半导体微波加热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体微波加热装置，其包括加热腔体及天线，所述加热腔体呈圆柱体状，所述加热腔体的直径为80‑140毫米，所述加热腔体的高度为170‑230毫米，所述天线由所述加热腔体的底面伸入所述加热腔体内，并用于向所述加热腔体内辐射微波。上述半导体微波加热装置满足上述条件，使得加热腔体体积较小，且具有较高的腔体匹配性能，从而使得加热腔体的微波传输效率较高，提升了半导体微波加热装置的加热效率。

Semiconductor microwave heating device

The utility model discloses a semiconductor microwave heating device, which comprises a heating cavity and the antenna, the heating chamber is cylindrical, the heating cavity diameter of 80 140 mm and the height of the heating chamber 170 230 mm, the antenna from the heating chamber into the bottom surface of the body the heating chamber for microwave radiation, and to the heating chamber. The semiconductor microwave heating device to meet the above conditions, the heating cavity cavity and has smaller volume, higher matching performance, so as to make the microwave heating cavity of high transmission efficiency, improve the heating efficiency of the semiconductor microwave heating device.

【技术实现步骤摘要】
半导体微波加热装置
本技术涉及微波加热
，具体涉及一种半导体微波加热装置。
技术介绍
在相关技术中，由于微波加热装置的腔体匹配性能较低，使得微波传输效率较低，微波加热装置的加热效率不高。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术需要提供一种半导体微波加热装置。本技术实施方式的半导体微波加热装置包括加热腔体及天线，所述加热腔体呈圆柱体状，所述加热腔体的直径为80-140毫米，所述加热腔体的高度为170-230毫米，所述天线由所述加热腔体的底面伸入所述加热腔体内，并用于向所述加热腔体内辐射微波。本技术实施方式的半导体微波加热装置满足上述条件，使得加热腔体体积较小，且具有较高的腔体匹配性能，从而使得加热腔体的微波传输效率较高，提升了半导体微波加热装置的加热效率。在一个实施方式中，所述加热腔体的直径为110毫米，所述加热腔体的高度为200毫米。在一个实施方式中，所述半导体微波加热装置包括置物腔，所述置物腔可活动地设置在所述加热腔体内，所述置物腔用于放置被加热物体，所述置物腔的底面与所述加热腔体的底面相距的距离为40-60毫米。在一个实施方式中，所述置物腔的底面与所述加热腔体的底面相距的距离为50毫米。在一个实施方式中，所述加热腔体内形成有工作腔，所述置物腔设在所述工作腔内，所述工作腔呈圆柱体状，所述置物腔呈圆柱体状，所述置物腔与所述工作腔同心设置。在一个实施方式中，所述加热腔体的底面中心位置开设有通孔，所述天线由所述通孔伸入所述加热腔体内。在一个实施方式中，所述置物腔为一体成型结构。在一个实施方式中，所述置物腔为塑料或者玻璃或者陶瓷的置物腔。在一个实施方式中，所述半导体微波加热装置包括半导体微波发生器，所述半导体微波发生器与所述天线连接，所述半导体微波发生器用于产生所述微波并将所述微波传导至所述天线。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是根据本技术实施方式的半导体微波加热装置的加热腔体的结构示意图。图2是根据本技术实施方式的半导体微波加热装置的模块示意图。图3是根据本技术实施方式的半导体微波加热装置的加热腔体的驻波值曲线图。图4是根据本技术实施方式的半导体微波加热装置的置物腔的底面与加热腔体的底面的距离与驻波值的关系曲线图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接。