芯片封装件及其制造方法技术

芯片封装件可以包括管芯、位于管芯上方的再分布结构以及位于再分布结构上方的凸块下金属(UBM)结构。UBM结构可以包括中心部分、与中心部分物理分隔开并且围绕中心部分的周界的外围部分以及具有第一端和与第一端相对的第二端的桥接部分。桥接部分的第一端可以连接至UBM结构的中心部分，而桥接部分的第二端可以连接至UBM结构的外围部分。本发明专利技术的实施例还涉及芯片封装件的制造方法。

Chip package and method of manufacturing the same

The chip package can include a die core, a redistribution structure over the tube core, and a lower metal (UBM) structure positioned over the redistribution structure. The UBM structure may include a central portion, a physical portion that is physically spaced apart from the central portion, and a perimeter portion surrounding the perimeter of the central portion, and a bridged portion having a first end and a second end opposite the first end. The first end of the bridge portion may be connected to the central portion of the UBM structure, and the second end of the bridging portion may be connected to the peripheral portion of the UBM structure. Embodiments of the present invention also relate to a method of manufacturing a chip package.

【技术实现步骤摘要】
芯片封装件及其制造方法
本专利技术的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及芯片封装件及其制造方法。
技术介绍
在封装技术方面，再分布层(RDL)可以形成在芯片上方并且电连接至芯片中的有源器件。之后，可以形成诸如凸块下金属(UBM)上的焊料球的输入/输出(I/O)连接器以通过RDL电连接至芯片。这种封装技术的优势特征在于形成扇出封装件的可能性。因此，芯片上的I/O焊盘可以再分布以覆盖比芯片更大的面积，并且因此可以增加封装的芯片的表面上包装的I/O焊盘的数量。集成扇出(InFO)封装技术变得越来越流行，尤其当与晶圆级封装(WLP)技术结合时。这样产生的封装结构提供具有相对较低的成本和高性能封装件的高功能密度。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种芯片封装件，包括：管芯；以及再分布结构，位于所述管芯上方；以及凸块下金属(UBM)结构，位于所述再分布结构上方，所述凸块下金属结构包括中心部分、与所述中心部分物理分隔开并且围绕所述中心部分的周界的外围部分以及具有第一端和与所述第一端相对的第二端的桥接部分，所述桥接部分的所述第一端连接至所述凸块下金属结构的所述中心部分，所述桥接部分的所述第二端连接至所述凸块下金属结构的所述外围部分。本专利技术的另一实施例提供了一种芯片封装件，包括：管芯；模塑料，围绕所述管芯；多层级再分布层(RDL)，位于所述管芯上方和所述模塑料的第一表面上方；凸块下金属(UBM)结构，位于所述多层级再分布层上方并且电连接至所述多层级再分布层，其中，所述凸块下金属结构包括焊盘区域以及与所述焊盘区域横向分隔开并且围绕所述焊盘区域的周界的外围部分；以及外部连接器，位于所述凸块下金属结构的所述焊盘区域上方。本专利技术的又一实施例提供了一种用于制造芯片封装件的方法，所述方法包括：将管芯附接至载体；在所述管芯的侧壁周围形成模塑料；在所述管芯和所述模塑料上方形成包括多个再分布层(RDL)的再分布结构；在所述再分布结构的最顶再分布层上方形成凸块下金属(UBM)结构，所述凸块下金属结构包括焊盘区域以及与所述焊盘区域横向分隔开并且围绕所述焊盘区域的周界的外围部分；在所述凸块下金属结构的所述焊盘区域上方形成外部连接器；以及去除所述载体。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1示出了根据实施例的芯片封装件的截面图。图2A至图2C示出了根据实施例的图1中所示的芯片封装件的凸块下金属(UBM)结构的放大图。图3A至图3B示出了典型的UBM结构。图4A至图4L示出了根据各个实施例的UBM结构的各个实例。图5A至图5F示出了根据实施例的示出形成图1中所示的芯片封装件的方法的一些步骤的工艺流程。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外，本专利技术可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。图1示出了根据实施例的芯片封装件100的截面图。芯片封装件100包括管芯102，该管芯102可以具有第一表面102a和与第一表面102a相对的第二表面102b。在一些实施例中，管芯102的第一表面102a可以是管芯102的有源表面。管芯102可以包括半导体衬底、有源器件和互连结构(未单独示出)。例如，该衬底可以包括掺杂或未掺杂的块状硅或绝缘体上半导体(SOI)衬底的有源层。一般地，SOI衬底包括半导体材料层(诸如绝缘层上形成的硅)。例如，绝缘体层可以是埋氧(BOX)层或氧化硅层。提供了衬底(诸如硅或玻璃衬底)上的绝缘体层。可选地，该衬底可以包括诸如锗的另一元素半导体；包括碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟的化合物半导体；包括SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP和/或GaInAsP的合金半导体；或它们的组合。也可以使用诸如多层衬底或梯度衬底的其它衬底。诸如晶体管、电容器、电阻器、二极管、光电二极管、熔断器等的有源器件可以形成在衬底的顶面处。在有源器件和衬底的上方可以形成互连结构。该互连结构可以包括使用任何合适的方法形成的包含导电部件(例如，包括铜、铝、钨、它们的组合等的导线和通孔)的层间介电(ILD)层和/或金属间介电(IMD)层。例如，在图1所示的实施例中，管芯102的第一表面102a可以是ILD层和IMD层的最顶面。例如，ILD层和IMD层可以包括设置在这些导电部件之间的具有低于约4.0或甚至2.0的k值的低k介电材料。在一些实施例中，例如，ILD和IMD可以由通过诸如旋涂、化学汽相沉积(CVD)以及等离子体增强CVD(PECVD)的任何合适的方法形成的磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、氟硅酸盐玻璃(FSG)、SiOxCy、旋涂玻璃、旋涂聚合物、硅碳材料、它们的化合物、它们的复合材料、它们的组合等制成。互连结构电连接各个有源器件以在管芯102内形成功能电路。由这样的电路提供的功能可以包括存储器结构、处理结构、传感器、放大器、配电、输入/输出电路等。本领域普通技术人员应该理解，以上提供的实例仅用于说明的目的以进一步解释本专利技术的应用并且不旨在以任何方式限制本专利技术。其它的电路可以视情况用于给定应用。可以在管芯102的第一表面102a上方形成输入/输出(I/O)和钝化部件。例如，可以在管芯102的第一表面102a上方(例如，在管芯102的互连结构上方并且可以通过互连结构中的各个导电部件电连接至有源器件)形成接触焊盘104。接触焊盘104可以包括诸如铝、铜等的导电材料。此外，可以在互连结构和接触焊盘上方形成钝化层106。在一些实施例中，钝化层106可以由诸如氧化硅、未掺杂的硅酸盐玻璃、氮氧化硅等的无机材料形成。也可以使用其它合适的钝化材料。部分钝化层106可以覆盖接触焊盘104的边缘部分。诸如附加钝化层、导电柱和/或凸块下金属(UBM)层的附加互连部件也可以可选地形成在接触焊盘104上方。例如，如图1示出的，导电柱108可以形成在接触焊盘104上方并且电连接至接触焊盘104。导电柱108可以包括诸如铜、铝、钨、它们的组合等的合适的导电材料。可以在这种导电柱108周围形成介电层110。可以通过任何合适的方法形成管芯102的各个部件并且不在此处进一步详细的描述。此外，以上描述的管芯102本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装件，包括：管芯；以及再分布结构，位于所述管芯上方；以及凸块下金属(UBM)结构，位于所述再分布结构上方，所述凸块下金属结构包括中心部分、与所述中心部分物理分隔开并且围绕所述中心部分的周界的外围部分以及具有第一端和与所述第一端相对的第二端的桥接部分，所述桥接部分的所述第一端连接至所述凸块下金属结构的所述中心部分，所述桥接部分的所述第二端连接至所述凸块下金属结构的所述外围部分。

