一种灵敏放大器和闪存存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种灵敏放大器和闪存存储装置，所述灵敏放大器包括偏置电路和放大电路，所述偏置电路的一端与电源连接，所述偏置电路的另一端与所述放大电路的第一端连接，所述偏置电路用于当所述灵敏放大器工作时，向所述放大电路输出第一偏置电压，当所述灵敏放大器不工作时，向所述放大电路输出第二偏置电压，所述第二偏置电压位于接地电压与所述第一偏置电压之间，所述放大电路的第二端与电源连接，所述放大电路的第三端用于输出稳定的电压。本发明专利技术使得灵敏放大器不工作时耗能低，灵敏放大器工作时能够加快建立目标电压的速度，提高了灵敏放大器的工作性能。

A sensitive amplifier and a flash memory device

The invention discloses a sense amplifier and a flash memory storage device, the sensitive amplifier including bias circuit and amplifier circuit, the bias circuit is connected with the power supply, the end of the other end of the bias circuit and the amplifying circuit is connected, the bias circuit is used when the sense amplifier work, the amplifying circuit outputs a first bias voltage to said, when the sense amplifier does not work, the amplifying circuit outputs a second bias voltage to the bias voltage, the second is located between the ground voltage and the first bias voltage, the amplifier circuit second is connected with the power supply end, the third end of the amplifying circuit for output voltage stability. The invention has low energy consumption when the sensitive amplifier is not working, and the speed of setting target voltage can be accelerated when the sensitive amplifier works, and the working performance of the sensitive amplifier is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种灵敏放大器和闪存存储装置
本专利技术涉及存储
，具体涉及一种灵敏放大器和闪存存储装置。
技术介绍
灵敏放大器(Senseamplifier)是存储器中非常重要的电路，其主要用于将存储单元中所存储的数据位的状态识别出来，灵敏放大器在正常工作时，需要恒定的偏置电压，该偏置电压可以由偏置电压产生电路来提供，在实际应用中，需要尽可能地使灵敏放大器不工作时具有尽量低的功耗，并且在灵敏放大器工作时又能够快速稳定到目标电压。图1是现有技术中灵敏放大器的电路图。如图1所示，在所述第一输入端EN输入低电平，在第二输入端IVREF输入低电平，第一PMOS管P1截止，第一NMOS管N1和第二PMOS管P2导通，灵敏放大器不工作，偏置电压(NBIAS)被拉到接地电压，以降低所述灵敏放大器的功耗，在所述第一输入端EN输入高电平，在第二输入端IVREF输入低电平，第一PMOS管P1和所述第二PMOS管P2导通，第一NMOS管N1截止，所述灵敏放大器进行工作，然而，所述偏置电压从接地电压地重新回到目标电压时需要较长的建立时间，影响闪存存储器的读取速度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种灵敏放大器和闪存存储装置，以解决灵敏放大器建立目标电压速度慢的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种灵敏放大器，所述灵敏放大器包括偏置电路和放大电路，所述偏置电路的一端与电源连接，所述偏置电路的另一端与所述放大电路的第一端连接，所述偏置电路用于当所述灵敏放大器工作时，向所述放大电路输出第一偏置电压，当所述灵敏放大器不工作时，向所述放大电路输出第二偏置电压，所述第二偏置电压位于接地电压与所述第一偏置电压之间；所述放大电路的第二端与电源连接，所述放大电路的第三端用于输出稳定的电压。进一步地，所述偏置电路包括：第一输入端、第二输入端、反相器、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；所述反相器的输入端与所述第一输入端连接，所述反相器的输出端与所述第一PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第二输入端连接，所述第二PMOS管的源极与电源连接；所述第一NMOS管的栅极与所述反相器的输出端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第二输入端连接，所述第三PMOS管的源极与电源连接；所述第二NMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的漏极接地；所述第三NMOS管的源极与所述偏置电路的另一端连接，所述偏置电路的另一端为所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极的中点，所述第三NMOS管的栅极与所述放大电路的第三端连接，所述第三NMOS管的漏极接地。进一步地，所述放大电路包括第三输入端、第四PMOS管和第四NMOS管，所述第四PMOS管的栅极与所述第三输入端连接，所述第四PMOS管的源极与电源连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的源极连接；所述第四NMOS管的栅极与所述偏置电路的另一端连接，所述第四NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的栅极连接。