阵列基板、显示面板、阵列基板制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板、显示面板、阵列基板的制作方法，该阵列基板包括：第一基板、多条扫描线、具有多个刻缝的第一绝缘层和多条数据线，多条数据线与多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；第一绝缘层在第一基板上的投影至少覆盖扫描线和数据线的交叠区域在第一基板上的投影，且刻缝在第一基板上的投影覆盖开口区在第一基板上的投影，从而通过去除各子像素区域中所述开口区的第一绝缘层，来避免由于第一绝缘层中的氮化硅层的刻蚀过程难以控制而导致各子像素区域中开口区的第一绝缘层厚度不均现象，缓解各子像素区域的色偏现象，提高显示质量，同时提高了显示亮度。

Array substrate, display panel, and method for manufacturing array substrate

The embodiment of the invention discloses a method for manufacturing the array substrate, display panel, array substrate, the array substrate comprises a first substrate, a plurality of scanning lines, having a plurality of slits of the first insulating layer and a plurality of data lines, a plurality of data lines and a plurality of scan lines cross set a limited number of sub the pixel region, sub pixel region includes a shading area opening area and surrounded by the open area; projection overlapping region of the first insulating projection layer on the first substrate to cover at least the scanning lines and data lines on a first substrate, and a carved projection projection seam on the first substrate covering the opening region on the first substrate thus, by removing the first insulating layer of the sub pixel region in the opening area, to avoid the process of etching the first insulating layer of the silicon nitride layer is difficult to control due to sub pixel regions in the opening area The first insulating layer thickness uneven, alleviate the color cast phenomenon of each sub-pixel region, improve display quality, and improve the brightness of the display.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板、阵列基板制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、包括该阵列基板的显示面板以及一种阵列基板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越广泛，已逐渐成为人们生活和工作必不可少的重要工具。目前显示面板通常包括：交叉且绝缘设置的多条数据线和多条扫描线，多条数据线和多条扫描线限定出多个子像素区域；位于所述数据线和所述扫描线之间的层间绝缘层；与各子像素区域一一对应的薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接，源极与数据线电连接，从而使得该薄膜晶体管可以在扫描线的控制下，将数据线中的信号传输给各子像素，控制各子像素区域的显示。需要说明的是，为了保证数据线和扫描线之间的良好电绝缘性，现有显示面板中，该层间绝缘层通常包括氮化硅层，具体制作时，主要是通过先形成一较厚的氮化硅层，再通过刻蚀将该氮化硅层刻蚀至预设厚度，但是，由于氮化硅层的刻蚀速率较快，使得其刻蚀过程难以精确控制，从而导致各子像素处的层间绝缘层厚度不均，造成在同一背光下，各子像素的显示颜色不完全相同，使得所述显示面板存在色偏现象，显示质量有待提高。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，以改善该显示面板的色偏现象，提高显示质量。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案：一种阵列基板，其特征在于，包括：第一基板；位于所述第一基板第一侧的多条扫描线；覆盖所述扫描线的第一绝缘层，所述第一绝缘层至少包括一层氮化硅层，且所述第一绝缘层中具有多个贯穿所述第一绝缘层的刻缝；位于所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧的多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；其中，所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影至少覆盖所述扫描线和所述数据线的交叠区域在所述第一基板上的投影，且所述刻缝在所述第一基板上的投影覆盖所述开口区在所述第一基板上的投影。可选的，所述多个贯穿所述第一绝缘层的刻缝的延伸方向相互平行。可选的，所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影完全覆盖所述扫描线在所述第一基板上的投影；所述刻缝的延伸方向平行于所述扫描线的延伸方向。可选的，所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影完全覆盖所述数据线在所述第一基板上的投影；所述刻缝的延伸方向平行于所述数据线的延伸方向。可选的，所述第一绝缘层还包括至少一层氧化硅层。可选的，所述第一绝缘层为一层所述氮化硅层和一层所述氧化硅层的堆叠结构。可选的，所述第一绝缘层为包括两层所述氧化硅层和位于所述两层所述氧化硅层之间的一层所述氮化硅层的堆叠结构。可选的，所述第一绝缘层为包括两层所述氮化硅层和位于所述两层所述氮化硅层之间的一层所述氧化硅层的堆叠结构。可选的，所述第一绝缘层各处的厚度取值范围为300-900nm，包括端点值；一层所述氧化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值；一层所述氮化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值。可选的，所述阵列基板还包括：位于所述第一基板第一侧，与所述子像素区域一一对应且位于所述子像素区域内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极相绝缘的源极、漏极以及连接所述源极和所述漏极的有源层，其中，所述栅极与所述扫描线位于同一层且电连接，所述源极与所述数据线电连接，所述漏极与其对应所述子像素区域的像素电极电连接；且所述源极、所述漏极与所述数据线位于同一层，所述源极通过第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层电连接。可选的，所述有源层位于所述扫描线背离所述数据线一侧。可选的，所述有源层包括：与所述源极电连接的源区、与所述漏极电连接的漏区，以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；所述阵列基板还包括：位于所述扫描线朝向所述第一基板一侧的遮光结构，以及位于所述遮光结构与所述扫描线之间的缓冲层，其中，所述遮光结构在所述第一基板上的投影至少覆盖所述沟道区在所述第一基板上的投影。