【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种物体、方法或制造方法。或者,本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。尤其是,本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、存储装置、它们的驱动方法或其制造方法。尤其是,本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、它们的驱动方法或它们的制造方法。例如,本专利技术涉及一种半导体装置,尤其是在其各像素中设置有晶体管的发光装置。注意,本说明书等中的半导体装置一般是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置。显示装置、发光装置、电光装置、半导体电路以及电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
关于使用发光元件的有源矩阵型发光装置,各制造商已分别研发了互不相同的结构,但是,作为一般的结构,在各像素中至少设置有发光元件、控制对像素的视频信号的输入的晶体管(开关用晶体管)以及控制供应到该发光元件的电流值的晶体管(驱动用晶体管)。并且,通过将设置在像素中的上述所有晶体管的导电型设定为同一导电型,可以在晶体管的制造工序中省略对半导体膜添加赋予一导
电性的杂质元素的工序等一部分工序。在下述专利文献1中,有像素只由n沟道型晶体管构成的发光元件型显示器的记载。在使用发光元件的有源矩阵型的发光装置中,根据图像信号控制供应到发光元件的电流值的晶体管(驱动用晶体管)的阈值电压的不均匀容易影响到发光元件的亮度。为了防止上述阈值电压的不均匀对发光元件的亮度导致的影响,下面的专利文献2公开了如下 ...
【技术保护点】
一种发光装置,包括:包括发光元件、第一晶体管以及第二晶体管的像素;生成包含从所述像素取出的电流值的信号的第一电路;以及根据所述信号校正图像信号的第二电路,其中,所述第一晶体管根据所述图像信号控制对所述发光元件的电流供应,所述第二晶体管控制从所述像素取出电流,并且,所述第一晶体管及所述第二晶体管的每一个的半导体膜包括:与栅电极重叠的第一半导体区域;与源电极或漏电极接触的第二半导体区域;以及位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间且氢浓度高于所述第一半导体区域的浓度及所述第二半导体区域的浓度的第三半导体区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.27 JP 2013-272539;2013.12.27 JP 2013-272531.一种发光装置,包括:包括发光元件、第一晶体管以及第二晶体管的像素;生成包含从所述像素取出的电流值的信号的第一电路;以及根据所述信号校正图像信号的第二电路,其中,所述第一晶体管根据所述图像信号控制对所述发光元件的电流供应,所述第二晶体管控制从所述像素取出电流,并且,所述第一晶体管及所述第二晶体管的每一个的半导体膜包括:与栅电极重叠的第一半导体区域;与源电极或漏电极接触的第二半导体区域;以及位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间且氢浓度高于所述第一半导体区域的浓度及所述第二半导体区域的浓度的第三半导体区域。2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述半导体膜是氧化物半导体膜。3.根据权利要求2所述的发光装置,其特征在于,所述氧化物半导体膜包含铟、锌及M,并且M是Mg、Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf。4.一种电子设备,包括权利要求1所述的发光装置、麦克风及操作键。5.一种发光装置,包括:布线;第一晶体管,该第一晶体管包括第一半导体膜、隔着所述第一半导体膜互相重叠的第一栅电极及第二栅电极;包括第二半导体膜的第二晶体管;第一电容器,该第一电容器配置为保持所述第一晶体管的第一源电极和第一漏电极中的一个与所述第一栅电极之间的电位差;第二电容器,该第二电容器配置为保持所述第一晶体管的所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个与所述第二栅电极之间的电位差;以及所述第一晶体管的漏电流被供应的发光元件,其中,所述第二晶体管控制所述第二栅电极与所述布线之间的导通状态,所述第一半导体膜包括:与所述第一栅电极重叠的第一半导体区域;与所述第一晶体管的所述第一源电极或所述第一漏电极接触的第二半导体区域;以及位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间且氢浓度高于所述第一半导体区域的浓度及所述第二半导体区域的浓度的第三半导体区域,并且,所述第二半导体膜包括:与所述第二晶体管的第三栅电极重叠的第四半导体区域;与所述第二晶体管的第二源电极或第二漏电极接触的第五半导体区域;以及位于所述第四半导体区域与所述第五半导体区域之间且氢浓度高于所述第四半导体区域的浓度及所述第五半导体区域的浓度的第六半导体区域。6.根据权利要求5所述的发光装置,其特征在于,所述第一半导体膜及所述第二半导体膜的每一个是氧化物半导体膜。7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,所述氧化物半导体膜包含铟、锌及M,并且M是Mg、Al、Ti、Ga、Y、Zr、L...
【专利技术属性】
技术研发人员:三宅博之,肥塚纯一,神长正美,岛行德,山崎舜平,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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