【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置
本技术属于半导体领域,具体涉及一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置。
技术介绍
晶圆铜膜层表面可能一些铜原子被氧化,故在气相沉积氮化硅层时需对其进行还原处理,处理方法为在一定温度条件下通入氨气。实际生产过程中,发现通入氨气处理时,反应腔内的面板上会因溅射形成N&F&AL的化合物,该化合物使用NF3也清洗不掉,目前业界的做法是直接更换碳化钨面板,但其花费很高。另外,晶圆铜膜形成时,有些部位铜聚集较多后会形成小山丘状凸起(hillock),其导致晶圆表面不平整,目前的解决办法为:化学机械抛光--CVD退火—化学机械抛光。即对铜聚集成的凸起的处理过程中需要CVD退火处理,CVD退火处理需要在有保护气的环境下进行。现有技术中尚没有一种专用于晶圆铜膜CVD退火及铜膜表面氧化物还原处理的设备。
技术实现思路
本技术提供一种用于晶圆表面铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其结构简单,可解决因氨气处理时溅射形成N&F&AL化合物而更换碳化钨面板和铜膜抛光处理时CVD退火无专用设备的问题。本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其包括密闭的功能腔,所述功能腔内设置有温度可调节的加热器,所述加热器具有用于放置晶圆并对其进行加热的加热平台,所述功能腔位于加热平台上方的内腔壁上设置有可拆卸的铝制挡板,所述功能腔的下部设置有用于向其内通入气体的进气管,所述功能腔的上部设置有抽气管,所述抽气管通过管道与真空泵连通。通入的气体为起还原作用的氨气或起保护作用的氮气、氦气 ...
【技术保护点】
一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,包括密闭的功能腔(1),所述功能腔(1)内设置有温度可调节的加热器(2),所述加热器(2)具有用于放置晶圆并对其进行加热的加热平台,所述功能腔(1)位于加热平台上方的内腔壁上设置有可拆卸的铝制挡板(3),所述功能腔(1)的下部设置有用于向其内通入气体的进气管(5),所述功能腔(1)的上部连通设置有抽气管(4),所述抽气管(4)通过管道与真空泵(6)连通。
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,包括密闭的功能腔(1),所述功能腔(1)内设置有温度可调节的加热器(2),所述加热器(2)具有用于放置晶圆并对其进行加热的加热平台,所述功能腔(1)位于加热平台上方的内腔壁上设置有可拆卸的铝制挡板(3),所述功能腔(1)的下部设置有用于向其内通入气体的进气管(5),所述功能腔(1)的上部连通设置有抽气管(4),所述抽气管(4)通过管道与真空泵(6)连通。2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,所述加热器(2)的数量为两个且在水平方向上间隔并排设置。3.根据权利要求1所述的一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,所述进气管(5)的数量为两个,一个为氨气进管,另一个为氮气进管。4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:张明,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:新型
国别省市:湖北,42
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