封装件或器件结构上的SMD/IPD及其形成方法技术

本发明专利技术实施例描述了封装结构及其形成方法。在一个实施例中，封装结构包括嵌入在密封件中的集成电路管芯和在密封件上的再分布结构。再分布结构包括在密封件和集成电路管芯远端的金属化层，以及在密封件和集成电路管芯远端以及在金属化层上的介电层。封装结构还包括在介电层上的第一底部金属化结构以及附接至第一底部金属化结构的表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)。第一底部金属化结构包括第一至第四延伸部分，第一至第四延伸部分分别穿过介电层的第一至第四开口延伸至金属化层的第一至第四图案。第一开口、第二开口、第三开口和第四开口彼此物理隔开。本发明专利技术实施例涉及封装件或器件结构上的SMD/IPD及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及封装件或器件结构上的SMD/IPD及其形成方法。
技术介绍
半导体器件用于许多电子应用，作为实例诸如个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。通常，通过在半导体衬底上依次沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体材料层，并且使用光刻图案化各个材料层以在所述材料层上形成电路部件和元件来制造半导体器件。通常，在单个半导体晶圆上制造数十或数百的集成电路。通过沿着切割线锯切集成电路分割单个管芯。然后，例如，以多芯片模式或在其他的封装类型单独封装单个管芯。半导体工业通过不断减小最小部件尺寸继续提高各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度，这允许将更多元件集成在给定区域中。在一些应用中，诸如集成电路管芯的这些更小的电子元件还可能需要更小的封装件，所述更小的封装件使用比过去的封装件更小的面积。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种封装结构，包括：集成电路管芯，嵌入在密封件中；再分布结构，位于所述密封件上并且电连接至所述集成电路管芯，所述再分布结构包括：金属化层，位于所述密封件和所述集成电路管芯远端，和介电层，位于所述密封件和所述集成电路管芯远端并且在所述金属化层上；第一底部金属化结构，位于所述介电层上，所述第一底部金属化结构包括：第一延伸部分，延伸穿过所述介电层的第一开口至所述金属化层的第一图案，第二延伸部分，延伸穿过所述介电层的第二开口至所述金属化层的第二图案，第三延伸部分，延伸穿过所述介电层的第三开口至所述金属化层的第三图案，以及第四延伸部分，延伸穿过所述介电层的第四开口至所述金属化层的第四图案，所述第一开口、所述第二开口、所述第三开口和所述第四开口彼此物理地间隔开；以及表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)，附接至所述第一底部金属化结构。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种封装结构，包括：管芯，包括集成电路；密封件，至少横向封装所述管芯；再分布结构，在所述密封件上并且邻接所述密封件，所述再分布结构包括位于金属化层上的介电层；第一底端结构，包括延伸穿过第一开口至所述金属化层的第一延伸部分并且包括延伸穿过第二开口至所述金属化层的第二延伸部分，所述第一开口穿过所述介电层，所述第二开口穿过所述介电层；第二底端结构，包括延伸穿过第三开口至所述金属化层的第三延伸部分并且包括延伸穿过第四开口至所述金属化层的第四延伸部分，所述第三开口穿过所述介电层，所述第四开口穿过所述介电层，其中，所述第一开口、所述第二开口、所述第三开口和所述第四开口不同；以及表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)，具有附接至所述第一底端结构的第一终端和附接至所述第二底端结构的第二终端。根据本专利技术的又一些实施例，还提供了一种方法，包括：将集成电路管芯封装在密封件中；在所述密封件上形成再分布结构，所述再分布结构包括在第一金属化图案、第二金属化图案、第三金属化图案和第四金属化图案上的介电层，其中，将所述第一金属化图案、所述第二金属化图案、所述第三金属化图案和所述第四金属化图案物理隔开；在所述再分布结构上形成第一底端金属和第二底端金属，所述第一底端金属化包括延伸穿过所述介电层的第一开口至所述第一金属化图案的第一延伸部分并且包括延伸穿过所述介电层的第二开口至所述第二金属化图案的第二延伸部分，所述第二底端金属包括延伸穿过所述介电层的第三开口至所述第三金属化图案的第三延伸部分并且包括延伸穿过所述介电层的第四开口至所述第四金属化图案的第四延伸部分；以及将表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)附接至所述第一底端金属和所述第二底端金属，将所述SMD/IPD的第一终端附接至所述第一底端金属，以及将所述SMD/IPD的第二终端附接至所述第二底端金属。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1A至图1C是根据一些实施例的用于附接SMD和/或IPD(通常，“SMD/IPD”)的第一结构的各个视图。图2A至图2C是根据一些实施例的用于附接SMD/IPD的第二结构的各个视图。图3A至图3C是根据一些实施例的用于附接多端SMD/IPD的第三结构的各个视图。图4至图13是根据一些实施例的在用于形成封装件的制造工艺期间的中间步骤的截面图。具体实施方式以下公开内容提供了许多不同的实施例或实例以实现本专利技术的不同特征。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本专利技术。