<”或右尖括号“>”。在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上观察的漏电极的平面形状可以与在第三方向上观察的源电极的平面形状对应。源电极可以在第一方向上与漏电极分隔开。漏电极还可以包括在第一方向和第二方向之间的方向上从第二漏极倾斜部分的端部延伸的第三漏极倾斜部分，源电极还可以包括在第一方向和第二方向之间的方向上从第二源极倾斜部分的端部延伸的第三源极倾斜部分。在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上观察的漏电极和源电极的平面形状可以是z字形。在第一漏极倾斜部分、第二漏极倾斜部分、第一源极倾斜部分和第二源极倾斜部分中的每个倾斜部分可以延伸的方向与第二方向之间的角度可以在大约30°和大约60°之间。根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底；多个薄膜晶体管，在基底上面沿第一方向和第二方向布置；多个像素，包括多个薄膜晶体管，其中，所述多个薄膜晶体管中的每个包括栅电极、漏电极、源电极和半导体层，栅电极在基底上，漏电极在栅电极上面，并且包括：第一漏极倾斜部分，在第一方向和第二方向之间的方向上延伸；和第二漏极倾斜部分，在与第一方向相反的方向和第二方向之间的方向上从第一漏极倾斜部分的端部延伸，源电极在栅电极上面与漏电极分隔开，并且包括：第一源极倾斜部分，在第一方向和第二方向之间的所述方向上延伸；和第二源极倾斜部分，在与第一方向相反的方向和第二方向之间的方向上从第一源极倾斜部分的端部延伸，半导体层与栅电极至少部分地叠置，并且包括：漏区，连接到漏电极，源区，连接到源电极，以及沟道区，位于漏区和源区之间。在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上观察的漏电极和源电极的形状可以是左尖括号“<”或右尖括号“>”。漏电极还可以包括在第一方向和第二方向之间的方向上从第二漏极倾斜部分的端部延伸的第三漏极倾斜部分，源电极还可以包括在第一方向和第二方向之间的所述方向上从第二源极倾斜部分的端部延伸的第三源极倾斜部分。在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上观察的漏电极和源电极的平面形状可以是z字形。显示装置还可以包括：多条栅极线，在第一方向上延伸并且连接所述多个薄膜晶体管之中的布置在第一方向上的薄膜晶体管的栅电极；以及多条数据线，在第二方向上延伸并且连接所述多个薄膜晶体管之中的布置在第二方向上的薄膜晶体管的漏电极。所述多条数据线中的每条数据线可以包括在第二方向上线性地延伸的多个数据线性部分，所述多个数据线性部分中的每个数据线性部分可以在所述多个薄膜晶体管之中的两个相邻的薄膜晶体管的漏电极之间。所述多条数据线中的每条数据线可以包括连接在所述多个薄膜晶体管之中的在第二方向上两个相邻的薄膜晶体管的漏电极的多个连接部分，所述多个连接部分中的每个可以包括：第一数据倾斜部分，在与第一方向相反的方向和第二方向之间的方向上从两个相邻的薄膜晶体管的第一薄膜晶体管的漏电极的第二漏极倾斜部分的端部延伸；第二数据倾斜部分，在第一方向和第二方向之间的方向上从第一漏极倾斜部分的端部延伸到两个相邻的薄膜晶体管的第二薄膜晶体管的漏电极的第一漏极倾斜部分的端部。在第二漏极倾斜部分可延伸的方向和第二方向之间的角度可以大于在第一数据倾斜部分延伸的方向和第二方向之间的角度，在第一漏极倾斜部分可延伸的方向和第二方向之间的角度可以大于在第二数据倾斜部分延伸的方向和第二方向之间的角度。在第二漏极倾斜部分可延伸的方向和第二方向之间的角度与在第一数据倾斜部分延伸的方向和第二方向之间的角度可以相同，在第一漏极倾斜部分可延伸的方向和第二方向之间的角度与第二数据倾斜部分延伸的方向和第二方向之间的角度可以相同。在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上观察的漏电极的平面形状可以对应于在第三方向上观察的源电极的平面形状，源电极可以在第一方向上与漏电极分隔开。在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上观察的漏电极的平面形状可以对应于在第三方向上观察的源电极的平面形状，源电极可以在与第一方向相反的方向上与漏电极分隔开。所述多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管可以布置在所述多个像素之中的与薄膜晶体管对应的像素的中心区中。显示装置还可以包括：多个像素电极，分别连接到所述多个薄膜晶体管的源电极并包括在所述多个像素中；以及液晶层，在所述多个像素电极上。附图说明通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显并更容易理解，在附图中：图1是示意性示出根据实施例的显示装置的平面图；图2是根据实施例的包括薄膜晶体管(TFT)的像素的平面图；图3是沿图2的线III-III'截取的剖视图；图4是根据另一实施例的TFT的平面图；图5是根据另一实施例的包括TFT的像素的平面图；图6是根据另一实施例的包括TFT的像素的平面图；图7是根据另一实施例的包括TFT的像素的平面图；图8是根据另一实施例的包括TFT的像素的平面图。具体实施方式通过参照下面对实施例的详细描述与附图，可以更容易地理解本专利技术的优点和特征以及实现本专利技术的方法。