可以是机械连接，也可以是电连接。可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。请一并参阅图1～图2，本技术实施方式的半导体微波加热装置100包括加热腔体10及天线20。加热腔体10呈圆柱体状。加热腔体10的直径d为80-140毫米。加热腔体10的高度h为170-230毫米。天线20由加热腔体10的底面11伸入加热腔体10内，并用于向加热腔体10内辐射微波。本技术实施方式的半导体微波加热装置100满足上述条件，使得加热腔体10体积较小，且具有较高的腔体匹配性能，从而使得加热腔体10的微波传输效率较高，提升了半导体微波加热装置100的加热效率。在本技术实施方式中，加热腔体10的顶面12开设有腔体开口121。腔体开口121可供用户取放被加热食物。需要指出的是，加热腔体10的底面11为腔体底板的内表面，“底面”、“顶面”是指加热腔体10安装在半导体微波加热装置100内后的正常使用状态下的位置状态，例如图1所示加热腔体10的位置状态。在本技术实施方式中，加热腔体10的工作频段均可设置为2.4GHz—2.5GHz。图3为在此频段下的加热腔体10的驻波图。可用驻波值衡量加热腔体10的微波传输效率，驻波值为1到1.04，传输效率为100％，是理论值，通常比较难达到。具体地，在一个例子中，驻波值为1.3，表示此时的微波传输效率为98.3％，驻波值为1.6时，传输效率为94.7％，驻波值为2时，传输效率为88.9％。微波传输效率是衡量加热腔体10设计是否优良的一个重要指标，需要检测在设定频段，如在2.4GHz-2.5GHz频段的驻波值，图3为实验测得本技术实施方式的加热腔体10的驻波值，测试时加热腔体10内放置1Kg水。其中，在图3中，曲线a为加热腔体10的驻波曲线图，测试带宽为200MHz，实际使用的带宽为2.4GHz-2.5GHz，即图中M1到M2之间的频段，可见其在2.4GHz-2.5GHz全频段低于1.5(即微波传输效率为96％)。在一个实施方式中，加热腔体10的直径d为110毫米。加热腔体10的高度h为200毫米。如此，加热腔体10的尺寸适中，既能够保证加热腔体10具有有效的可设置空间，以供用户取放被加热食物，且具有较佳的腔体匹配性能，使得加热腔体10具有较高的微波传输效率。在一个实施方式中，半导体微波加热装置100包括置物腔30。置物腔30可活动地设置在加热腔体10内。置物腔30用于放置被加热物体。置物腔30的底面31与加热腔体10的底面11相距的距离x为40-60毫米。如此，一方面，可直接将置物腔30从加热腔体10内取出，这样方便用户放置或取出被加热物体，提高了半导体微波加热装置100的灵活性；另一方面，置物腔30的底面31与加热腔体10的底面11保持一定距离，既可以保证被加热物体能够得到充足的加热能量，又可有效避免置物腔30对天线20传送微波产生干扰，影响微波的传输效率，从而保证天线20具有稳定的微波传输效率。在本技术实施方式中，置物腔30可从腔体开口121放入加热腔体10内。如此，这种设置方式简单且便于置物腔30的设置，方便用户使用。在一个实施方式中，置物腔30的底面与加热腔体1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体微波加热装置，包括：加热腔体，所述加热腔体呈圆柱体状，所述加热腔体的直径为80‑140毫米，所述加热腔体的高度为170‑230毫米；天线，所述天线由所述加热腔体的底面伸入所述加热腔体内，并用于向所述加热腔体内辐射微波。

【技术特征摘要】
1.一种半导体微波加热装置，包括：加热腔体，所述加热腔体呈圆柱体状，所述加热腔体的直径为80-140毫米，所述加热腔体的高度为170-230毫米；天线，所述天线由所述加热腔体的底面伸入所述加热腔体内，并用于向所述加热腔体内辐射微波。2.如权利要求1所述的半导体微波加热装置，其特征在于，所述加热腔体的直径为110毫米，所述加热腔体的高度为200毫米。3.如权利要求1所述的半导体微波加热装置，其特征在于，所述半导体微波加热装置包括置物腔，所述置物腔可活动地设置在所述加热腔体内，所述置物腔用于放置被加热物体，所述置物腔的底面与所述加热腔体的底面相距的距离为40-60毫米。4.如权利要求3所述的半导体微波加热装置，其特征在于，所述置物腔的底面与所述加热腔体的底面相距的距离为50毫米。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：张斐娜，孙宁，
申请(专利权)人：广东美的厨房电器制造有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44