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括第一部件和第二部件以直接接触方式形成的实施例，也可以包括额外的部件可以形成在第一和第二部件之间，使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可以在各实施例中重复参考标号和/或字符。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。可在具体的上下文中讨论本文讨论的实施例，即附接至扇出或扇入晶圆级封装件的表面安装器件(SMD)和/或集成无源器件(IPD)，以及用于将SMD和/或IPD附接至这种封装件的各种结构。其他实施例包括其他应用，诸如在阅读本公开内容后本领域普通技术人员容易知道的不同的封装件类型或不同的配置。应该注意，本文讨论的实施例不必示出可能存在于结构中的每一个元件或部件。例如，可从附图中省略多个部件，诸如当讨论一个元件可能足以表达实施例的各个方面时。此外，可将本文讨论的方法实施例讨论为按特殊顺序实施；然而，可按任何逻辑顺序实施其他方法实施例。图1A至图1C示出根据一些实施例的用于附接SMD和/或IPD(通常,“SMD/IPD”)的结构的各个视图。图1A是结构的截面图，其中SMD/IPD54附接在所述结构上，以及图1B和图1C是结构的各个部分的覆盖布局图(overlaidlayoutviews)。图1B示出图1A中的部分B的覆盖布局图，且图1C示出图1A中的部分C的覆盖布局图。图1B和图1C中的截面A-A是图1A中示出的截面图。用于形成该结构的示例性材料和方法在图4至图13的制造工艺的上下文中讨论，并且因此，为了简洁此处省略这种材料和工艺。图1A示出包括第一下部金属化图案40a和第二下部金属化图案40b的下部金属化层。各个第一下部金属化图案40a和第二下部金属化图案40b可为位于下部金属化层中的线、接合焊盘等。下部介电层42位于下部金属化层上方和上，所述下部金属化层包括第一下部金属化图案40a和第二下部金属化图案40b。上部金属化层位于下部介电层42上，并且上部金属化层包括具有第一通孔46a的第一上部金属化图案44a并且包括具有第二通孔46b的第二上部金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，包括：集成电路管芯，嵌入在密封件中；再分布结构，位于所述密封件上并且电连接至所述集成电路管芯，所述再分布结构包括：金属化层，位于所述密封件和所述集成电路管芯远端，和介电层，位于所述密封件和所述集成电路管芯远端并且在所述金属化层上；第一底部金属化结构，位于所述介电层上，所述第一底部金属化结构包括：第一延伸部分，延伸穿过所述介电层的第一开口至所述金属化层的第一图案，第二延伸部分，延伸穿过所述介电层的第二开口至所述金属化层的第二图案，第三延伸部分，延伸穿过所述介电层的第三开口至所述金属化层的第三图案，以及第四延伸部分，延伸穿过所述介电层的第四开口至所述金属化层的第四图案，所述第一开口、所述第二开口、所述第三开口和所述第四开口彼此物理地间隔开；以及表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)，附接至所述第一底部金属化结构。

【技术特征摘要】
2015.07.31 US 14/815,3881.一种封装结构，包括：集成电路管芯，嵌入在密封件中；再分布结构，位于所述密封件上并且电连接至所述集成电路管芯，所述再分布结构包括：金属化层，位于所述密封件和所述集成电路管芯远端，和介电层，位于所述密封件和所述集成电路管芯远端并且在所述金属化层上；第一底部金属化结构，位于所述介电层上，所述第一底部金属化结构包括：第一延伸部分，延伸穿过所述介电层的第一开口至所述金属化层的第一图案，第二延伸部分，延伸穿过所述介电层的第二开口至所述金属化层的第二图案，第三延伸部分，延伸穿过所述介电层的第三开口至所述金属化层的第三图案，以及第四延伸部分，延伸穿过所述介电层的第四开口至所述金属化层的第四图案，所述第一开口、所述第二开口、所述第三开口和所述第四开口彼此物理地间隔开；以及表面安装器件和/或集成无源器件(“SMD/IPD”)，附接至所述第一底部金属化结构。2.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：第二底部金属化结构，位于所述介电层上并且延伸至所述金属化层；外部连接件，位于所述第二底部金属化结构上；以及封装件衬底，电和物理连接至所述外部连接件。3.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一底部金属化结构还包括：第一底端金属，包括所述第一延伸部分和所述第二延伸部分，所述SMD/IPD的第一终端被附接至所述第一底端金属，以及第二底端金属，包括所述第三延伸部分和所述第四延伸部分，所述SMD/IPD的第二终端被附接至所述第二底端金属。4.根据权利要求3所述的封装结构，其中，在所述金属化层的第一图案和所述金属化层的第二图案之间没有设置所述金属化层的图案，并且在所述金属化层的第三图案和所述金属化层的第四图案之间没有设置所述金属化层的图案。5.根据权利要求3所述的封装结构，其中，所述金属化层还包括伪金属化图案、在所述金属化层的第一图案和所述金属化层的第二图案之间以及在所述金属化层的第三图案和所述金属化层的第四图案之间的第一方向上延伸的所述伪金属化图案的第一部分，以及在所述金属化层的第一图案和所述金属化层的第三图案之间以及在所述金属化层的第二图案和所述金属化层的第四图案之间的第二方向上延伸的所述伪金属化图案的第二部分。6.根据权利要求3所述的封装结构，其中，所述金属化层还包括伪金属化图案，所述伪金属化图案位于由所述金属化层的第一图案、所述金属化层的第二图案、所述金属化层的第三图案以及所述金属化层的第四图案的相应边界限定的区域中，多个开口穿过所述伪金属化图案。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢正贤，陈宪伟，吴集锡，余振华，叶德强，吴伟诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71