可选的，还包括：位于所述第一基板第一侧与所述像素电极相绝缘的公共电极，所述公共电极位于所述像素电极朝向所述第一基板一侧或位于所述像素电极背离所述第一基板一侧。一种显示面板，包括：上述阵列基板，与所述阵列基板相对设置的第二基板。一种阵列基板的制作方法，包括：在第一基板第一侧形成多条扫描线；在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧形成多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；其中，所述第一绝缘层包括至少一层氮化硅层，所述第一绝缘层中具有多个贯穿所述第一绝缘层的刻缝；所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影至少覆盖所述扫描线和所述数据线的交叠区域在所述第一基板上的投影，且所述刻缝在所述第一基板上的投影覆盖所述开口区在所述第一基板上的投影。可选的，所述在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧形成多条数据线包括：在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成所述第一绝缘层；对所述第一绝缘层进行刻蚀，在所述第一绝缘中形成多个平行于所述扫描线延伸方向，且贯穿所述第一绝缘层的所述刻缝，所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影完全覆盖所述扫描线在所述第一基板上的投影，且所述刻缝在所述第一基板上的投影与所述开口区在所述第一基板上的投影至少部分交叠；在所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧形成多条与所述扫描线交叉设置的所述数据线。可选的，所述在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧形成多条数据线包括：在所述扫描线背离所述第一基板一侧形成所述第一绝缘层；在所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧形成多条与所述扫描线交叉设置的所述数据线；对所述第一绝缘层进行刻蚀，在所述第一绝缘中形成多个平行于所述数据线延伸方向，且贯穿所述第一绝缘层的所述刻缝，所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影完全覆盖所述数据线在所述第一基板上的投影，且所述刻缝在所述第一基板上的投影与所述开口区在所述第一基板上的投影至少部分交叠。本专利技术实施例所提供的技术方案中，所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影至少覆盖所述扫描线和所述数据线的交叠区域在所述第一基板上的投影，且所述刻缝在所述第一基板上的投影覆盖所述开口区在所述第一基板上的投影，从而通过去除各子像素区域中所述开口区的第一绝缘层，来避免由于所述第一绝缘层中的氮化硅层的刻蚀过程难以控制而导致各子像素区域中开口区的第一绝缘层厚度不均现象，从而缓解各子像素区域因其对应部分的第一绝缘层厚度不均而造成的色偏现象，提高显示质量。而且，由于各子像素区域中开口区少了第一绝缘层，从而提高了各子像素区域中开口区的光线透过率，提高了各子像素区域中开口区的显示亮度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图2为图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：第一基板；位于所述第一基板第一侧的多条扫描线；覆盖所述扫描线的第一绝缘层，所述第一绝缘层至少包括一层氮化硅层，且所述第一绝缘层中具有多个贯穿所述第一绝缘层的刻缝；位于所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧的多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；其中，所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影至少覆盖所述扫描线和所述数据线的交叠区域在所述第一基板上的投影，且所述刻缝在所述第一基板上的投影覆盖所述开口区在所述第一基板上的投影。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一基板；位于所述第一基板第一侧的多条扫描线；覆盖所述扫描线的第一绝缘层，所述第一绝缘层至少包括一层氮化硅层，且所述第一绝缘层中具有多个贯穿所述第一绝缘层的刻缝；位于所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧的多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；其中，所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影至少覆盖所述扫描线和所述数据线的交叠区域在所述第一基板上的投影，且所述刻缝在所述第一基板上的投影覆盖所述开口区在所述第一基板上的投影。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个贯穿所述第一绝缘层的刻缝的延伸方向相互平行。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影完全覆盖所述扫描线在所述第一基板上的投影；所述刻缝的延伸方向平行于所述扫描线的延伸方向。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层在所述第一基板上的投影完全覆盖所述数据线在所述第一基板上的投影；所述刻缝的延伸方向平行于所述数据线的延伸方向。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层还包括至少一层氧化硅层。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层为一层所述氮化硅层和一层所述氧化硅层的堆叠结构。7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层为包括两层所述氧化硅层和位于所述两层所述氧化硅层之间的一层所述氮化硅层的堆叠结构。8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层为包括两层所述氮化硅层和位于所述两层所述氮化硅层之间的一层所述氧化硅层的堆叠结构。9.根据权利要求5-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层各处的厚度取值范围为300-900nm，包括端点值；一层所述氧化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值；一层所述氮化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值。10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述第一基板第一侧，与所述子像素区域一一对应且位于所述子像素区域内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极相绝缘的源极、漏极以及连接所述源极和所述漏极的有源层，其中，所述栅极与所述扫描线位于同一层且电连接，所述源极与所述数据线电连接，所述漏极与其对应所述子像素区域的像素电极电连接；且所述源极、所述漏极与所述数据线位于同一层，所述源极通过第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过第二过孔与所述有源层电连接。11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层位于所述扫描线背离所述数据线一侧。12.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐璞玉，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35