【技术特征摘要】
2015.11.16 US 14/942,2671.一种芯片封装件，包括：管芯；以及再分布结构，位于所述管芯上方；以及凸块下金属(UBM)结构，位于所述再分布结构上方，所述凸块下金属结构包括中心部分、与所述中心部分物理分隔开并且围绕所述中心部分的周界的外围部分以及具有第一端和与所述第一端相对的第二端的桥接部分，所述桥接部分的所述第一端连接至所述凸块下金属结构的所述中心部分，所述桥接部分的所述第二端连接至所述凸块下金属结构的所述外围部分。2.根据权利要求1所述的芯片封装件，还包括：聚合物层，包封所述凸块下金属结构的所述外围部分，其中，所述聚合物层的侧壁与所述凸块下金属结构的所述中心部分的侧壁分隔开。3.根据权利要求2所述的芯片封装件，其中，所述聚合物层的所述侧壁和所述凸块下金属结构的所述中心部分的所述侧壁分隔开的距离在从2微米至50微米的范围内。4.根据权利要求2所述的芯片封装件，其中，空气间隙设置在所述聚合物层的所述侧壁和所述凸块下金属结构的所述中心部分的所述侧壁之间。5.根据权利要求1所述的芯片封装件，还包括：模塑料，至少横向包封所述管芯；以及一个或多个第一导电通孔，延伸穿过所述模塑料。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子正，郭正铮，刘重希，郭宏瑞，胡毓祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71