The present invention provides a method for preparing a FinFET metal pattern comprising: providing a metal layer pattern of the target pattern layout, the target pattern map of the target pattern first phase, and then split into lines, pattern layout and line end removal layer pattern layout; providing a substrate, the substrate has a fin layer and gate layer on the substrate; and depositing a dielectric layer and a first hard mask layer; the line layer pattern layout, by photolithography and etching process in the first hard mask layer by etching line pattern; the end of the line removal layer pattern layout, by photolithography and etching technology, will be the first hard mask layer of the corresponding line the pattern in the coating line end resection; online layer pattern and a dielectric layer is deposited on the exposed second hard mask layer; removing the first hard mask layer line layer pattern, retain the second hard mask layer; with second hard mask For the mask, the dielectric layer is etched and a trench pattern is formed in the dielectric layer; metal is filled in the groove pattern and the metal surface is flattened to form a metal pattern.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造
,具体涉及一种鳍式场效应晶体管金属图案的制备方法。
技术介绍
FinFET鳍式场效晶体管技术是集成电路行业的下一代前沿技术,是一种全新的新型的多门三维晶体管,其有源层也被称为鳍层。在传统平面晶体管工艺中,有源层、栅层和金属层之间通过接触层(Contactlayer,CT)连接,而在FINFET工艺中,鳍层、栅层和金属层一之间的连接层不再是接触层(Contact),而是至少两层或以上的中间层,其中包括金属层零(Metal0)和通孔层零(Via0),用以连接鳍层、栅层和金属层一,其中通孔层零连接金属层零和金属层一。金属层零(Metal0)和通孔层零(Via0)等层次构成的中间层,根据工艺需求,也可以有更多其他层次。随着设计规则的不断减小,FINFET栅层之间的间距变得很小,金属层零必须使用自对准刻蚀的技术实现其图形化,这使得最终工艺中,金属层零的上半部分线宽尺寸较大,而下半部分线宽尺寸很小,且下表面与鳍层的接触为三面接触。金属层零在进行制造工艺时,由于鳍层线宽的间距也越来越小,导致金属层零的线端头与线端头的距离越来越小,线端头的距离缩小会在光刻时导致很强的线端缩短等光学邻近效应,最终使得金属层零与鳍层的连接的效果变差,影响器件性能。如何改善FINFET中间层的金属层零现有的制造工艺流程,改善其最终形貌,从而改善金属层零与鳍层之间的连接性能,增大其工艺窗口是需要研究和解决的难题。
技术实现思路
为了克服以上问题,本专利技术旨在提供一种鳍式场效应晶体管金属图案的制备方法,从而改善中间层的形貌,提高金属层与鳍层的连接性。为了达到上述 ...
【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管金属图案的制备方法,其特征在于,包括:步骤01:提供一金属层图形的目标图案版图,将目标图案版图中的目标图案先进行反相,再进行拆分,分成线层图案版图和线端切除层图案版图;线端切除层图案和线层图案叠加形成目标图案;步骤02:提供一衬底,所述衬底具有鳍层和栅极层;并且,在衬底上沉积介质层和第一硬掩膜层;步骤03:采用线层图案版图,经光刻和刻蚀工艺,在第一硬掩膜层中刻蚀出线层图案;步骤04:采用线端切除层图案版图,经光刻和刻蚀工艺,将第一硬掩膜层中相应的线层图案的线端切除;步骤05:在线层图案和暴露的介质层上沉积第二硬掩膜层;步骤06:去除第一硬掩模层的线层图案,保留第二硬掩膜层;步骤07:以第二硬掩膜层为掩膜,刻蚀介质层,在介质层中形成沟槽图案;步骤08:在沟槽图案中填充金属并且平坦化金属表面,从而形成所述金属图案。
【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应晶体管金属图案的制备方法,其特征在于,包括:步骤01:提供一金属层图形的目标图案版图,将目标图案版图中的目标图案先进行反相,再进行拆分,分成线层图案版图和线端切除层图案版图;线端切除层图案和线层图案叠加形成目标图案;步骤02:提供一衬底,所述衬底具有鳍层和栅极层;并且,在衬底上沉积介质层和第一硬掩膜层;步骤03:采用线层图案版图,经光刻和刻蚀工艺,在第一硬掩膜层中刻蚀出线层图案;步骤04:采用线端切除层图案版图,经光刻和刻蚀工艺,将第一硬掩膜层中相应的线层图案的线端切除;步骤05:在线层图案和暴露的介质层上沉积第二硬掩膜层;步骤06:去除第一硬掩模层的线层图案,保留第二硬掩膜层;步骤07:以第二硬掩膜层为掩膜,刻蚀介质层,在介质层中形成沟槽图案;步骤08:在沟槽图案中填充金属并且平坦化金属表面,从而形成所述金属图案。2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管金属图案的制备方法,其特征在于,所述步骤07之后且在所述步骤08之前,还包括:采用连接栅极层的沟槽图案光刻版,在介质层中再次刻蚀出连接栅极层的沟槽。3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管金属图案的制备方法,其特征在于,所述步骤01中,线层图案为沿第一方向排列的不同长度的线条,线端切除层图案是沿第二方向的矩形,线端切除层图案的宽度等于目标图案中各个线条在第一方向上的间距,线层图案的宽度等于目标图案中各个线条的宽度,第一方向和第二方向相互垂直。4.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:袁伟,李铭,
申请(专利权)人:上海集成电路研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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