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实施并且不应该被理解为受限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的且完整的，并将向本领域的技术人员充分地传达本专利技术的构思，本专利技术将仅受权利要求的限制。在一些实施例中，不将对公知的工艺、公知的结构和公知的技术做出具体的描述，以避免本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：基底；以及多个薄膜晶体管，在所述基底上面沿第一方向和第二方向布置，其中，所述多个薄膜晶体管中的每个包括：栅电极，位于所述基底上；漏电极，位于所述栅电极上面，并且包括：第一漏极倾斜部分，在所述第一方向和所述第二方向之间的方向上延伸，以及第二漏极倾斜部分，在与所述第一方向相反的方向和所述第二方向之间的方向上从所述第一漏极倾斜部分的端部延伸；源电极，在所述栅电极上面与所述漏电极分隔开，并且包括：第一源极倾斜部分，在所述第一方向和所述第二方向之间的所述方向上延伸，以及第二源极倾斜部分，在与所述第一方向相反的所述方向和所述第二方向之间的方向上从所述第一源极倾斜部分的端部延伸；以及半导体层，与所述栅电极至少部分地叠置，并且包括：漏区，连接到所述漏电极，源区，连接到所述源电极，以及沟道区，位于所述漏区和所述源区之间。

【技术特征摘要】
2015.12.10 KR 10-2015-01760241.一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：基底；以及多个薄膜晶体管，在所述基底上面沿第一方向和第二方向布置，其中，所述多个薄膜晶体管中的每个包括：栅电极，位于所述基底上；漏电极，位于所述栅电极上面，并且包括：第一漏极倾斜部分，在所述第一方向和所述第二方向之间的方向上延伸，以及第二漏极倾斜部分，在与所述第一方向相反的方向和所述第二方向之间的方向上从所述第一漏极倾斜部分的端部延伸；源电极，在所述栅电极上面与所述漏电极分隔开，并且包括：第一源极倾斜部分，在所述第一方向和所述第二方向之间的所述方向上延伸，以及第二源极倾斜部分，在与所述第一方向相反的所述方向和所述第二方向之间的方向上从所述第一源极倾斜部分的端部延伸；以及半导体层，与所述栅电极至少部分地叠置，并且包括：漏区，连接到所述漏电极，源区，连接到所述源电极，以及沟道区，位于所述漏区和所述源区之间。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上观察的所述漏电极和所述源电极的平面形状是左尖括号“<”或右尖括号“>”。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上观察的所述漏电极的平面形状与在所述第三方向上观察的所述源电极的平面形状对应。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基底，其中，所述源电极在所述第一方向上与所述漏电极分隔开。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中：所述漏电极还包括在所述第一方向和所述第二方向之间的所述方向上从所述第二漏极倾斜部分的端部延伸的第三漏极倾斜部分，所述源电极还包括在所述第一方向和所述第二方向之间的所述方向上从所述第二源极倾斜部分的端部延伸的第三源极倾斜部分。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基底，其中，在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上观察的所述漏电极和所述源电极的平面形状是z字形。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，在所述第一漏极倾斜部分、所述第二漏极倾斜部分、所述第一源极倾斜部分和所述第二源极倾斜部分中的每个倾斜部分延伸的方向与所述第二方向之间的角度在30°和60°之间。8.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；多个薄膜晶体管，在所述基底上面沿第一方向和第二方向布置；以及多个像素，包括所述多个薄膜晶体管，其中，所述多个薄膜晶体管中的每个包括：栅电极，位于所述基底上；漏电极，位于所述栅电极上面，并且包括：第一漏极倾斜部分，在所述第一方向和所述第二方向之间的方向上延伸，以及第二漏极倾斜部分，在与所述第一方向相反的方向和所述第二方向之间的方向上从所述第一漏极倾斜部分的端部延伸；源电极，在所述栅电极上面与所述漏电极分隔开，并且包括：第一源极倾斜部分，在所述第一方向和所述第二方向之间的所述方向上延伸，以及第二源极倾斜部分，在与所述第一方向相反的所述方向和所述第二方向之间的方向上从所述第一源极倾斜部分的端部延伸；以及半导体层，与所述栅电极至少部分地叠置，并且包括：漏区，连接到所述漏电极，源区，连接到所述源电极，以及沟道区，位于所述漏区和所述源区之间。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上观...

【专利技术属性】
技术研发人员：全渊文，宋旼哲，林成洙，金羊熙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR