本发明专利技术公开了一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，所述N型半导体层和P型半导体层上分别设置有金属电极，LED晶圆外通过光刻工艺设置有透明绝缘的光阻层。本发明专利技术还提供了上述LED发光芯片制作方法。本发明专利技术的LED发光芯片采用透明绝缘的光阻层直接覆盖LED晶圆，光阻层取代钝化层起保护作用，简化LED芯片的结构；由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀，能更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED领域，具体涉及一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片及其制作方法。
技术介绍
LED发光芯片具有体积小、能耗低、寿命长以及环保等优点，广泛应用于照明领域。LED芯片的主体是一个发光PN结，主要由N型半导体、和P型半导体组成，所述N型半导体和P型半导体上分别设置有金属电极。现有的LED芯片一般在发光PN结外覆盖一层钝化层(S1jl)，起保护作用，光阻层(由光刻胶形成)设置在钝化层外。由于现有的LED芯片在制作过程中需要分别添加钝化层和光阻层，之后还需对金属电极上方的光阻层和钝化层分别进行蚀刻，使金属电极外露，工序繁琐，制作麻烦，增加成本；此外，由于S12是硬性材料，抗冲击、抗压的能力较差，钝化层不能很好起到保护作用。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片，利用软性材料的光刻胶取代钝化层对LED芯片的主体进行保护，简化芯片结构；此外，本专利技术还提供了一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片制作方法。本专利技术为解决其技术问题采用的技术方案是: 一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，所述N型半导体层和P型半导体层上分别设置有金属电极，还包括通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外形成的光阻层。作为上述技术方案的进一步改进，所述光阻层上设置有使金属电极外露的缺口。—种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片制作方法，包括以下步骤: 51、准备一衬底，在衬底上方设置N型半导体层，在N型半导体层上方设置发光层，且N型半导体层部分暴露在发光层外，在发光层上设置P型半导体层，得到LED晶圆； 52、通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外，形成光阻层。作为上述技术方案的进一步改进，上述步骤S2中，光刻前先在P型半导体层和N型半导体层的暴露区上分别设置金属电极，光刻后采用显影液蚀刻掉金属电极上方的光阻层，使金属电极从光阻层的缺口中外露。作为上述技术方案的进一步改进，上述步骤S2中，光刻后采用显影液把P型半导体层和N型半导体层的暴露区上需要制作电极的区域的光阻层蚀刻掉，在外露的N型半导体层和P型半导体层上分别设置金属电极。本专利技术的有益效果是: 本专利技术采用透明绝缘的光阻层直接覆盖LED晶圆，光阻层取代钝化层起保护作用，简化LED芯片的结构；由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的3102更为优秀，能更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了 LED芯片的生产效率，并降低制造成本。【附图说明】以下结合附图和实例作进一步说明。图1是本专利技术的一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片的结构示意图。【具体实施方式】参照图1，本专利技术提供的一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片，包括衬底10，衬底10上由下向上依次设置有N型半导体层20、发光层30和P型半导体层40，形成LED晶圆，其中N型半导体层20上设置有与电源负极连接的金属电极52，P型半导体层40上设置有与电源正极连接的金属电极51。LED晶圆外直接覆盖有透明绝缘的光阻层60，光阻层60上对应两个金属电极51、52分别设置有使金属电极51、52外露的缺口。本专利技术还提供了一种制作上述采用光刻胶作保护层的LED发光芯片的方法，包括以下步骤:首先，准备一衬底10，在衬底10上方设置N型半导体层20，在N型半导体层20上方设置发光层30，且N型半导体层20部分暴露在发光层30外，在发光层30上设置P型半导体层40，得到LED晶圆；在N型半导体层20的暴露区上设置金属电极52，在P型半导体层40上设置金属电极51 ;通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外，形成光阻层60 ;米用显影液蚀刻掉金属电极51、52上方的光阻层60，使金属电极51、52从光阻层60的缺口中外露。此外，本专利技术还提供了另一种制作上述采用光刻胶作保护层的LED发光芯片的方法，可起到相同的效果，该方法包括以下步骤:首先，准备一衬底10，依次在衬底10上制作N型半导体层20、发光层30和P型半导体层40，N型半导体层20部分暴露在发光层30外，形成LED晶圆；通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外，形成光阻层60 ;采用显影液把N型半导体层20的暴露区和P型半导体层40上需要制作电极的区域的光阻层60蚀刻掉；在外露的N型半导体层20上设置金属电极52，并在外露的P型半导体层40上设置金属电极51。本专利技术的LED发光芯片采用透明绝缘的光阻层60直接覆盖LED晶圆，光阻层60取代钝化层起保护作用，简化LED芯片的结构；由于光阻层60是采用软性的光刻胶制作而成，抗冲击、抗压的能力比硬性材料的S12更为优秀，能更好的起到保护作用；光阻层60取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了 LED芯片的生产效率，并降低制造成本。以上所述，只是本专利技术的较佳实施例而已，本专利技术并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本专利技术的技术效果，都应属于本专利技术的保护范围。【主权项】1.一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片，包括衬底(10)，所述衬底(10)上依次设置有N型半导体层(20)、发光层(30)和P型半导体层(40)，形成LED晶圆，所述N型半导体层(20)和P型半导体层(40)上分别设置有金属电极(51 ;52)，其特征在于:还包括通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外形成的光阻层(60)。2.根据权利要求1所述的一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片，其特征在于:所述光阻层(60)上设置有使金属电极(51 ;52)外露的缺口。3.一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 51、准备一衬底(10)，在衬底(10)上方设置N型半导体层(20)，在N型半导体层(20)上方设置发光层(30 )，且N型半导体层(20 )部分暴露在发光层(30 )外，在发光层(30 )上设置P型半导体层(40)，得到LED晶圆； 52、通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外，形成光阻层(60)。4.根据权利要求3所述的一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片制作方法，其特征在于，上述步骤S2中，光刻前先在P型半导体层(40)和N型半导体层(20)的暴露区上分别设置金属电极(51 ;52)，光刻后米用显影液蚀刻掉金属电极(51 ;52)上方的光阻层(60)，使金属电极(51 ；52)从光阻层(60)的缺口中外露。5.根据权利要求3所述的一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片制作方法，其特征在于，上述步骤S2中，光刻后采用显影液把P型半导体层(40)和N型半导体层(20)的暴露区上需要制作电极的区域的光阻层(60)蚀刻掉，在外露的N型半导体层(20)和P型半导体层(40)上分别设置金属电极(51 ;52)。【专利摘要】本专利技术公开了一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆，所述N型半导体层和P型半导体层上分别设置有金属电极，L本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种采用光刻胶作保护层的LED发光芯片，包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N型半导体层（20）、发光层（30）和P型半导体层（40），形成LED晶圆，所述N型半导体层（20）和P型半导体层（40）上分别设置有金属电极（51；52），其特征在于：还包括通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在LED晶圆外形成的光阻层（60）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：易翰翔，郝锐，刘洋，许徳裕，
申请(专利权)人：广东德力光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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