【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种结型场效应晶体管。
技术介绍
结型场效应晶体管(JFET)是采用PN结作为器件的栅控制沟道的开通和截止,当栅上加PN结负偏压,PN结两边耗尽,当沟道被完全耗尽,器件处于沟道夹断状态,器件截止。反之,器件导通。超高压结型场效应晶体管需要漏端能承受高压,通常利用高压LDMOS的漂移区作为JFET的漂移区承受高压,高压LDMOS的沟道作为JFET的栅,这样既能制作出超高压JFET,又能与高压LDMOS共享光刻版,节约工艺成本。JFET在导通工作时,沟道有大电流流过,且在沟道区发生碰撞电离,产生大量的电子-空穴对。而在栅与沟道的PN结中存在较高电场,可使得沟道中的多子越过PN结势垒,进入栅,形成栅漏电流。以N型JFET为例,沟道的载流子在由漏端指向源端的横向电场作用下,发生碰撞电离,产生电子-空穴对;沟道的电位高于栅电位,存在由沟道指向栅极的纵向电场,空穴在该电场的作用下漂移到栅极,形成栅极漏电流,如图1、2所示。P型JFET栅极漏电原理与N型JFET一致。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种结型场效应晶体管,它具有高击穿电压和超低栅漏电。为解决上述技术问题,本专利技术的结型场效应晶体管,其栅极下方有一个以上与沟道导电类型相反的阱埋层。较佳的,所述阱埋层位于所述栅极的正下方。较佳的,所述阱埋层的横向尺寸大于所述栅极的横向尺寸。 ...
【技术保护点】
结型场效应晶体管,其特征在于,该结型场效应晶体管的栅极下方有一个以上与沟道导电类型相反的阱埋层。
【技术特征摘要】
1.结型场效应晶体管,其特征在于,该结型场效应晶体管的栅极下方有一个以上与沟道
导电类型相反的阱埋层。
2.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管,其特征在于,所述阱埋层位于所述栅极的
正下方。
3.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱文生,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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