The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, semiconductor device and electronic device, the production method includes: providing a semiconductor substrate, forming a contact etch stop layer on the semiconductor substrate; the contact etch stop is formed on the interlayer dielectric layer; among them, before the formation of the interlayer dielectric layer, stop the surface treatment process on the implementation of the contact etching, in order to improve the performance of interface contact etch stop layer surface. A method for manufacturing a semiconductor device provided by the invention, the surface treatment process on the implementation of the stop layer of the contact etching, improves the interfacial properties of contact etch stop layer surface, and the subsequent formation of interlayer dielectric and the etch stop layer tightly, so as to avoid subsequent removal of dielectric damage caused by virtual gate layer between, and the metal gate planarization after residual problems.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
,具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的发展,在大规模集成电路CMOS(互补金属氧化物)器件的几何尺寸一直在不断缩小,半导体器件的特征尺寸已经缩小到纳米级别,使用传统的SiO2作栅极氧化层时漏电流越来越大,人们提出了各种改进技术,比如使用高K栅介质材料和金属栅极,同时为了避免高温工艺对技术栅极的影响,对于20nm技术节点,后高K和金属栅极(gatelast)工艺是优选的。此外,随着CMOS器件的缩小,为了满足器件性能,等效氧化层厚度也缩小,比如在20nm技术节点,等效氧化层厚度(EOT)必须缩小到约1.1nm,而为了满足这一要求在后高K工艺中,需要使用化学氧化物来代替热氧化物在高K金属栅极下作界面层,以降低等效氧化层厚度(EOT),因此之前形成的虚拟栅氧化物需要去除。但是当去除虚拟栅氧化物时,层间电介质(ILD)和栅极间隙壁会受到损伤,并且当沉积高K材料和金属栅极,并会由于这种损伤在金属栅极平坦化(CMP)后造成残余。因此,有必要提出一种新的制作方法,以解决上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题,本专利技术一方面提供一种半导体器件的制作方法,该方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成接触蚀刻停止层;在所述接触蚀刻停止层上形成层间电介质;其中,在 ...
【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成接触蚀刻停止层;在所述接触蚀刻停止层上形成层间电介质;其中,在形成所述层间电介质之前,对所述接触蚀刻停止层表层执行处理工艺,以提高所述接触蚀刻停止层表层的界面性能。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成接触蚀刻停止层;在所述接触蚀刻停止层上形成层间电介质;其中,在形成所述层间电介质之前,对所述接触蚀刻停止层表层执行处理工艺,以提高所述接触蚀刻停止层表层的界面性能。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述接触蚀刻停止层为氮化物层。3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述处理工艺包括氧化工艺,通过所述氧化工艺使所述接触蚀刻停止层表层转变为氧化物层,以提高所述接触蚀刻停止层表层的界面性能。4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述处理工艺还包括致密工艺,通过所述致密工艺提高所述氧化物层的致密度,以进一步提高所述接触蚀刻停止层表层的界面性能。5.根据权利要求1-4之一所述的制作方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:禹国宾,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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