进一步地，所述第三输入端输入恒定的低电平，使得所述第四PMOS管处于导通状态。进一步地，当所述第一输入端输入高电平，所述第二输入端输入低电平时，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管导通，所述第一NMOS管截止，根据流过所述第二PMOS管的电流向所述放大电路输出第一偏置电压；当所述第一输入端输入低电平，所述第二输入端输入低电平时，所述第一PMOS管截止，所述第一NMOS管和所述第三PMOS管导通，根据流过所述第三PMOS管的电流向所述放大电路输出第二偏置电压。进一步地，根据所述第二PMOS管与所述第三PMOS管的比值确定所述第二偏置电压与所述第一偏置电压的差值。进一步地，所述第二PMOS管与所述第三PMOS管的比值为：第二PMOS管的数目M乘以第二PMOS管的宽长比与第三PMOS管的数目N乘以第三PMOS管的宽长比的值，其中，M和N分别为大于1的整数。第二方面，本专利技术实施例提供了一种闪存存储装置，所述闪存存储装置包括存储单元和灵敏放大器，所述存储单元和所述灵敏放大器连接，其中，所述灵敏放大器包括第一方面所述的灵敏放大器。进一步地，所述闪存存储装置还包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极与所述灵敏放大器的放大电路的第三端连接，所述第五NMOS管的漏极与所述存储单元连接，所述第五NMOS管的栅极与电源连接，所述第五NMOS管用于选通所述存储单元。本专利技术实施例提供的灵敏放大器和闪存存储装置，当灵敏放大器工作时向放大电路输出第一偏置电压，当灵敏放大器不工作时向放大电路输出第二偏置电压，所述第二偏置电压位于接地电压与所述第一偏置电压之间，使得放大器不工作时耗能低，放大器工作时能够加快建立目标电压的速度，提高了灵敏放大器的工作性能。附图说明下面将通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，使本领域的普通技术人员更清楚本专利技术的上述及其他特征和优点，附图中：图1是现有技术中灵敏放大器的电路图；图2是本专利技术第一实施例的一种灵敏放大器的电路结构图；图3是本专利技术第二实施例的一种闪存存储装置的电路结构图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。在图2中示出了本专利技术的第一实施例。图2是根据本专利技术第一实施例的一种灵敏放大器的电路结构图，所述灵敏放大器包括：偏置电路11和放大电路12。其中，偏置电路11的一端与电源VDD连接，偏置电路11的另一端与放大电路12的第一端连接，所述偏置电路11用于当灵敏放大器不工作时，向所述放大电路输出第一偏置电压，当所述灵敏放大器不工作时，向所述放大电路输出第二偏置电压，所述第二偏置电压位于接地电压与所述第一偏置电压之间。所述放大电路12的第二端与电源VDD连接，所述放大电路的第三端用于输出稳定的电压。当所述灵敏放大器工作时，所述偏置电路11需要向所述放大电路12提供一稳定的第一偏置电压，所述偏置电路11在灵敏放大器不工作时，向所述放大电路12输出第二偏置电压，所述第二偏置电压位于接地电压和第一偏置电压之间，现有技术中当灵敏放大器工作时的目标电压需要从接地电压变化为目标电压，因此本实施例提供的灵敏放大器的偏置电路只需增加极少的功耗，却能提高灵敏放大器工作时建立目标电压的速度。具体优选的，所述偏置电路11可包括第一输入端EN、第二输入端IVREF、反相器INVO、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1、第三PMOS管P3、第二NMOS管N2和第三NMOS管N3。其中，所述反相器的输入端与所述第一输入端EN连接，所述反相器的输出端与所述第一PMOS管P1的栅极连接；所述第一PMOS管P1的源极与所述第二PMOS管P2的漏极连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器包括偏置电路和放大电路，所述偏置电路的一端与电源连接，所述偏置电路的另一端与所述放大电路的第一端连接，所述偏置电路用于当所述灵敏放大器工作时，向所述放大电路输出第一偏置电压，当所述灵敏放大器不工作时，向所述放大电路输出第二偏置电压，所述第二偏置电压位于接地电压与所述第一偏置电压之间；所述放大电路的第二端与电源连接，所述放大电路的第三端用于输出稳定的电压。

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器包括偏置电路和放大电路，所述偏置电路的一端与电源连接，所述偏置电路的另一端与所述放大电路的第一端连接，所述偏置电路用于当所述灵敏放大器工作时，向所述放大电路输出第一偏置电压，当所述灵敏放大器不工作时，向所述放大电路输出第二偏置电压，所述第二偏置电压位于接地电压与所述第一偏置电压之间；所述放大电路的第二端与电源连接，所述放大电路的第三端用于输出稳定的电压。2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述偏置电路包括：第一输入端、第二输入端、反相器、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；所述反相器的输入端与所述第一输入端连接，所述反相器的输出端与所述第一PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第二输入端连接，所述第二PMOS管的源极与电源连接；所述第一NMOS管的栅极与所述反相器的输出端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第二输入端连接，所述第三PMOS管的源极与电源连接；所述第二NMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的漏极接地；所述第三NMOS管的源极与所述偏置电路的另一端连接，所述偏置电路的另一端为所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极的中点，所述第三NMOS管的栅极与所述放大电路的第三端连接，所述第三NMOS管的漏极接地。3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述放大电路包括第三输入端、第四PMOS管和第四NMOS管；所述第四PM...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓璐，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11