像素结构与具有此像素结构的显示装置制造方法及图纸

一种像素结构与具有此像素结构的显示装置，该像素结构设置于基板，并包含凸块、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、金属层及像素电极。凸块设置于基板。第一绝缘层设置于基板并覆盖凸块，其中第一绝缘层覆盖凸块处具有突起部。半导体层设置于第一绝缘层上，并且至少部分半导体层设置于突起部上方。第二绝缘层设置于第一绝缘层上并覆盖半导体层，其中第二绝缘层具有通孔，以使部分半导体层未被第二绝缘层覆盖，其中于一垂直基板的方向上通孔对应于突起部。金属层通过通孔电性连接至半导体层。凸块于基板的垂直投影落于金属层于基板的垂直投影内。像素电极电性连接半导体层。本发明专利技术还公开了具有此像素结构的显示装置。

Pixel structure and display device having the same

A pixel structure and a display device having the same pixel structure are provided on a base board and include a bump, a first insulating layer, a semiconductor layer, a second insulating layer, a metal layer, and a pixel electrode. The bumps are arranged on the substrate. The first insulating layer is arranged on the base plate and covers the convex block, wherein the first insulating layer covers the convex block and has a protuberance. The semiconductor layer is disposed on the first insulating layer, and at least a portion of the semiconductor layer is disposed over the protrusion. The second insulating layer is arranged on the first insulating layer covering the semiconductor layer, wherein the insulating layer second is provided with a through hole, so that part of the semiconductor layer is second insulating layer covering the through hole, which is installed in a vertical direction of the substrate corresponding to the protrusion. The metal layer is electrically connected to the semiconductor layer through the through hole. The vertical projection of the convex block on the base plate falls in the vertical projection of the metal layer on the base plate. The pixel electrode electrically connects the semiconductor layer. The invention also discloses a display device with the pixel structure.

