The invention relates to the field of diode technology, in particular to a multi PN junction transient suppressor diode used for a lightning arrester and a method of using the same. The present invention in N circular silicon chip on the surface of a silicon dioxide insulating layer, the insulating silica making multiple circular lithography window layer, through multiple circular window lithography multiple P type diffusion region, forming a plurality of PN junction, in multiple circular window lithography pressure on a cone shaped positive electrode respectively, the pressure on a cylindrical negative electrode at the lower part of the N circular silicon chip, an insulating casing between the cone shaped positive electrode and negative electrode is formed cylindrical, multi junction transient suppression diodes. The invention also discloses a method for making a lightning arrester using a multi PN junction transient suppressor diode for a lightning arrester. The invention solves the problem that the breakdown current of a common transient suppressor diode is smaller; the utility model has the advantages of large breakdown current, and is suitable for producing lightning arrester of an electric circuit.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及二极管
,特涉及一种用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管及其使用方法。
技术介绍
目前,市面上现有的瞬态抑制二极管虽然都具有非线性电压特性,但击穿电流较小,也不方便在避雷器中将多个二极管并联或串联以提高装置的击穿电流或工作电压,不能满足电力线路避雷器大通流容量的需求,因而只适用于瞬态电压抑制和部分电路的过压保护,不能用于电力线路的过压保护和防雷避雷。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管。本专利技术在N型圆硅芯片的上表面制作一个二氧化硅绝缘层,在二氧化硅绝缘层上制作多个圆形光刻窗口,通过多个圆形光刻窗口扩散出多个P型区,形成多个PN结,在多个圆形光刻窗口处压上一个圆台形正电极,在N型圆硅芯片下部分别压上一个圆柱形负电极,在圆台形正电极和圆台形负电极之间封装一个绝缘外壳,即形成多PN结瞬态抑制二极管。本专利技术解决了一般的瞬态抑制二极管击穿电流较小的问题,具有击穿电流较大,适合制作电力线路避雷器等优点。本专利技术的技术方案是:一种用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管,包括N型圆硅芯片、二氧化硅绝缘层、光刻窗口、P型区、PN结、圆台形正电极、圆柱形负电极、绝缘外壳、第二接触电极,其中N型圆硅芯片的上表面设置二氧化硅绝缘层,其特征在于:所述的光刻窗口还包括第一接触电极,第一接触电极下方设置P型区;所述的二氧化硅绝缘层内分布至少两个光刻窗口;光刻窗口下方依次设置P型区;P型区外部被PN结包围;PN结设置在N型圆硅芯片内部;在N型圆硅芯片的下表面镀有一层第二接触电极,第二接触电极与圆柱形负电极连接;所 ...
【技术保护点】
一种用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管,包括N型圆硅芯片(1)、二氧化硅绝缘层(2)、光刻窗口(3)、P型区(4)、PN结(5)、圆台形正电极(6)、圆台形负电极(7)、绝缘外壳(8)、第二接触电极(10),其中N型圆硅芯片(1)的上表面设置二氧化硅绝缘层(2),其特征在于:所述的光刻窗口(3)还包括第一接触电极(9),第一接触电极(9)下方设置P型区(4);所述的二氧化硅绝缘层(2)内分布至少两个光刻窗口(3);光刻窗口(3)下方依次设置P型区(4);P型区(4)外部被PN结(5)包围;PN结(5)设置在N型圆硅芯片(1)内部;在N型圆硅芯片(1)的下表面镀有一层第二接触电极(10),第二接触电极(10)与圆柱形负电极(7)连接;所述的二氧化硅绝缘层(2)和光刻窗口(3)上方设置圆台形正电极(6);所述的圆台形正电极(6)、圆柱形负电极(7)分别覆盖在用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管正反面。
【技术特征摘要】
1.一种用于避雷器的多PN结瞬态抑制二极管,包括N型圆硅芯片(1)、二氧化硅绝缘层(2)、光刻窗口(3)、P型区(4)、PN结(5)、圆台形正电极(6)、圆台形负电极(7)、绝缘外壳(8)、第二接触电极(10),其中N型圆硅芯片(1)的上表面设置二氧化硅绝缘层(2),其特征在于:所述的光刻窗口(3)还包括第一接触电极(9),第一接触电极(9)下方设置P型区(4);所述的二氧化硅绝缘层(2)内分布至少两个光刻窗口(3);光刻窗口(3)下方依次设置P型区(4);P型区(4)外部被PN结(5)包围;PN结(5)设置在N型圆硅芯片(1)内部;在N型圆硅芯片(1)的下表面镀有一层第二接触电极(10),第二接触电极(10)与圆柱形负电极(7)连接;所述的二氧化硅绝缘层(2)和光刻窗口(3)上方设置圆台形正电极(6);所述的圆台形正电极(6)、圆柱形负电极(7)分别覆盖在用于避...
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