适合用于高频电路的双面电路用基板制造技术

本发明专利技术提供一种双面电路用基板，其为包含含氟树脂和玻璃布的复合材料与粗糙面(与树脂接触的面)的二维粗糙度Ra小于0.2μm的铜箔的层叠体。在使用ESCA进行观察时，上述含氟树脂的表面的O的存在比例优选为1.0％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】适合用于高频电路的双面电路用基板
本专利技术涉及高频传输特性优良、且铜箔与树脂层的粘附性充分、耐水性、尺寸稳定性也优良的适合用于高频电路的双面电路用基板。
技术介绍
通常，印刷布线基板中广泛使用环氧树脂、聚酰亚胺，但在频率为数十千兆赫兹的高频区域，从介电特性、吸湿性的观点出发，主要使用在铜箔上形成有含氟树脂绝缘层的层叠体。通常，含氟树脂与金属的胶粘力不高，因此，为了提高胶粘性，需要使金属的表面粗糙化。但是，已知达到1千兆赫兹以上的高频时，信号容易在金属的表面传输(集肤效应)，在成为传输线路的金属箔表面的凹凸大的情况下，电信号在凹凸部的表面而非导体的内部迂回传输，结果产生传输损耗增大的问题。专利文献1的实施例中，例示了表面粗糙度(Rz)为0.6μm～0.7μm的情况。但是，在高频电路中，例如在15千兆赫兹的情况下，据称电信号在距金属表面0.5μm的深度传输，随着频率进一步提高，该深度变浅，因此，该水平的表面粗糙度不足。另外，含氟树脂的线膨胀率通常高达100ppm/℃以上，尺寸稳定性存在问题。专利文献2至4中记载了将含氟树脂薄膜与玻璃布组合而得到的电路用基板。专利文献2中，为了提高胶粘性，使用了带有胶粘剂的铜箔，但是胶粘剂通常为环氧树脂，因此认为其介电特性差，不适合于高频用途。另外，专利文献3中，在实施例中使用了三井金属株式会社制造的3EC(厚度18μm)作为铜箔，但根据该公司的技术资料，该铜箔的表面粗糙度Rz为5μm以上，完全不适合在高频区域使用。专利文献4中使用了表面粗糙度(Ra)为0.2μm的双面未经粗糙化处理的铜箔，但为了与含氟树脂制的绝缘基板胶粘，使用了作为四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚与液晶聚合物树脂的共混物的复合薄膜的胶粘用树脂薄膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-246201号公报专利文献2：日本特开平1-317727号公报专利文献3：日本特开平5-269918号公报专利文献4：日本特开2007-98692号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术的目的在于提供表面粗糙度低的铜箔与含氟树脂薄膜的粘附性以及尺寸稳定性高、且能够降低高频电路中的电信号的传输损耗的双面电路用基板。用于解决问题的手段本专利技术人发现，通过将特定的铜箔、含氟树脂薄膜和玻璃布配置于规定的位置并进行压接，即使不使用胶粘用薄膜，对表面粗糙度低的铜箔的胶粘性也高，其结果是，得到高频率下的传输损耗低、而且线膨胀率低的双面电路基板，从而完成了本专利技术。即，本专利技术涉及：(1)一种双面电路用基板，其为包含含氟树脂和玻璃布的复合材料与粗糙面(マット面)(与树脂接触的面)的二维粗糙度Ra小于0.2μm的铜箔的层叠体；(2)一种双面电路用基板，其中，在两片铜箔之间交替层叠有n片含氟树脂薄膜和n-1片玻璃布的电路用基板(n为2以上且10以下的整数)中，铜箔的粗糙面(与树脂接触的面)的二维粗糙度Ra小于0.2μm；(3)如上述(1)或(2)所述的双面电路用基板，其中，使用ESCA进行观察时，含氟树脂的表面或含氟树脂薄膜的表面的O的存在比例为1.0％以上；(4)如上述(1)或(2)所述的双面电路用基板，其中，含氟树脂薄膜进行了表面改性；(5)如上述(1)至(4)中任一项所述的双面电路用基板，其中，上述铜箔与上述含氟树脂薄膜之间的、沿相对于上述双面电路用基板90度方向的铜箔剥离强度为0.8N/mm以上；(6)如上述(1)至(5)中任一项所述的双面电路用基板，其中，在将除去双面的铜箔后的该基板的厚度设为X(μm)、将使用网络分析器在20GHz下测定的该基板的传输损耗设为Y(dB/cm)的情况下，X与Y之积(X×Y)为22以下；(7)如上述(1)至(6)中任一项所述的双面电路用基板，其中，上述含氟树脂薄膜包含四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)。专利技术效果本专利技术的电路基板使用表面粗糙度极低的铜箔，因此，即使在高频带传输损耗也极少，另外，即使不使用胶粘用薄膜，含氟树脂薄膜层与金属的胶粘性和尺寸稳定性也优良。