【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适用于去除铜的氧化物蚀刻残余物和防止铜电沉积的微电子清洁组合物，且涉及使用该组合物清洁微电子衬底的方法。该组合物和方法特别有用于清洁光致抗蚀剂灰化后、蚀刻后的Cu-双大马士革(Cu-dual damascene)微电子结构。
技术介绍
现有的微电子结构使用具有二氧化硅电介质的铝合金用于集成电路中的互连系统。多种清洁组合物被开发且可在后道(BEOL)令人满意地从该微电子衬底清洁蚀刻后残余物。然而，由于需要越来越小的几何形状以满足增加的速度和集成密度的需要，这些铝/ 二氧化硅互连系统已显示不适宜了。因此，已经开发出具有低_k电介质的铜-双大马士革结构代替铝/二氧化硅互连件。然而，这些Cu-双大马士革互连结构对BEOL清洁步骤提出了整套新的参数和问题。例如，当使用非常稀的基于HF的酸性水溶液在硅衬底上产生蚀刻后Cu-双大马士革结构时，表面的任何CuOx和Cu (OH) 2膜或残余物溶于酸性氟化物环境，从而根据以下反应式在溶液中产生大量的铜(Cu2+)离子。
【技术保护点】
１．用于清洁Ｃｕ－双大马士革微电子结构的含水酸性清洁组合物，该组合物包含以下的制剂：（ａ）约６８．４５％至约９８．９５％水；（ｂ）约０．３％至约８％重量的至少一种烷醇胺或氨基苯酚；（ｃ）约０．１％至约２％的至少一种金属螯合剂；（ｄ）约０．０５％至约１．６％的至少一种四烷基氟化铵；（ｅ）约０．１％至约５％的氟化氢；和（ｆ）任选从大于０％至约１５％的至少一种非离子表面活性剂，其包含环氧乙烷链或环氧乙烷／乙二醇链；其中该百分比为基于制剂总重量的重量百分比，且该组合物具有的ｐＨ为约４至约５．５。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US61/104,0982008年10月9日1.用于清洁Cu-双大马士革微电子结构的含水酸性清洁组合物，该组合物包含以下的制剂(a)约68. 45% 至约 98. 95%水;(b)约0.3%至约8%重量的至少一种烷醇胺或氨基苯酚；(c)约0.至约2%的至少一种金属螯合剂；(d)约0.05%至约1. 6%的至少一种四烷基氟化铵；(e)约0.至约5%的氟化氢；和(f)任选从大于0%至约15%的至少一种非离子表面活性剂，其包含环氧乙烷链或环氧乙烷/乙二醇链；其中该百分比为基于制剂总重量的重量百分比，且该组合物具有的PH为约4至约5. 5。2.权利要求1所述的含水酸性清洁组合物，其包含以下的制剂(a)约69. 46% 至约 89. 5%水;(b)约3%至约8%重量的至少一种烷醇胺或氨基苯酚；(c)约至约2%的至少一种金属螯合剂；(d)约0.5%至约1. 6%的至少一种四烷基氟化铵；(e)约至约5%的氟化氢；和(f)任选约5%至约15%的至少一种非离子表面活性剂，其包含环氧乙烷链或环氧乙烷/乙二醇链。3.权利要求1所述的含水酸性清洁组合物，其包含以下的制剂(a)约96. 86% 至约 98. 95%水;(b)约0.3%至约0. 8%重量的至少一种烷醇胺或氨基苯酚；(c)约0.至约0. 2%的至少一种金属螯合剂；(d)约0.05%至约0. 16%的至少一种四烷基氟化铵；(e)约0.至约0. 5%的氟化氢；和(f)任选从大于0%至约1.5%的至少一种非离子表面活性剂，其包含环氧乙烷链或环氧乙烷/乙二醇链。4.权利要求3所述的含水酸性清洁组合物，其中该清洁组合物在制剂中另外包含还原剂，其量为约0. 5%至约20%重量，基于制剂中其它组分的总重量。5.权利要求1所述的含水酸性清洁组合物，其中所述制剂包含水、单乙醇胺、1，2_环己烷二胺四乙酸、四甲基氟化铵、HF和下式的表面活性剂6.权利要求2所述的含水酸性清洁组合物，其中所述制剂包含水、单乙醇胺、1，2_环己烷二胺四乙酸、四甲基氟化铵、HF和下式的表面活性剂7.权利要求3所述的含水酸性清洁组合物，其中所述制剂包含水、单乙醇胺、1，2_环己烷二胺四乙酸、四甲基氟化铵、HF和下式的Surfynol 465表面活性剂8.权利要求3所述的含水酸性清洁组合物，其中所述制剂中的还原剂包括抗坏血酸t9.权利要求5所述的含水酸性清洁组合物，其中该制剂包含(a)约78%水;(b)约3.85%单乙醇胺；(c)约1.87%的1，2-环己烷二胺四乙酸；(d)约0.77%四甲基氟化铵；(e)约1. 2%的 HF ；禾口(f)约14.3%的下式的Surfyno 1 465表面活性剂10.权利要求7所述的含水、酸性清洁组合物，其中该制剂包含(a)约98%水;(b)约0.35%单乙醇胺；(c)约0.17%的1，2-环己烷二胺四乙酸；(d)约0.07%四甲基氟化铵；(e)约0. 11% 的 HF ；和(f)约1.3%的下式的Surfynol465表面活性剂11.权利要求10所述的含水酸性清洁组合物，其中该制剂另外包含约％重量的抗坏血酸，该重量基于制剂其它组分的总重量。12.用于从光致抗蚀剂灰化后、蚀刻后的Cu-双大马士革微电子结构清洁铜蚀刻残余物的方法，其中该方法包括(a)提供具有至少一种光致抗蚀剂灰化后、蚀刻后的Cu-双大马士革结构的微电子硅衬底晶片，该光致抗蚀剂灰化后、蚀刻后的Cu-双大马士革结构具有与该硅衬底的N+扩散区域电连接的通孔结构，和(b)将该光致抗蚀剂灰化后、蚀刻后的Cu-双大马士革微电子结构暴露于根据权利要求1的清洁组合物。13.用于从光致抗蚀剂灰化后、蚀刻后的Cu-双大马士革微电子结构清洁铜蚀刻残余物的方法，其中该方法包括(a)提供具有至少一种光致抗蚀剂灰化后、蚀刻后的Cu-双大马士革结构的微电子硅衬底晶片，该光致抗蚀剂灰化后、蚀刻后Cu-双大马士革结构具有与该硅衬底的N+扩散区域电连接的通孔结构，知(b)将该光致抗蚀剂灰化后、蚀刻后的Cu-双大马士革微电子结构暴露于根据权利要求3的清洁...
【专利技术属性】
技术研发人员：格伦韦斯特伍德，
申请(专利权)人：安万托特性材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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