一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置。其中，薄膜晶体管包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；所述有源层包括层叠设置的第一图形和第二图形，所述源极和漏极搭接在所述第二图形上，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成。本发明专利技术的薄膜晶体管的前沟道的开态电流I

A thin film transistor, a manufacturing method, a display substrate and a display device

The invention provides a thin film transistor, a manufacturing method, a display substrate and a display device. The thin film transistor includes forming a gate gate on a substrate, an insulating layer, an active layer, a source electrode and a drain electrode; the active layer includes stacked first pattern and a second pattern, the source and drain overlap in the second figures, the first figure consists of non metal oxide the semiconductor material, the second pattern is composed of metal oxide semiconductor materials. The open current of the front channel of the thin-film transistor of the present invention is I

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置。
技术介绍
AMOLED(有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)已成为当今平板显示领域的研究热点，而TFT(薄膜晶体管阵列)作为AMOLED的核心部件，其性能直接影响图像的显示效果。基于传统非晶硅(amorphoussilicon，a-Si)的TFT由于非晶硅材料迁移率较低，不具有较高性能的开关比，因此难以满足AMOLED在大电流驱动下的需要。有鉴于此，当前急需一种提高薄膜晶体管的开关比特性的技术方案。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可提高薄膜晶体管的开关比特性的技术方案。为实现上述目的，一方面，本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管，包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；所述有源层包括层叠设置的第一图形和第二图形，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成，所述源极和漏极搭接在所述第二图形上。其中，所述第一图形至少一部分由p-Si材料组成。其中，所述第一图形包括第一部分和与所述第一部分同层且包围所述第一部分的第二部分，所述第一部分由p-Si材料组成，所述第二部分由a-Si材料组成。其中，所述源极和漏极之间的区域在所述衬底基板上的正投影落入所述第一部分在所述衬底基板上的正投影内。其中，所述第二图形由IGZO材料组成。另一方面，本专利技术还提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；所述制作方法包括：形成包括层叠设置的第一图形和第二图形的有源层，其中，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成；在所述有源层上形成源极和漏极。其中，形成包括层叠设置的第一图形和第二图形的有源层，包括：在衬底基板上沉积a-Si材料，得到第一图层结构；采用微透镜阵列对所述第一图层结构的部分区域进行退火处理，使得该部分区域转换为p-Si材料；沉积铟镓锌氧化物材料，得到第二图层结构；对所述第一图层结构以及第二图层结构进行刻蚀，得到作为由第一图层结构形成的第一图形和第二图层结构形成的第二图形，所述第一图形至少一部分由p-Si材料组成。其中，对所述第一图层结构进行刻蚀，包括：采用干式刻蚀法，刻蚀掉所述第一图层结构的部分a-Si材料，得到由剩余a-Si材料以及被该剩余a-Si材料所包围的p-Si材料。此外，本专利技术的实施例还提供一种显示基板，包括上述薄膜晶体管。此外，本专利技术的实施例还提供一种显示装置，包括上述显示基板。本专利技术的上述方案具有如下有益效果：本专利技术的方案能够使薄膜晶体管的前沟道由非金属氧化物半导体材料形成，使开态电流Ion具有较高水平，后沟道由金属氧化物半导体材料形成，可使关态电流Ioff具有较低水平，从而能够实现较好的开关比特性。附图说明图1为本专利技术的薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术的薄膜晶体管的详细结构示意图；图3A至图3F为本专利技术的薄膜晶体管的制作方法的流程示意图；图4为本专利技术的显示基板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术针对现有薄膜晶体管的开关特性难以满足OLED在大电流驱动需求的问题，提供一种解决方案。一方面，本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管，如图1所示，包括形成在衬底基板1上的栅极2、栅绝缘层3、有源层4、源极5以及漏极6；其中，有源层4包括层叠设置的第一图形41和第二图形42，该第一图形41由非金属氧化物半导体材料组成，该第二图形42由金属氧化物半导体材料组成，上述源极5和漏极6搭接在第二图形42上。在本实施例的薄膜晶体管结构中，有源层的第一图形由非金属氧化物半导体材料形成，因此其价带为空穴载流子，空穴相对较小，电子在移动中不会受到较多碰撞，使得自由程较大，实现了较高的电子迁移率，能有效提高开态电流Ion；而有源层的第二图形由金属氧化物半导体材料形成，因此其禁带宽度比较大，几乎没有空穴，这使得电子自由程比较小，能够有效降低关态电流Ioff。基于上述结构设计，第一图形可以看成薄膜晶体管的前沟道，第二图形可以看成薄膜晶体管的后沟道。本实施例的方案使前沟道的Ion保持较高水平，并使后沟道的Ioff保持较低水平，该特点更利于薄膜晶体管达到更好的开关比特性。下面对本实施例的薄膜晶体管进行详细介绍。在本实施例薄膜晶体管中，有源层的第一图形至少一部分由p-Si材料组成，该p-Si材料为非金属氧化物；对应地，第二图形由IGZO(铟镓锌氧化物)材料组成，该IGZO材料为金属氧化物；其中，p-Si材料的电子迁移率一般可达50-200cm2/Vs，IGZO材料的电子迁移率一般为5-20cm2/Vs，能够满足前沟道高Ion、后沟道低Ioff的要求。作为示例性介绍，如图2所示，本实施例的第一图形可以包括：由p-Si材料组成的第一部分411，以及由a-Si材料组成的第二部分412。其中，第一部分411与第二部分412同层，且第二部分412包围第一部分411，薄膜晶体管的源极5和漏极6之间的区域在衬底基板1上的正投影落入第一部分411在衬底基板1上的正投影内。采用上述结构设计，本实施例薄膜晶体管的前沟道(即第一图形41)可以看成是多晶硅(p-Si)包围非晶硅(a-Si)，当薄膜晶体管处于开态时，栅极2施加正电压，电子被吸引到前沟道两端的多晶硅(即第一部分411)上，该多晶硅可提供高电子迁移率，从而提升开态电流Ion。当薄膜晶体管处于关态时，栅极2施加负电压，载流子集中在前沟道中间位置的非晶硅(即第二部分412)上，该非晶硅可以降低关态电流Ioff。可见，基于上述前沟道的结构，可进一步提高薄膜晶体管的开态电流Ion，并降低薄膜晶体管的关态电流Ioff，从而使薄膜晶体管具有更好的开关比特性。以上是对本实施例的薄膜晶体管介绍，需要说明的是，图1和图2是以底栅型的薄膜晶体管为例进行示例介绍，但本实施例的方案也可以适用于顶栅型的薄膜晶体管。此外，本专利技术的非金属氧化物材料也不限于p-Si，金属氧化物半导体材料也不限于是IGZO，由于实现方式并不唯一，本文不再一一举例赘述。对应地，本实施例还提供一种薄膜晶体管的制作方法，该薄膜晶体管包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；其中，制作方法包括：形成包括层叠设置的第一图形和第二图形的有源层；其中，第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，第二图形由金属氧化物半导体材料组成；在有源层上形成源极和漏极，其中源极和漏极搭接在第二图形上。显然，本实施例的制作方法能够制作出本专利技术上述提供的薄膜晶体管，因此可以知道的是，本实施例的制作方法与本专利技术的薄膜晶体管均能够实现相同的技术效果。下面结合实际应用对本实施例的薄膜晶体管的制作流程进行详细介绍。以制作底栅型的薄膜晶体管为例，本实施例的制作方法的流程主要包括：步骤31，参考图3A，在衬底基板1上依次形成栅极2和栅绝缘层3；步骤32，参考图3B，在衬底基板1上沉积a-si材料，得到第一图层结构410；步骤33，参考图3C，采用微透镜阵列对第一图层结构410的部分区域D进行退火处理，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极，其特征在于，所述有源层包括层叠设置的第一图形和第二图形，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成，所述源极和漏极搭接在所述第二图形上。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极，其特征在于，所述有源层包括层叠设置的第一图形和第二图形，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成，所述源极和漏极搭接在所述第二图形上。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一图形至少一部分由p-Si材料组成。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一图形包括第一部分和与所述第一部分同层且包围所述第一部分的第二部分，所述第一部分由p-Si材料组成，所述第二部分由a-Si材料组成。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极之间的区域在所述衬底基板上的正投影落入所述第一部分在所述衬底基板上的正投影内。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二图形由IGZO材料组成。6.一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极，其特征在于，所述制作方法包括：形成包括层叠设置的第一图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：操彬彬，邹志翔，杨成绍，黄寅虎，罗标，王明明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11