一种量子点膜制造技术

本发明专利技术提供了一种量子点膜，从上至下依次包括：二氧化硅层，二氧化钒层，量子点层；其中，所述二氧化钒层与量子点层的厚度比为1：(0.3～1.8)。本发明专利技术提供的量子点膜，本发明专利技术提供的电子点膜，相比于现有的薄膜具有超强的阻隔蓝光的作用，通过金属钨掺杂二氧化钒层与量子点膜通过电子间的相互作用，一方面具有吸收蓝光的作用，另一方面具有反射蓝光的作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及膜
，更具体地，本专利技术涉及一种量子点膜。
技术介绍
蓝光的真正名称叫做HighEnergyVisibleLights，也就是高能可见光。光是一种电磁辐射，电磁辐射对人体的伤害可能性，是随着能量，或者说频率上升而加强的。比如能量高的、频率高、波长短的宇宙射线对人体的伤害是最强的，频率再低一级的紫外线也会对人体的眼睛造成伤害，并可能引起皮肤癌。“蓝光”是指的可见光中最接近紫外线的部分，这些波长在400-500纳米范围内的光频率比紫外线略低，是可见光中能量最高的部分，颜色则是蓝色和紫色，因此就被俗称为“蓝光”。能源、材料、信息科学是新技术革命的先导和支柱。作为特殊形态材料的薄膜，己经成为微电子、信息、传感器、光学、太阳能利用等技术的基础，并广泛渗透到当代科技的各个领域，而且特殊功能、特殊作用的薄膜材料的开发本身就是高新技术的重要组成部分。在新材料发展最活跃的一些领域，如新材料的合成与制备，材料表面与界面的研究，低维材料和纳米技术的开发、非晶态、准晶态的形成，材料的各向异性研究，亚稳态材料的探索，晶体中杂质原子及微观缺陷的行为与影响，离子束、光束与物质表面、交界面的相互作用，物质特异性能的开发等无一不和薄膜科学技术有关。20世纪70～80年代由于真空技术、薄膜材料与技术和表面物理相结合，促进了薄膜科学与技术的迅速发展，也推动了薄膜产品的开发与应用。目前手机、iPad、电脑等日常所用的电器中均会向外辐射蓝光，对于视网膜的损伤，市面上出现的抗蓝光产品大多良莠不齐，人们越来越依赖于电子产品，使得亟待出现一种可以保护眼睛，防蓝光的膜出现，本专利技术就针对这样的问题，提出了解决方案。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种量子点膜。为了实现上述专利技术目的，本专利技术采取了以下技术方案：一种量子点膜，其特征在于，从上至下依次包括：量子点层，二氧化钒层，二氧化硅层；其中，所述二氧化钒层与量子点层的厚度比为1：(0.3～1.8)。作为一种优选的技术方案，所述二氧化钒层与量子点层的厚度比为1：(0.6～1.2)。作为一种优选的技术方案，所述二氧化钒层为钨掺杂的二氧化钒层。作为一种优选的技术方案，所述钨掺杂的二氧化钒的层中钨的掺杂量为5wt％～8wt％。作为一种优选的技术方案，所述量子点层中量子点选自ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgTe、GaN、GaAs、InP、InAs中的一种或几种。作为一种优选的技术方案，所述量子点粒径范围为4～10nm。作为一种优选的技术方案，所述量子点粒径范围为6～8nm。作为一种优选的技术方案，所述量子点的质量占所述量子点层质量的30％～36％。作为一种优选的技术方案，所述量子点的质量占所述量子点层质量的32％～34％。另一方面，本专利技术提供一种含有量子点膜的手机用钢化膜，包括上述量子点膜。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种量子点膜，所用二氧化钒层与量子点层复合的结构，同时二氧化钒层中掺杂金属钨后，有效的降低了二氧化钒的相变温度，手机、iPad、电脑在工作的同时，产生一定的热量，达到或邻近二氧化钒的相转变温度，使得二氧化钒由半导体态向金属态转化后，二氧化钒层表面存在自由电子。这些自由电子与量子点导带上的电子产生相互排斥作用，落入电子陷阱中的电子减少，在量子点膜形成壁垒，以非辐射的形式而猝灭的电子同样减少，对于400-500纳米范围内蓝光有反射作用。量子点的比表面积非常大，除了具有高表面活性之外，表面存在的大量悬键和缺陷将成为光生电子或空穴的有效俘获中心。另一方面，大多数量子点薄膜能隙将有所增大，会出现吸收光谱的蓝移与宽化现象。在光的照射下，本专利技术提供的量子点膜，对光源中400-500纳米范围内蓝光起到强烈的吸收作用，薄膜的吸收谱上会出现激子吸收峰，并把额外能量以热或光的形式再释放出。采用本专利技术所提供的量子点膜具有对蓝光的吸收和反射作用，使用该量子点膜可以对视网膜提供保护作用，对人们远离蓝光提供了一扇门。