一种显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置。所述制作方法包括形成薄膜晶体管的步骤，其中，薄膜晶体管的有源层与源电极和漏电极通过不同的构图工艺形成，以防止出现SDT不良，提高产品的良率，且栅电极位于有源层下方，在形成有源层的过程中在栅绝缘层中形成过孔，从而与源电极、漏电极同层的第二导电层图形和与栅电极同层的第一导电层图形能够通过栅绝缘层中的过孔直接电性接触，简化制作工艺，缺省了桥接线的制作，有利于实现高分辨率和窄边框。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
在平板显示
，薄膜晶体管液晶显示器件(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低等优点，逐渐在当今平板显示市场占据了主导地位。TFT-LCD的主要结构为显示面板，显示面板包括对盒的阵列基板和彩膜基板。阵列基板包括交叉分布的多条栅线和多条数据线，用于限定多个像素区域，每一像素区域包括像素电极和薄膜晶体管，栅线与薄膜晶体管的栅电极电性连接，数据线与薄膜晶体管的源电极电性连接，像素电极与薄膜晶体管漏电极电性连接，通过控制打开薄膜晶体管，向像素电极传输像素电压。为了简化阵列基板的制作工艺，通常会采用半色调或灰色调掩膜板(HTM或GTM)同时形成薄膜晶体管的有源层和源电极、漏电极，具体为：依次形成半导体膜层、源漏金属层；在源漏金属层上涂覆光刻胶，采用半色调或灰色调掩膜板对光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶图形，其中，光刻胶完全保留区域对应源电极和漏电极所在的区域，光刻胶部分保留区域对应有源层的沟道区，光刻胶不保留区域对应其他区域；通过第一次刻蚀工艺形成去除光刻胶不保留区域的半导体膜层、源漏金属层；通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶；通过第二次刻蚀工艺去除光刻胶部分保留区域的源漏金属层；剥离剩余的光刻胶，形成薄膜晶体管的有源层和源电极、漏电极。以上工艺简称为SDT工艺，SDT工艺中，两次刻蚀工艺导致光刻胶易发生剥离，影响产品良率。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，用以解决SDT工艺易发生光刻胶剥离，影响产品良率的问题。为解决上述技术问题，本专利技术实施例中提供一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括多个位于显示区域的像素区域，所述制作方法包括：在每一像素区域形成薄膜晶体管，包括：形成栅电极、形成覆盖栅电极的栅绝缘层，以及在所述栅绝缘层上形成源电极、漏电极和有源层；形成与所述栅电极同层的第一导电层图形；形成与所述源电极和漏电极同层的第二导电层图形，其中，所述栅绝缘层中具有第一过孔，通过一次构图工艺形成所述有源层和第一过孔，所述第二导电层图形通过所述第一过孔与所述第一导电层图形电性接触。本专利技术实施例中还提供一种如上所述的制作方法制得的显示基板，所述显示基板包括多个位于显示区域的像素区域，所述显示基板包括：位于每一像素区域的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、覆盖栅电极的栅绝缘层，以及设置在所述栅绝缘层上的源电极、漏电极和有源层；与所述栅电极同层的第一导电层图形；与所述源电极和漏电极同层的第二导电层图形，其中，所述栅绝缘层中具有第一过孔，所述有源层和第一过孔由一次构图工艺制得，所述第二导电层图形通过所述第一过孔与所述第一导电层图形电性接触。本专利技术实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：上述技术方案中，有源层与源电极和漏电极通过不同的构图工艺形成，以防止出现SDT不良，提高产品的良率，且栅电极位于有源层下方，在形成有源层的过程中在栅绝缘层中形成过孔，从而与源电极、漏电极同层的第二导电层图形和与栅电极同层的第一导电层图形能够通过栅绝缘层中的过孔直接电性接触，简化制作工艺，缺省了桥接线的制作，有利于实现高分辨率和窄边框。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1-图8表示本专利技术实施例中显示基板的制作过程；图9表示本专利技术实施例中第一导电层图形和第二导电层图形通过栅绝缘层中的第一过孔电性连接的结构示意图一；图10表示本专利技术实施例中第一导电层图形和第二导电层图形通过栅绝缘层中的第一过孔电性连接的结构示意图二；图11表示本专利技术实施例中显示基板的制作流程图。具体实施方式下面将结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。实施例一结合图8和图11所示，本实施例中提供一种显示基板的制作方法，用以简化显示基板的制作工艺，并保证产品的品质。所述显示基板包括多个位于显示区域的像素区域，所述制作方法包括：在每一像素区域形成薄膜晶体管，包括：形成栅电极1、形成覆盖栅电极1的栅绝缘层101，以及在栅绝缘层101上形成源电极3、漏电极4和有源层2；形成与栅电极1同层的第一导电层图形5；形成与源电极3和漏电极4同层的第二导电层图形6，其中，栅绝缘层101中具有第一过孔，通过一次构图工艺形成有源层2和第一过孔，第二导电层图形通过所述第一过孔与第一导电层图形5电性接触。