具体实施方式作为本专利技术中使用的铜箔，优选至少一个面的二维表面粗糙度(Ra)在小于0.2μm的范围内，更优选在0.15μm以下的范围内。表面粗糙度为0.2μm以上时，传输损耗增大，有时不满足实用性能。铜箔的种类有电解箔和轧制箔，任何一种均可以使用。作为铜箔的厚度，通常为5μm～50μm，优选为8μm～40μm。铜箔表面可以为未处理的铜箔表面，另外，该表面可以进行金属镀敷处理，例如利用选自镍、铁、锌、金、银、铝、铬、钛、钯或锡中的一种以上金属进行镀敷处理，另外，也可以利用硅烷偶联剂等试剂对未处理的铜箔表面或上述金属镀敷处理后的铜箔表面进行处理。作为优选的金属镀敷处理，为选自镍、铁、锌、金或铝中的一种以上的金属镀敷处理，更优选为利用镍或铝的金属镀敷处理。需要说明的是，本申请说明书中，“铜箔的粗糙面”是指配置于双面电路用基板的最外表面和最内表面的两片铜箔的、与含氟树脂接触的面。作为含氟树脂，优选为选自由聚四氟乙烯[PTFE]、聚三氟氯乙烯[PCTFE]、乙烯[Et]-TFE共聚物[ETFE]、Et-三氟氯乙烯[CTFE]共聚物、CTFE-TFE共聚物、TFE-HFP共聚物(四氟乙烯-六氟丙烯共聚物)[FEP]、TFE-PAVE共聚物(四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)[PFA]和聚偏二氟乙烯[PVdF]构成的组中的至少一种。从电学特性(介电常数、介质损耗角正切)、耐热性等观点出发，含氟树脂更优选为选自由PFA和FEP构成的组中的至少一种含氟共聚物。PFA为包含基于TFE的聚合单元(TFE单元)和基于PAVE的聚合单元(PAVE单元)的共聚物。上述PFA中，使用的PAVE没有特别限定，可以列举例如由下述通式(1)表示的全氟不饱和化合物：CF2＝CF-ORf1(1)(式中，Rf1表示全氟有机基团)本说明书中，上述“全氟有机基团”是指与碳原子键合的氢原子全部被氟原子取代而得到的有机基团。上述全氟有机基团可以具有醚键性的氧原子。作为上述PAVE，优选例如上述通式(1)中Rf1为碳原子数1～10的全氟烷基的物质。作为上述全氟烷基的碳原子数，更优选为1～5。具体而言，更优选为选自由全氟(甲基乙烯基醚)[PMVE]、全氟(乙基乙烯基醚)[PEVE]、全氟(丙基乙烯基醚)[PPVE]和全氟(丁基乙烯基醚)[PBVE]构成的组中的至少一种，进一步优选为选自由PMVE、PEVE和PPVE构成的组中的至少一种，从耐热性优良的观点出发，特别优选为PPVE。上述PFA中，PAVE单元通常为1～10摩尔％，优选为1～6摩尔％，更优选为3～6摩尔％。另外，上述PFA中，相对于全部聚合单元，TFE单元和PAVE单元的合计优选为90～100摩尔％。上述PFA可以还包含基于能够与TFE和PAVE共聚的单体的聚合单元。作为上述能够与TFE和PAVE共聚的单体，可以列举六氟丙烯、由CX1X2＝CX3(CF2)mX4(式中，X1、X2和X3相同或不同，独立地表示氢原子或氟原子，X4表示氢原子、氟原子或氯原子，m表示1～10的整数)表示的乙烯基单体、由CF2＝CF-OCH2-Rf2(式中，Rf2表示碳原子数1～5的全氟烷基)表示的烷基全氟乙烯基醚衍生物等。作为能够与TFE和PAV本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面电路用基板，其为包含含氟树脂和玻璃布的复合材料与粗糙面(与树脂接触的面)的二维粗糙度Ra小于0.2μm的铜箔的层叠体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.07 JP 2014-1617791.一种双面电路用基板，其为包含含氟树脂和玻璃布的复合材料与粗糙面(与树脂接触的面)的二维粗糙度Ra小于0.2μm的铜箔的层叠体。2.一种双面电路用基板，其中，在两片铜箔之间交替层叠有n片含氟树脂薄膜和n-1片玻璃布的电路用基板(n为2以上且10以下的整数)中，铜箔的粗糙面(与树脂接触的面)的二维粗糙度Ra小于0.2μm。3.如权利要求1或2所述的双面电路用基板，其中，使用ESCA进行观察时，含氟树脂的表面或含氟树脂薄膜的表面中的O的存在比例为1.0％以上。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：赤塚泰昌，茂木繁，小森洋和，稻叶刚志，
申请(专利权)人：日本化药株式会社，大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP