显示基板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:15115425 阅读:77 留言:0更新日期:2017-04-09 11:45
本实用新型专利技术公开了一种显示基板和显示装置。该显示基板包括:衬底基板和位于所述衬底基板上方的栅线、数据线和像素单元,每个所述像素单元中设置有第一亚像素电极和第二亚像素电极,所述栅线位于所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间,相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元,每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极,所述显示单元中的预设区域包括遮光图形。本实施例中,所述显示单元中的预设区域包括遮光图形,遮光图形对预设区域起到挡光作用,从而避免了漏光现象。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
,特别涉及一种显示基板和显示装置
技术介绍
液晶显示技术广泛应用于电视、手机以及公共信息显示领域,液晶显示技术主要分成平行电场技术和垂面电场技术两大类,平行电场技术是指液晶显示装置中的电场方向平行于衬底基板,垂面电场技术是指液晶显示装置中的电场方向垂直于衬底基板。对于大尺寸广视角的液晶显示装置,垂面电场技术得到了广泛应用。目前广视角技术的显示装置中的像素单元一般包含两个亚像素电极,亚像素电极可以包括插指电极或狭缝电极,由于相邻的插指电极或狭缝电极边缘电场的方向不一致,因此在插指电极或狭缝电极的边缘电场作用下,液晶分子的排列会偏离预定的取向方向,从而造成漏光。
技术实现思路
本技术提供一种显示基板和显示装置,用于避免漏光现象。为实现上述目的,本技术提供了一种显示基板,包括:衬底基板和位于所述衬底基板上方的栅线、数据线和像素单元,每个所述像素单元中设置有第一亚像素电极和第二亚像素电极,所述栅线位于所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间,相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元,每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极,所述显示单元中的预设区域包括遮光图形。可选地,所述遮光图形包括第一遮光部;所述预设区域包括所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的端部,所述第一遮光部与所述间隙的端部重叠;和/或所述预设区域包括所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的端部的周边区域,所述第一遮光部与所述间隙的端部的周边区域重叠。可选地,所述第一遮光部包括沿所述数据线方向设置的分支部。可选地,所述第一遮光部还包括与所述分支部连接的且顶部朝向所述间隙突出设置的突出部。可选地,所述分支部上与所述突出部对应的位置朝向所述间隙内凹设置,或者,所述分支部上与所述突出部对应的位置背向所述间隙突出设置。可选地,所述突出部的形状为梯形或者三角形。可选地,所述突出部的中心线和所述间隙的中心线重合。可选地,所述分支部和所述数据线重叠设置。可选地,所述突出部与所述间隙两侧的第一亚像素电极和第二亚像素电极重叠。可选地,所述显示单元的第一亚像素电极包括两个交叉设置的根茎部和设置于根茎部上的多个分支电极,分支电极之间形成有狭缝;所述显示单元的第二亚像素电极包括两个交叉设置的根茎部和设置于根茎部上的多个分支电极,分支电极之间形成有狭缝;所述遮光图形包括第二遮光部;所述预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部,所述第二遮光部与所述至少一个所述根茎部的至少一个端部重叠;和/或所述预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域,所述第二遮光部与所述至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域重叠。可选地,所述两个交叉设置的根茎部包括沿所述数据线设置的根茎部和沿所述栅线设置的根茎部;当预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部时,所述第二遮光部与沿所述数据线设置的根茎部的远离所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的一个端部重叠;或者,当预设区域包括至少一个所述根茎部的至少一个端部的周边区域时,所述第二遮光部与沿所述数据线设置的根茎部的远离所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的一个端部的周边区域重叠。可选地,所述第二遮光部的形状为梯形或者三角形。可选地,所述显示基板还包括公共电极线,所述公共电极线位于像素单元中的所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间且位于相邻栅线之间,所述分支部为从所述公共电极线延伸出的图形。可选地,所述显示基板还包括公共电极线,所述公共电极线位于像素单元中的所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间且位于相邻栅线之间,所述第二遮光部为从所述公共电极线延伸出的图形。为实现上述目的,本技术提供了一种显示装置,包括:相对设置的对置基板和上述显示基板。本技术具有以下有益效果:本技术提供的显示基板和显示装置的技术方案中,相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元,每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极,所述显示单元中的预设区域包括遮光图形,遮光图形对预设区域起到挡光作用,从而避免了漏光现象。附图说明图1为本技术实施例一提供的一种显示基板的结构示意图;图2为图1中A-A向剖视图;图3为图1中B-B向剖视图;图4为本技术实施例二提供的一种显示基板的结构示意图;图5为本技术实施例三提供的一种显示基板的结构示意图;图6为本技术实施例四提供的一种显示基板的结构示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案,下面结合附图对本技术提供的显示基板和显示装置进行详细描述。图1为本技术实施例一提供的一种显示基板的结构示意图,图2为图1中A-A向剖视图,图3为图1中B-B向剖视图,如图1、图2和图3所示,该显示基板包括:衬底基板1和位于衬底基板1上方的栅线10i、数据线30j和像素单元,每个像素单元中设置有第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j,栅线10i位于第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j之间。其中,i、j均为正整数。本实施例中,栅线横向设置,数据线纵向设置,则栅线10i表示第i行栅线,数据线30j表示第j列数据线,第一亚像素电极PAi,j表示第i行第j列第一亚像素电极,第二亚像素电极PBi,j表示第i行第j列第二亚像素电极。相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元,每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极,显示单元中的预设区域包括遮光图形。如图1所示,例如:相邻的栅线10i、栅线10i-1和相邻的数据线30j、数据线30j+1围成显示单元,该显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极PAi,j和相邻的像素单元中的第二亚像素电极PBi-1,j。本实施例中,预设区域为发生漏光的区域。而在预设区域设置遮光区域,可起到挡光作用,从而避免漏光现象。本实施例中,显示基板还包括公共电极线90,公共电极线90位于像素单元中的第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi-1,j之间且位于相邻栅线10i、10i-1之间。优选地,公共电极线90和栅线10i同层设置。本实施例中,第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j沿数据线方向交替排列。本实施例中,第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j可以相同或者不同。当第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j相同时,二者的面积和形状均相同;当第一亚像素电极PAi,j和第二亚像素电极PBi,j不同时,二者的面积不相同和/或形状不相同。本实施例中,第一亚像素电极PAi,j为具有边缘插指电极的板状电极(plateelectrode)。第一亚像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板,其特征在于,包括:衬底基板和位于所述衬底基板上方的栅线、数据线和像素单元,每个所述像素单元中设置有第一亚像素电极和第二亚像素电极,所述栅线位于所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间,相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元,每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极,所述显示单元中的预设区域包括遮光图形。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括:衬底基板和位于所述衬底基板上方的栅线、数据线和像素单元,每个所述像素单元中设置有第一亚像素电极和第二亚像素电极,所述栅线位于所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间,相邻的栅线和相邻的数据线围成显示单元,每个显示单元包括一个像素单元中的第一亚像素电极和相邻的像素单元中的第二亚像素电极,所述显示单元中的预设区域包括遮光图形。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述遮光图形包括第一遮光部;
所述预设区域包括所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的端部,所述第一遮光部与所述间隙的端部重叠;和/或
所述预设区域包括所述显示单元中的第一亚像素电极和第二亚像素电极之间的间隙的端部的周边区域,所述第一遮光部与所述间隙的端部的周边区域重叠。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一遮光部包括沿所述数据线方向设置的分支部。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一遮光部还包括与所述分支部连接的且顶部朝向所述间隙突出设置的突出部。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述分支部上与所述突出部对应的位置朝向所述间隙内凹设置,或者,所述分支部上与所述突出部对应的位置背向所述间隙突出设置。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述突出部的形状为梯形或者三角形。
7.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述突出部的中心线和所述间隙的中心线重合。
8.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述分支部和所述数据线重叠设置。
9.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述突出部与所述间隙两侧的第一亚像素电极和第二亚像素电极重叠。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示单元的第一亚像素电极包括两个交叉设置的根茎部和设...

【专利技术属性】
技术研发人员:程鸿飞先建波李盼
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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