发光式封装结构制造技术

一种发光式封装结构，包括：具有分离的两导脚的导线架、结合至该两导脚上的发光元件、以及连接该发光元件与该两导脚的多个导电元件，藉由该两导脚同时承受该发光元件的重量与应力，以平均分布应力，避免该发光式封装结构结合于电路板时发生倾斜问题或墓碑效应(Tombstoning)，并使该发光式封装结构具备优良的光形。

【技术实现步骤摘要】

本技术有关一种封装结构，尤指一种发光式封装结构。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品在型态上趋于轻薄短小，在功能上则逐渐迈入高性能、高功能、高速度化的研发方向，其中，发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)因具有寿命长、体积小、高耐震性及耗电量低等优点，故广泛地应用于照光需求的电子产品中，因此，于工业上、各种电子产品、生活家电的应用日趋普及。一般发光二极管分为垂直(vertical)型、面朝上(face up)型、覆晶(flip chip)型，其中，该垂直型LED的两电极分别位于相对的出光侧(即主要射出光线之侧)与接置侧(即结合至承载件之侧)，面朝上型LED的两电极均位于出光侧，覆晶型LED的两电极均位于接置侧。图1A揭示一种传统面朝上型LED封装结构1的剖面示意图。如图1A所示，该LED封装结构1包括：一导线架10、一发光二极管芯片11、一反射件12以及一硅胶13。所述的导线架10具有多个导脚10a,10b，且该发光二极管芯片11设于其中一导脚10b上。所述的发光二极管芯片11具有相对的出光侧11a与接置侧11b，该出光侧11a具有电极110，以藉由焊线15打线连接至该导脚10a上，且该发光二极管芯片11以其接置侧11b藉由结合层14(如黏胶)结合至该导脚10b上。所述的反射件12嵌设该导线架10，并于上侧围绕该发光二极管芯片11而呈碗状，以供该发光二极管芯片11利用该反射件12的斜面12a朝上(如图所示的箭头)发出光线，且该些导脚10a,10b延伸突出该反射件12下侧。所述的硅胶13形成于该反射件12的碗状中以包覆该发光二极管芯片11与焊线15，其中，该硅胶13表面设有荧光层(图略)、或者该硅胶13中混合有荧光粉。然而，传统LED封装结构1中，该导线架10的热传导路径长及热阻大，且厚度极厚(约0.2㎜)，故该LED封装结构1的散热效果不佳，且不利于微小化的需求。图1B揭示一种悉知EMC(Epoxy Molding Compound)面朝上型LED封装结构1’的剖面示意图。如图1B所示，该LED封装结构1’包括：一导线架10’、一发光二极管芯片11、一反射件12以及一环氧树脂(Epoxy)13’。所述的导线架10’具有一置晶垫100及一导脚101，且该发光二极管芯片11设于该置晶垫100上。所述的发光二极管芯片11具有相对的出光侧11a与接置侧11b，该出光侧11a具有电极110，以藉由焊线15打线连接至该导脚101上，且该发光二极管芯片11以其接置侧11b藉由结合层14(如黏胶)结合至该置晶垫100上，其中，该置晶垫100承载整个发光二极管芯片11，故该置晶垫100的版面面积大于该导脚101的版面面积，如图1B’所示。所述的反射件12设于该导线架10’的上、下侧，并于上侧围绕该发光二极管芯片11而呈碗状，以供该发光二极管芯片11利用该反射件12的斜面12a朝上(如图所示的箭头)发出光线，且于下侧露出该置晶垫100的下表面与该导脚101的下表面。所述的环氧树脂13’形成于该反射件12的碗状中以包覆该发光二极管芯片11与焊线15，其中，该环氧树脂13’表面设有荧光层(图略)、或者该环氧树脂13’中混合有荧光粉。然而，悉知LED封装结构1’中，该发光二极管芯片11仅设于该置晶垫100上，故该置晶垫100的载重与应力均大于该导脚101的载重与应力，致使应力分布不平均，导致后续利用表面贴焊技术(Surface Mount Technology，简称SMT)制程，将该LED封装结构1’设于电路板(图略)上的过程中，结合于该置晶垫100下侧与该导脚101下侧的焊锡(图略)容易产生共面性(coplanarity)不良，因而使该LED封装结构1’倾斜设置于该电路板上。此外，因该置晶垫100的矩形版面面积大于该导脚101的矩形版面面积，故于后续进行SMT制程时，结合于该置晶垫100下侧的焊锡的体积会大于结合于该导脚101下侧的焊锡的体积，导致该些焊锡的体积及高度的差距大，致使该些焊锡也容易产生共面性不良，因而使该LED封装结构1’倾斜设置于该电路板上。