The invention discloses a patch type quartz crystal resonator base, including the upper and lower bottom plate, upper and lower floor plate stacked and bonded, the top surface of the lower floor is provided with a wafer stage, the lower plate is arranged on the bottom surface of the pad, and the wafer stage welding disc electrical connection, the upper floor type hollow box the hollow portion of the wafer stage is located on the top floor of the stage, wafer two, electrical insulation between the two wafer stage, the upper plate and the lower plate of the substrate material is FR4. The invention can simplify the production process, reduce energy consumption, shorten the production cycle and reduce the manufacturing cost.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元器件领域,尤其涉及一种FR4材料贴片式石英晶体谐振器基座。
技术介绍
石英晶体谐振器是利用α-石英(α-SiO2)的压电效应制成的频率控制元器件。石英晶体谐振器具有频率精度高,输出频率稳定的特性,它是一种用于稳定频率和选择频率的重要频率元器件。在有线通讯、无线通讯、广播电视、卫星通讯、导航、电子测量仪器、微机处理、数字智能仪表、钟表、汽车等各种军用和民用产品中广泛的应用,现用谐振器基座为陶瓷基座,生产工艺复杂,能耗高,周期长,制造成本高。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种贴片式石英晶体谐振器基座,简化生产工艺,生产中降低能耗,缩短生产周期,降低制造成本。为达到上述目的,本专利技术是采用以下技术方案实现的:本专利技术公开的贴片式石英晶体谐振器基座,包括上层底板和下层底板,所述上层底板与下层底板上下叠放并粘接,所述下层底板的顶面设有晶片搭台,下层底板的底面设有焊盘,所述晶片搭台与焊盘电气连接,所述上层底板为中空的框型,所述晶片搭台位于上层底板的中空部,晶片搭台有两个,两个晶片搭台之间电气绝缘,上层底板和下层底板的基材均为FR4材料。优选的,所述下层底板为FR4覆铜板,所述晶片搭台依次通过电气连接线、电气连接区连接焊盘,所述电气连接线、焊盘均为FR4覆铜板腐蚀形成,所述电气连接区上下贯通下层底板。优选的,所述下层底板为矩形,下层底板的四角为内凹的弧形,所述电气连接区为弧形处的沉金层,所述电气连接线、焊盘的表面均沉金,所述焊盘位于下层底板的角部。优选的,所述贴片式石英晶体谐振器基座的厚度为0.6-1mm。优选的,所述贴片式石英晶体谐振器基座的 ...
【技术保护点】
一种贴片式石英晶体谐振器基座,其特征在于:包括上层底板和下层底板,所述上层底板与下层底板上下叠放并粘接,所述下层底板的顶面设有晶片搭台,下层底板的底面设有焊盘,所述晶片搭台与焊盘电气连接,所述上层底板为中空的框型,所述晶片搭台位于上层底板的中空部,晶片搭台有两个,两个晶片搭台之间电气绝缘,上层底板和下层底板的基材均为FR4材料。
【技术特征摘要】
1.一种贴片式石英晶体谐振器基座,其特征在于:包括上层底板和下层底板,所述上层底板与下层底板上下叠放并粘接,所述下层底板的顶面设有晶片搭台,下层底板的底面设有焊盘,所述晶片搭台与焊盘电气连接,所述上层底板为中空的框型,所述晶片搭台位于上层底板的中空部,晶片搭台有两个,两个晶片搭台之间电气绝缘,上层底板和下层底板的基材均为FR4材料。2.根据权利要求1所述的贴片式石英晶体谐振器基座,其特征在于:所述下层底板为FR4覆铜板,所述晶片搭台依次通过电气连接线、电气连接区连接焊盘,所述电气连接线、焊盘均为FR4覆铜板腐蚀形成,所述电气连接区上下贯通下层底板。3.根据权利要求2所述的贴片式石英晶体谐振器基座,其特征在于:所述下层底板为矩形,下层底板的四角为内凹的弧形,所述电气连接区为弧形处的沉金层,所述电气连接线、焊盘的表面均沉金,...
【专利技术属性】
技术研发人员:何仁举,刘青彦,杨清明,黄建友,
申请(专利权)人:成都晶宝时频技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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