A device includes a differential cascode amplifier including a first transistor (304) and a second transistor (306). The device also includes a transistor (320), the transistor (320) comprises a first transistor coupled to the differential cascode amplifier (304) gate terminal (312) of the source terminal. The transistor (320) also includes a second transistor coupled to a differential amplifier (306) gate terminal (314) of the drain terminal.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求来自于2014年4月22日提交的共同拥有的美国非临时专利申请No.14/258,669的优先权,通过引用明确地将其全部内容并入本文中。
本公开总地涉及具有处于断开状态中的一个或多个增益单元的差分共源共栅放大器。
技术介绍
技术的进步已经得到了更小的且更强大的计算设备。例如,当前存在各种便携式个人计算设备,包括无线计算设备,例如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)以及小而轻量级且容易由用户携带的传呼设备。更具体地,便携式无线电话,例如蜂窝电话和互联网协议(IP)电话可以通过无线网络来传送语音和数据分组。另外,许多这样的无线电话包括被合并于其中的其他类型的设备。例如,无线电话还可以包括数字静态相机、数字视频相机、数字记录器和音频文件播放器。此外,这样的无线电话可以处理可执行指令,包括软件应用,例如可以被用于访问互联网的web浏览器应用。因此,这些无线电话可以包括重大计算能力。无线电话或其他无线设备可以包括经由天线发送信号的发射器。信号可以在被天线发送之前,例如在无线设备的功率放大器(PA)级或驱动器放大器(DA)级被放大。PA级(或DA级)可以例如经由变压器被磁性地耦合到天线,并且可以具有使得PA级(或DA级)能够经由变压器将差分放大信号提供到天线的差分共源共栅对(例如,可以包括差分共源共栅晶体管对)。在操作期间,无线设备可以选择性地激活PA级(或DA级)的部分(例如,“单元”)以调节差分放大信号的增益。例如,单元中的晶体管的栅极端子可以当偏置电压具有逻辑高电压电平时被激活或者可以当偏置电压具有逻辑低电压电平(例如,大约零伏特)时 ...
【技术保护点】
一种装置,包括:差分共源共栅放大器,其包括第一晶体管和第二晶体管;以及晶体管,其包括:源极端子,其被耦合到所述差分共源共栅放大器的所述第一晶体管的栅极端子;以及漏极端子,其被耦合到所述差分共源共栅放大器的所述第二晶体管的栅极端子。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.22 US 14/258,6691.一种装置,包括:差分共源共栅放大器,其包括第一晶体管和第二晶体管;以及晶体管,其包括:源极端子,其被耦合到所述差分共源共栅放大器的所述第一晶体管的栅极端子;以及漏极端子,其被耦合到所述差分共源共栅放大器的所述第二晶体管的栅极端子。2.根据权利要求1所述的装置,还包括:第一高阻抗元件,其被耦合到所述源极端子;以及第二高阻抗元件,其被耦合到所述第一高阻抗元件并且被耦合到所述漏极端子。3.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一高阻抗元件包括第一电阻器,并且其中所述第二高阻抗元件包括第二电阻器。4.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一高阻抗元件包括第一电感器,并且其中所述第二高阻抗元件包括第二电感器。5.根据权利要求1所述的装置,其中所述差分共源共栅放大器还包括:第三晶体管,其被耦合到所述第一晶体管;以及第四晶体管,其被耦合到所述第二晶体管,其中所述第一晶体管和所述第三晶体管形成第一共源共栅晶体管对,并且其中所述第二晶体管和所述第四晶体管形成第二共源共栅晶体管对。6.根据权利要求1所述的装置,其中所述第三晶体管的栅极被配置为接收第一差分输入信号,并且其中所述第四晶体管的栅极被配置为接收第二差分输入信号。7.根据权利要求1所述的装置,还包括被耦合到所述差分共源共栅放大器的变压器,其中所述变压器被配置为将所述差分共源共栅放大器的输出提供到天线。8.根据权利要求1所述的装置,还包括功率放大器,其中所述晶体管和所述差分共源共栅放大器被包括在所述功率放大器中。9.根据权利要求1所述的装置,还包括驱动器放大器,其中所述晶体管和所述差分共源共栅放大器被包括在所述驱动器放大器中。10.一种装置,包括:用于放大差分信号的部件,用于放大的所述部件包括具有第一栅极端子的第一晶体管和具有第二栅极端子的第二晶体管;以及用于将所述第一栅极端子选择性地耦合到所述第二栅极端子的部件。...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·N·L·陈,G·S·T·约,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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