又，该导线架10’的厚度也很厚，致使该置晶垫100与该导脚101之间的距离也难以缩小，故不利于微小化的需求。因此，如何克服悉知技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述悉知技术的缺失，本技术提供一种发光式封装结构，避免该发光式封装结构结合于电路板时发生倾斜问题或墓碑效应。本技术的发光式封装结构包括：导线架，其具有两导脚，且该两导脚之间具有缝隙；发光元件，其具有相对的出光侧与接置侧，其中该接置侧跨越该缝隙而结合至该两导脚上；以及多个导电元件，其连接该发光元件与该导脚。前述的发光式封装结构中，该两导脚的版面面积为相同。前述的发光式封装结构中，该两导脚的版面形状为相同。前述的发光式封装结构中，该出光侧具有多个电极。前述的发光式封装结构中，该接置侧具有多个电极。前述的发光式封装结构中，该导电元件为焊线。例如，所述焊线连接对向的该导脚。前述的发光式封装结构中，还包括设于该导线架上并围绕该发光元件的反射件。前述的发光式封装结构中，还包括包覆该发光元件与所述焊线的封装层。前述的发光式封装结构中，还包括设于该封装层上的荧光层，亦或该封装层中含有荧光粉。前述的发光式封装结构中，该发光元件的表面具有荧光层。前述的发光式封装结构中，还包括结合该导线架的绝缘层，且令该导线架的部分表面外露于该绝缘层。由上可知，本技术的发光式封装结构，主要藉由将该发光元件的接置侧结合至该两导脚上，使该两导脚均承受该发光元件的重量与应力，以平均分布应力，故相较于悉知技术，于后续SMT制程中，结合于该两导脚下侧的焊锡的共面性良好，因而能避免该发光式封装结构于电路板上发生倾斜或墓碑效应(Tombstoning)的问题。所谓的墓碑效应为元件两端的金属接点与板面焊垫之间在焊锡性上可能有差异存在或两端散热的速率不同，导致焊锡的固化速率不同，故当经红外线或热熔焊后，会出现一端焊牢而另一端被拉起的现象。此外，该两导脚的版面面积为相同或接近，故于后续进行SMT制程时，结合于该两导脚下侧的焊锡的体积及高度大致相同，使该些焊锡的共面性良好，因而能避免该发光式封装结构于电路板上发生倾斜的问题。又，本技术的导线架的热传导路径极短及热阻极小，且厚度极薄，故该发光式封装结构的散热效果极佳，且符合微小化的需求。另外，本技术的发光元件因跨设于该两导脚上，使该发光元件较容易设于该发光式封装结构的中间处，故对于该出光侧的上方，该发光元件的出光侧所发出的光线能均匀分布，使该发光式封装结构的光形较佳。附图说明图1A为悉知LED封装结构的剖面示意图；图1B为另一悉知LED封装结构的剖面示意图；图1B’为图1B的LED封装结构的导线架的下视图；图2A为本技术的发光式封装结构的第一实施例的剖面示意图；图2A’为本技术的发光式封装结构的导线架的下视图；图2B为图2A的另一实施例；图3为本技术的发光式封装结构的第二实施例的剖面示意图；以及图3’为图3的另一实施例。符号说明1,1’ LED封装结构10,10’,20 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光式封装结构，其特征为，该结构包括：导线架，其具有两导脚，且该两导脚之间具有缝隙；发光元件，其具有相对的出光侧与接置侧，其中该接置侧跨越该缝隙而结合至该两导脚上；以及多个导电元件，其连接该发光元件与该导脚。

【技术特征摘要】
2016.04.18 TW 1052053781.一种发光式封装结构，其特征为，该结构包括：导线架，其具有两导脚，且该两导脚之间具有缝隙；发光元件，其具有相对的出光侧与接置侧，其中该接置侧跨越该缝隙而结合至该两导脚上；以及多个导电元件，其连接该发光元件与该导脚。2.根据权利要求1所述的发光式封装结构，其特征为，该两导脚的版面面积相同。3.根据权利要求1所述的发光式封装结构，其特征为，该两导脚的版面形状为相同。4.根据权利要求1所述的发光式封装结构，其特征为，该出光侧具有多个电极。5.根据权利要求1所述的发光式封装结构，其特征为，该接置侧具有多个电极。6.根据权利要求1所述的发光式封装结构，其特征为，该导...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜立盛，
申请(专利权)人：群汇管理顾问有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71