再一方面，由于本专利技术提供的量子点膜，只在有光的时候和达到一定温度的情况下才会起到作用，大大延长了使用时间，适于大工业生产。具体实施方式参选以下本专利技术的优选实施方法的详述以及包括的实施例可更容易地理解本专利技术的内容。除非另有限定，本文使用的所有技术以及科学术语具有与本专利技术所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。当存在矛盾时，以本说明书中的定义为准。本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本专利技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。一种量子点膜，从上至下依次包括：量子点层，二氧化钒层，二氧化硅层；其中，所述二氧化钒层与量子点层的厚度比为1：(0.3～1.8)。量子点层：本专利技术的量子点层中主要原料为量子点。术语量子点(QuantumDot)又称为半导体纳米晶体(SemiconductorNanocrystals)，是一种半径小于或接近于激子玻尔半径的新型半导体纳米材料，具有独特的光、声、电、磁、催化、化学活性等性质，主要是由Ⅱ-Ⅵ族(如MgS、CdSe、ZnTe、HgSe等)和Ⅲ－Ⅴ族(如GaAs、InGaAs、InP、InAs等)元素组成的均一或核/壳结构(如CdS/HgS/CdS等)纳米颗粒。量子尺寸效应:当体相材料尺寸缩小至可与激子半径相比拟的时候，由于载流子运动受到空间的限制，能量发生量子化，其电子结构由连续的能带变为分立的能级。通过控制量子点的形状、结构和尺寸，就可以方便地调节其能隙宽度、激子束缚能的大小以及激子的能量蓝移等电子状态。随着量子点尺寸的逐渐减小，量子点的光吸收谱出现蓝移现象。尺寸越小，则谱蓝移现象越显著。量子点优选自ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgTe、GaN、GaAs、InP、InAs中的一种或几种。进一步优选为CdS/CdSe，ZnS/ZnSe。所述量子点粒径范围优选为4～10nm，进一步优选为6～8nm。本专利技术所述二氧化钒层与量子点层的厚度比优选为1：(0.3～1.8)；进一步优选为1：(0.6～1.2)。所述量子点的质量占所述量子点层质量优选为30％～36％，进一步优选为32％～34％。量子点层的制备方法如下：将ITO基片依次用氨水，水，乙醇，超声清洗，然后浸入体积比为1:1的乙醇/氢氧化钠(1mo1·L-1)中10～25min，以得到表面带负电的ITO，取出用水清洗，N2吹干备用。PDDA和PSS均配制成0.01mo1·L-1的溶液，量子点溶液的pH调至6～7。先将表面处理后带负电的ITO依次在PDDA溶液，量子点溶液中浸渍15min，并分别用去离子水淋洗，N2吹干；或将表面处理后带负电的ITO依次在PDDA，PSS，PDDA，量子点溶液中浸渍10～25min，并分别用去离子水淋洗，N2吹干。形成所需的量子点层。二氧化钒层：本专利技术所述二氧化钒层主要原料为二氧化钒。钒(V)，原子序数是23，是3d族过渡金属元素，具有多种的氧化物形态，常见的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点膜，其特征在于，从上至下依次包括：量子点层，二氧化钒层，二氧化硅层；其中，所述二氧化钒层与量子点层的厚度比为1：(0.3～1.8)。

【技术特征摘要】
1.一种量子点膜，其特征在于，从上至下依次包括：量子点层，二氧化钒层，二氧化硅层；其中，所述二氧化钒层与量子点层的厚度比为1：(0.3～1.8)。2.如权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述二氧化钒层与量子点层的厚度比为1：(0.6～1.2)。3.如权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述二氧化钒层为钨掺杂的二氧化钒层。4.如权利要求3所述的量子点膜，其特征在于，所述钨掺杂的二氧化钒的层中钨的掺杂量为5wt％～8wt％。5.如权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述量子点层中量子点选自ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏建明，梁明月，
申请(专利权)人：安徽鑫禾功能膜技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34