一种照明范围大色温均匀的LED封装结构制造技术

技术编号:15086770 阅读:51 留言:0更新日期:2017-04-07 16:38
本实用新型专利技术公开了一种照明范围大色温均匀的LED封装结构,包括LED芯片,包括用于透射光线的透光层,所述透光层为半球形结构,所述透光层内填充有荧光粉,所述透光层两侧的厚度从上到下逐渐增厚。本实用新型专利技术将透光层设置成半球形结构,这样可以有效增加照明范围,所述透光层两侧的厚度从上到下逐渐增厚,这样可以使得LED芯片两侧较弱的光线通过较厚的透光层,从而激发更加多的荧光粉,使得透射光的色温更加均匀。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED封装结构,特别是一种照明范围大色温均匀的LED封装结构
技术介绍
传统LED灯的基本结构是一块电致发光的半导体材料芯片,用银胶或白胶固化到支架上,然后用银线或金线连接芯片和电路板,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,最后安装外壳,所以LED灯的抗震性能好。运用领域涉及到手机、台灯、家电等日常家电和机械生产方面。但是传统LED封装结构普遍存在照明范围小且色温不均匀的问题。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术的目的在于提供一种照明范围大色温均匀的LED封装结构。本技术解决其问题所采用的技术方案是:一种照明范围大色温均匀的LED封装结构,包括LED芯片,包括用于透射光线的透光层,所述透光层为半球形结构,所述透光层内填充有荧光粉,所述透光层两侧的厚度从上到下逐渐增厚。进一步,设置有安装内腔,所述LED芯片设置于安装内腔中。本技术设置有安装内腔,并将LED芯片设置于安装内腔中,这样可以有效保护LED芯片,延长本产品的使用寿命。进一步,所述安装内腔为扇形结构。本技术将安装内腔设置为扇形结构,不但有利于LED芯片的安装,而且有利于LED芯片光线的透射。进一步,设置有用于提高LED芯片的光线利用率的反射层,所述反射层设置于LED芯片的下方。本技术设置的反射层可以将LED芯片底面的光线反射到透光层,这样可以大大加强对LED芯片的光线利用率。进一步,设置有用于防止反射层中的银被硫化的保护层,所述反射层设置于保护层中。本技术设置有保护层,并且将反射层设置于保护层中,这样可以有效防止反射层中的银被硫化。本技术的有益效果是:本技术采用的一种照明范围大色温均匀的LED封装结构,本技术将透光层设置成半球形结构,这样可以有效增加照明范围,所述透光层两侧的厚度从上到下逐渐增厚,这样可以使得LED芯片两侧较弱的光线通过较厚的透光层,从而激发更加多的荧光粉,使得透射光的色温更加均匀。附图说明下面结合附图和实例对本技术作进一步说明。图1是本技术结构图。具体实施方式图1是本技术结构图,如图1所示,一种照明范围大色温均匀的LED封装结构,包括LED芯片1,包括用于透射光线的透光层2,所述透光层2为半球形结构,所述透光层2内填充有荧光粉,所述透光层2两侧的厚度从上到下逐渐增厚。本技术设置有安装内腔3,所述LED芯片1设置于安装内腔3中。本技术设置有安装内腔3,并将LED芯片1设置于安装内腔3中,这样可以有效保护LED芯片1,延长本产品的使用寿命。本技术的安装内腔3为扇形结构。本技术将安装内腔3设置为扇形结构,不但有利于LED芯片1的安装,而且有利于LED芯片1光线的透射。本技术设置有用于提高LED芯片1的光线利用率的反射层4,所述反射层4设置于LED芯片1的下方。本技术设置的反射层4可以将LED芯片1底面的光线反射到透光层2,这样可以大大加强对LED芯片1的光线利用率。本技术设置有用于防止反射层4中的银被硫化的保护层5,所述反射层4设置于保护层5中。本技术设置有保护层5,并且将反射层4设置于保护层5中,这样可以有效防止反射层4中的银被硫化。以上所述,只是本技术的较佳实施例而已,本技术并不局限于上述实施方式,只要其以相同的手段达到本技术的技术效果,都应属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种照明范围大色温均匀的LED封装结构,包括LED芯片(1),其特征在于:包括用于透射光线的透光层(2),所述透光层(2)为半球形结构,所述透光层(2)内填充有荧光粉,所述透光层(2)两侧的厚度从上到下逐渐增厚。

【技术特征摘要】
1.一种照明范围大色温均匀的LED封装结构,包括LED芯片(1),其特征在于:包括用于透射光线的透光层(2),所述透光层(2)为半球形结构,所述透光层(2)内填充有荧光粉,所述透光层(2)两侧的厚度从上到下逐渐增厚。2.根据权利要求1所述的一种照明范围大色温均匀的LED封装结构,其特征在于:设置有安装内腔(3),所述LED芯片(1)设置于安装内腔(3)中。3.根据权利要求2所述的一种照明范围大色温均匀的...

【专利技术属性】
技术研发人员:柯志强陈向飞
申请(专利权)人:江门市迪司利光电股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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