【技术实现步骤摘要】
像素结构与具有此像素结构的显示装置
本专利技术涉及一种像素结构与具有此像素结构的显示装置。
技术介绍
于家用电器设备的各式电子产品之中，应用薄膜晶体管(thinfilmtransistor；TFT)的液晶显示器已经被广泛地使用。薄膜晶体管式的液晶显示器主要是通过薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光阵列基板和液晶层构成，其中薄膜晶体管阵列基板上设置有多个以阵列排列的薄膜晶体管，以及，与薄膜晶体管对应配置的像素电极(pixelelectrode)。然而，于液晶显示器的像素结构之中，液晶层中的液晶分子排列可能会受到结构地形的影响，而使得像素结构无法正常呈现信号。再者，随着液晶显示器可提供的解析度日渐提升，此由结构地形对液晶分子所产生的影响也相对更加显著。对此，如何能有效解决上述问题，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的上述缺陷，提供一种像素结构与具有此画素像素结构的显示装置。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种像素结构，包含凸块、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、金属层及平坦层，其中第一绝缘层可通过凸块的地形样貌而突起并形成突起部。借由突起部的存在，可缓和第二绝缘层及位于金属层之间的高度差，并连带缓和平坦层的上表面的地形起伏，以降低后续形成于平坦层上方的液晶分子所受到的地形影响，进而防止液晶分子产生液晶错向(disclination)的现象。本专利技术的一实施方式提供一种像素结构，设置于基板，并包含凸块、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、金属层及像素电极。凸块设置于基板。第一绝缘层设置于基板并覆盖凸块，其中第一绝缘层覆盖凸块处具有突起部。半导体层设置于第一绝缘层上，并且至少部分半导体层设置于突起部上方。第二绝缘层设置于第一绝缘层上并覆盖半导体层，其中第二绝缘层具有通孔，以使部分半导体层未被第二绝缘层覆盖，其中于一垂直基板的方向上通孔对应于突起部。金属层通过第二绝缘层的通孔电性连接至半导体层，其中凸块于基板的垂直投影落于金属层于基板的垂直投影内。像素电极电性连接半导体层。于部分实施方式中，像素结构还包含平坦层。平坦层覆盖金属层及第二绝缘层，且凸块位于基板与平坦层之间，其中平坦层具有凹陷部，凹陷部位于平坦层相对于金属层的上表面，其中凹陷部于基板的垂直投影至少与通孔部分重叠，且凹陷部的最大深度小于100纳米(nm)。于部分实施方式中，像素结构还包含平坦层与显示介质层。平坦层覆盖金属层及第二绝缘层，且凸块位于基板与该平坦层之间。显示介质层设置于平坦层上，并具有多个显示介质。于部分实施方式中，凸块于基板的垂直投影自通孔内沿该金属层的延伸方向延伸至通孔外。于部分实施方式中，凸块的厚度为T1，半导体层的厚度为T2，且1.5≤T1/T2≤5。于部分实施方式中，凸块的厚度为T1，且100纳米(nm)≤T1≤250纳米(nm)。于部分实施方式中，第一绝缘层及第二绝缘层分别由单层或多个介电层所形成。于部分实施方式中，金属层至少部分作为数据线，且至少部分半导体层具有与数据线相同的延伸方向。于部分实施方式中，至少部分半导体层于垂直基板的方向上与金属层重叠设置。于部分实施方式中，像素结构还包含遮光层。遮光层设置以使金属层位于遮光层与凸块之间，其中凸块于基板的垂直投影落于遮光层于基板的垂直投影内。本专利技术的一实施方式提供一种显示装置，包含显示面板及像素结构。显示面板具有显示区及周边区，其中周边区设置以围绕显示区。像素结构设置于显示面板的显示区内。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1A为本专利技术的像素结构于第一实施方式的上视示意图；图1B为图1A的像素结构的区域B的放大图；图1C为对应图1B的线段1C-1C的剖面图；图1D为像素结构于部分实施方式的剖面图，其中图1D的剖面位置与图1C相同；图1E为对应图1B的线段1E-1E的剖面图；图1F为图1C的结构与其上的遮光层的剖面图；图2为本专利技术的像素结构于第二实施方式的上视示意图；图3为本专利技术的显示装置于部分实施方式的上视示意图。其中，附图标记100A、100B、208像素结构101基板102第一绝缘层103栅极线104突起部105遮光部106半导体层108第二绝缘层110通孔112金属层113导体层114凸块116平坦层118凹陷部120第一缓冲层122第二缓冲层124栅极绝缘层126第一隔离层128第二隔离层130像素电极132显示介质层134、134’显示介质136遮光层138对向基板200显示装置202显示面板204显示区206周边区208像素结构1C-1C、1E-1E线段D最大深度G段差L1、L1’、L2、L2’、L3、L3’、L4、L4’虚线S上表面T1、T2厚度W1、W2、W3宽度具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：本专利技术的像素结构包含凸块、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、金属层及平坦层，其中第一绝缘层可通过凸块的地形样貌而突起并形成突起部。借由突起部的存在，可缓和第二绝缘层及位于金属层之间的高度差，并连带缓和平坦层的上表面的地形起伏，以降低后续形成于平坦层上方的液晶分子所受到的地形影响，进而防止液晶分子产生液晶错向(disclination)而造成漏光的现象。请参照图1A、图1B及图1C，其中图1A为本专利技术之像素结构100A于第一实施方式的上视示意图，图1B为图1A的像素结构100A的区域B的放大图，图1C为对应图1B的线段1C-1C的剖面图。为了清楚表示凸块114的位置，图1A、图1B及图1C中的凸块114是以网底形式绘示。像素结构100A可设置于基板101上，并包含第一绝缘层102、栅极线103、遮光部105、半导体层106、第二绝缘层108、金属层112、凸块114、平坦层116及像素电极130。遮光部105，例如遮光金属，可选择性地设置于基板101上。栅极线103位于遮光部105上，其与遮光部105之间可设置至少一层绝缘层，栅极线103可同时作为栅极电极与栅极线，而金属层112可同时作为源极与数据线，且多条栅极线103可与多个金属层112(例如数据线)彼此交错共同定义出多个像素区域，其中像素电极130对应设置于所定义出的像素区域之中。金属层112借由通孔110与半导体层106连接，而至少部分半导体层106与金属层112具有相同的延伸方向并于基板101上的垂直投影彼此重叠，至少部分半导体层106与栅极线103垂直交错。栅极线103、半导体层106、金属层112与导体层113共同形成晶体管结构，而像素电极130与导体层113电性连接，导体层113与半导体层106电性连接。凸块114设置于基板101上，并具有厚度T1。凸块114可由遮光材料形成，然而本专利技术不以此为限。于凸块114是由遮光材料形成的实施方式中，凸块114的材料可以为金属材料，且凸块114的厚度T1可根据金属材料的遮光特性做调整。举例而言，若所使用的金属材料所具有的关于厚度与光穿透率间的特性关系为“当金属材料的厚度为X单位时，其具有小于0.1％的光穿透率”，则于此特性关系下，凸块114的厚度T1实质上可大于或等于5X单位且小于或等于15X单位，亦即5X≤T1≤15X。换言本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，设置于一基板，其特征在于，包含：一凸块，设置于该基板；一第一绝缘层，设置于该基板并覆盖该凸块，其中该第一绝缘层覆盖该凸块处具有一突起部；一半导体层，设置于该第一绝缘层上，并且至少部分该半导体层设置于该突起部上方；一第二绝缘层，设置于该第一绝缘层上并覆盖该半导体层，其中该第二绝缘层具有一通孔，以使部分该半导体层未被该第二绝缘层覆盖，其中该通孔于垂直该基板的一方向上对应于该突起部；一金属层，通过该第二绝缘层的该通孔电性连接至该半导体层，其中该凸块于该基板的垂直投影落于该金属层于该基板的垂直投影内；以及一像素电极，电性连接该半导体层。

【技术特征摘要】
2016.11.28 TW 1051391191.一种像素结构，设置于一基板，其特征在于，包含：一凸块，设置于该基板；一第一绝缘层，设置于该基板并覆盖该凸块，其中该第一绝缘层覆盖该凸块处具有一突起部；一半导体层，设置于该第一绝缘层上，并且至少部分该半导体层设置于该突起部上方；一第二绝缘层，设置于该第一绝缘层上并覆盖该半导体层，其中该第二绝缘层具有一通孔，以使部分该半导体层未被该第二绝缘层覆盖，其中该通孔于垂直该基板的一方向上对应于该突起部；一金属层，通过该第二绝缘层的该通孔电性连接至该半导体层，其中该凸块于该基板的垂直投影落于该金属层于该基板的垂直投影内；以及一像素电极，电性连接该半导体层。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包含：一平坦层，覆盖该金属层及该第二绝缘层，且该凸块位于该基板与该平坦层之间，其中该平坦层具有一凹陷部，该凹陷部位于该平坦层相对于该金属层的上表面，其中该凹陷部于该基板的垂直投影至少与该通孔部分重叠，且该凹陷部的最大深度小于100纳米。3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包含：一平坦层，覆盖该金属层及该第二绝缘层，且该凸块位于该基板与该平坦层之间；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明贤，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71