上述制作方法在形成有源层的同时，在栅绝缘层中形成过孔，以简化显示基板的制作工艺。而且有源层不与源电极、漏电极通过SDT工艺制作，克服了SDT工艺导致的不良，提高了产品的良率。另外，为了简化工艺，显示基板的显示区域和非显示区域的电性结构通常由形成栅电极的第一导电层和/或形成源电极、漏电极的第二导电层制得，采用本专利技术的技术方案使得与源电极、漏电极同层的第二导电层图形和与栅电极同层的第一导电层图形能够通过栅绝缘层中的过孔直接电性接触，缺省了桥接线的制作，有利于实现高分辨率和窄边框。其中，栅电极的材料可以但并不局限于选择栅金属，源电极、漏电极的材料可以但并不局限于选择源漏金属，栅电极、源电极和漏电极还可以选择其他导电材料，在此不一一列举。本实施例中，源电极3、漏电极4和有源层2形成在栅绝缘层101上，可以为在有源层和栅绝缘层之间形成源电极和漏电极，也可以为在源电极3和漏电极4与栅绝缘层101之间形成有源层2。作为一个具体的实施方式，结合图2-图4所示，通过一次构图工艺形成有源层2和栅绝缘层101中的第一过孔的步骤具体包括：依次形成栅绝缘层101和半导体膜层201，参见图2所示；在半导体膜层201上涂覆光刻胶200，利用灰色调或半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶不保留区域，所述光刻胶完全保留区域对应有源层所在的区域，所述光刻胶不保留区域对应所述第一过孔所在的区域，所述光刻胶部分保留区域对应其他区域，如图2所示；去除所述光刻胶不保留区域的栅绝缘层101和半导体膜层201，形成第一过孔10，如图3所示；通过灰化工艺去除所述光刻胶部分保留区域的光刻胶，并去除所述光刻胶部分保留区域的半导体膜层；剥离剩余的光刻胶，由所述光刻胶完全保留区域的半导体膜层形成有源层2，如图4所示。上述步骤采用HTM或GTM构图工艺同时形成有源层和栅绝缘层中的第一过孔，简化了显示基板的制作工艺。其中，有源层2可由金属氧化物半导体，例如：HIZO、ZnO、TiO2、CdSnO、MgZnO、IGO、IZO、ITO或IGZO。有源层2也可由或硅半导体制得，例如：非晶硅、多晶硅。对于GOA显示基板，在非显示区域制作栅扫描驱动电路的功能膜层，不需要单独的芯片，具有低成本、低功耗、窄边框等优点。栅扫描驱动电路的功能膜层可以由栅金属和/或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括多个位于显示区域的像素区域，所述制作方法包括：在每一像素区域形成薄膜晶体管，包括：形成栅电极、形成覆盖栅电极的栅绝缘层，以及在所述栅绝缘层上形成源电极、漏电极和有源层；形成与所述栅电极同层的第一导电层图形；形成与所述源电极和漏电极同层的第二导电层图形，其特征在于，所述栅绝缘层中具有第一过孔，通过一次构图工艺形成所述有源层和第一过孔，所述第二导电层图形通过所述第一过孔与所述第一导电层图形电性接触。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括多个位于显示区域的像素区域，所述制作方法包括：在每一像素区域形成薄膜晶体管，包括：形成栅电极、形成覆盖栅电极的栅绝缘层，以及在所述栅绝缘层上形成源电极、漏电极和有源层；形成与所述栅电极同层的第一导电层图形；形成与所述源电极和漏电极同层的第二导电层图形，其特征在于，所述栅绝缘层中具有第一过孔，通过一次构图工艺形成所述有源层和第一过孔，所述第二导电层图形通过所述第一过孔与所述第一导电层图形电性接触。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成所述有源层和第一过孔的步骤具体包括：依次形成栅绝缘层和半导体膜层；在所述半导体膜层上涂覆光刻胶，利用灰色调或半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶不保留区域，所述光刻胶完全保留区域对应所述有源层所在的区域，所述光刻胶不保留区域对应所述第一过孔所在的区域，所述光刻胶部分保留区域对应其他区域；去除所述光刻胶不保留区域的栅绝缘层和半导体膜层，形成所述第一过孔；通过灰化工艺去除所述光刻胶部分保留区域的光刻胶，并去除所述光刻胶部分保留区域的半导体膜层；剥离剩余的光刻胶，由所述光刻胶完全保留区域的半导体膜层形成所述有源层。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在非显示区域形成栅扫描驱动电路的功能膜层，所述功能膜层包括第一信号线，所述第一导电层图形包括第一子导电层图形，所述第二导电层图形包括第二子导电层图形；所述第一子导电层图形和第二子导电层图形的延伸方向相同，并通过所述第一过孔并联，形成所述第一信号线。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在所述显示基板的非显示区域形成栅扫描驱动电路的功能膜层，所述功能膜层包括第二信号线和第三信号线，所述第一导电层图形包括第三子导电层图形，所述第二导电层图形包括第四子导电层图形，所述第三子导电层图形形成所述第二信号线，所述第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：张方振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11