一种发光二极管封装结构，包括基板以及设置在基板上的发光二极管芯片，所述基板上间隔设置有第一焊接区及第二焊接区，所述发光二极管芯片包括间隔设置的第一电极及第二电极，所述第一电极与第二电极对称设置且面积相等，所述第一电极及第二电极分别与所述第一焊接区及第二焊接区对应焊接。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种半导体元件，尤其设及一种发光二极管。
技术介绍
传统的发光二极管封装结构包括基板W及设置在基板上的发光二极管忍片。所述 基板包括焊接发光二极管忍片的焊接区。所述发光二极管忍片焊接至基板的焊接区时易于 偏离焊接区，导致整个发光二极管封装结构的品质下降。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种品质较高的发光二极管封装结构。 一种发光二极管封装结构，包括基板W及设置在基板上的发光二极管忍片，所述 基板上间隔设置有第一焊接区及第二焊接区，所述发光二极管忍片包括间隔设置的第一电 极及第二电极，所述第一电极与第二电极对称设置且面积相等，所述第一电极及第二电极 分别与所述第一焊接区及第二焊接区对应焊接。 阳〇化]一种发光二极管封装结构，包括基板W及设置在基板上的发光二极管忍片，所述 基板包括第一焊接区、第二焊接区W及第=焊接区，所述发光二极管忍片包括与所述第一、 第二W及第=焊接区对应焊接的第一电极、第二电极W及第=电极，所述第一电极与第= 电极对称地设置在第二电极的相对两侧且所述第一电极的面积等于所述第=电极的面积。 本专利技术的发光二极管封装结构中，由于所述发光二极管忍片的电极对称设置且面 积相等，从而使得发光二极管忍片焊接至所述基板的过程中发光二极管忍片受力平衡及力 矩平衡而不易自所述基板的焊接区偏离，提高了发光二极管封装结构的品质。【附图说明】 图1为本专利技术第一实施例的发光二极管封装结构的安装示意图。图2为图1所示的发光二极管封装结构的基板的俯视图。 图3为图1所示的发光二极管封装结构的发光二极管忍片的底面示意图。 图4为本专利技术第二实施例的发光二极管封装结构的安装示意图。 图5为图4所示的发光二极管封装结构的基板的俯视图。 图6为图4所示的发光二极管封装结构的发光二极管忍片的底面示意图。 图7为图4所示的发光二极管封装结构的另一基板的俯视图。图8为本专利技术的第=实施例的发光二极管封装结构的基板的俯视图。 图9为本专利技术的第=实施例的发光二极管封装结构的发光二极管忍片的底面示 意图。 阳OW 主要元件符号说明_ 如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本专利技术。【具体实施方式】 第一实施例 请参见图1，本实施例的发光二极管封装结构100包括基板10W及设置在基板10上 的发光二极管忍片20,所述基板10上间隔设置有第一焊接区11及第二焊接区12,所述发 光二极管忍片20包括间隔设置的第一电极21及第二电极22,所述第一电极21与第二电 极22对称设置且面积相等，所述第一电极21及第二电极22分别与所述第一焊接区11及 第二焊接区12对应焊接。 所述基板10可为任一种可在其表面或内部进行布线设计的板体。本实施例中，所 述基板10可为普通的印刷电路板、柔性电路板、PLCC(PlasticLeaded化ipCarrier)或者 陶瓷基板。 所述基板10包括焊接面101W及与该焊接面101相对的底面102。所述第一焊接 区11、第二焊接区12分别设置在基板10的焊接面101。优选地，所述第一焊接区11与第 二焊接区12对称设置，且第一焊接区11的面积等于所述第二焊接区12的面积。 请参见图2,所述第一焊接区11与第二焊接区12之间形成第一间隔区111。所述 第一间隔区111内可填充有绝缘材料120。所述绝缘材料120可由防焊或者斥水性高的材 料组成。 请参见图1及图3,所述发光二极管忍片20的第一电极21与第二电极22分别与 所述基板10的第一焊接区11及第二焊接区12 -一对应设置。所述第一电极21及第二电 极22的尺寸与所述基板10的第一焊接区11及第二焊接区12的尺寸相当。 所述第一电极21与所述第二电极22之间形成第一间隔槽221。所述第一间隔槽 221内可填充有绝缘材料120。所述第一间隔槽221与基板10上的第一间隔区111对应设 置。 所述发光二极管忍片20焊接至所述基板10的过程中，烙融的焊料会受到基板10 上的第一焊接区11、第二焊接区12W及发光二极管忍片20的第一电极21及第二电极22 的吸引，而受到第一间隔区111及第一间隔槽221的排斥。由于发光二极管忍片20的第一 电极21及第二电极22对称地设置在第一间隔槽221的相对两侧且面积相等，从而使得发 光二极管忍片20在焊接的过程中受力平衡及力矩平衡，进而使得发光二极管忍片20不会 自所述第一焊接区11、第二焊接区12偏离，也即，发光二极管忍片20的第一电极21、第二 电极22能够正对地焊接至与之相应的第一焊接区11及第二焊接区12上，提升了整个发光 二极管封装结构100的品质。第二实施例 请参见图4,本实施例中的发光二极管封装结构IOOa中，所述发光二极管忍片20a包括 第一电极2la、第二电极22a及第=电极23日，所述第一电极21a及第=电极23a对称地设 置在所述第二电极22a的相对两侧，且所述第一电极21a的面积等于所述第=电极23a的 面积。请参见图6,所述第一电极21a与所述第二电极22a之间形成第一间隔槽221曰。所 述第二电极22a与所述第=电极23a之间形成第二间隔槽222a。所述第一间隔槽221a与 所述第二间隔槽222a内可填充有绝缘材料120。 相应地，请参见图5,所述基板IOa的焊接面IOla设置有第一焊接区11曰、第二焊 接区12aW及第=焊接区13a。所述第一焊接区11a、第二焊接区12aW及第=焊接区13a分别与所述第一电极21a、第二电极22当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括基板以及设置在基板上的发光二极管芯片，所述基板上间隔设置有第一焊接区及第二焊接区，所述发光二极管芯片包括间隔设置的第一电极及第二电极，所述第一电极与第二电极对称设置且面积相等，所述第一电极及第二电极分别与所述第一焊接区及第二焊接区对应焊接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨政华，张忠民，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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