存储设备以及存储方法技术

本发明专利技术实施例提出了一种存储设备以及存储方法，存储设备包括：控制模块和存储块，所述存储块由相变材料制成，所述存储块包括多个位线，所述控制模块，用于获取所述多个位线的每个位线上的待写数据，进一步用于沿着所述每个位线将所述待写数据中的至少一组连续的0同时写入到所述存储块。本发明专利技术实施例中，存储设备中的控制模块通过沿着位线将待写数据中的至少一组连续的0同时写入，能够减小热串扰的影响。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储设备以及存储方法
本专利技术实施例涉及通信领域，并且更具体地，涉及一种存储设备以及存储方法。
技术介绍
相变存储器(PhaseChangeMemory，PCM)技术是一种非易失性存储技术，主要原理是利用相变材料在晶态和非晶态下阻值的差异，作为信息中的0和1的存储。晶态表现为低阻特性，也称为1状态；非晶态表现为高阻特性，也称为0状态。在断电状态下，晶态和非晶态不会改变，因此可以作为一种很好的非易失性存储技术。PCM中相变材料的晶态和非晶态的变化可以通过电脉冲来控制。相变材料从晶态到非晶态所需的电脉冲为复位脉冲(resetcurrentpulse)，也称为写0过程。相变材料从非晶态到晶态所需的电脉冲为置位脉冲(setcurrentpulse)，也称为写1过程。其中，写0过程所需的热量大于写1过程所需的热量。而读取相变材料的状态所需的电脉冲为读脉冲(readcurrentpulse)，读脉冲的电流较小，不会影响相变材料的状态发生改变。在PCM中，由于相变材料和位线(bitline)直接相连，因此在写操作时会引起热量沿着位线向相邻的同一个位线上的存储单元散发，并影响相应单元的晶态或非晶态。这种现象称为热串扰。例如，若对一个PCM单元进行写0操作，由于写0操作所需的热量较大，而该热量会沿着位线散发到与该一个PCM单元在位线上相邻的另一个PCM单元。由于能量损耗，散发到该另一个PCM单元时的热量会小于写0操作所需的热量，但是可能会大于或等于写1操作所需的热量。因此，该另一个PCM单元中的相变材料会被逐渐晶化，进一步该另一个PCM单元被执行了写1操作。热串扰现象会严重影响PCM写过程的准确度，而且随着集成密度的升高，热串扰现象会更加严重。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种存储设备以及存储方法，能够减小热串扰的影响。第一方面，提供了一种存储设备，包括：控制模块和存储块，所述存储块由相变材料制成，所述存储块包括多个位线，所述控制模块，用于获取所述多个位线的每个位线上的待写数据，进一步用于沿着所述每个位线将所述待写数据中的至少一组连续的0同时写入到所述存储块。结合第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述存储块还包括多个字线，所述控制模块，具体用于沿着所述每个位线，同时激活所述多个字线中的与所述待写数据中的至少一组连续的0对应的字线上的选择信号，并且在所述每个位线上输入写0脉冲。结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述控制模块，具体用于沿着所述每个位线，同时激活所述多个字线中的与所述待写数据中的所有的0对应的字线上的选择信号，并且在所述每个位线上输入写0脉冲。结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述控制模块，还用于依次激活或者同时激活所述多个字线中的与所述待写数据中除所述至少一组连续的0之外的单比特的0对应的字线上的选择信号，并且在所述每个位线上输入写0脉冲。结合第一方面或者上述任一种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述控制模块，还用于沿着所述每个位线将所述待写数据中的1写入到所述存储块。结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述存储块还包括多个字线，所述控制模块，具体用于沿着所述每个位线，依次激活或者同时激活所述多个字线中的与所述待写数据中的1对应的字线上的选择信号，并且在所述每个位线上输入写1脉冲。第二方面，提供了一种计算机，包括处理器，以及第一方面的任一种可能的实现方式所述的存储设备，所述存储设备从所述处理器接收指令。第三方面，提供了一种存储方法，包括：获取相变存储器PCM的每个位线上的待写数据；沿着所述每个位线将所述待写数据中的至少一组连续的0同时进行写入。结合第三方面，在第一种可能的实现方式中，所述沿着所述每个位线将所述待写数据中的至少一组连续的0同时进行写入，包括：沿着所述每个位线，同时激活与所述待写数据中的至少一组连续的0同时对应的字线上的选择信号；在所述每个位线上输入写0脉冲。结合第三方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述沿着所述每个位线，同时激活与所述待写数据中的至少一组连续的0同时对应的字线上的选择信号，包括：沿着所述每个位线，同时激活与所述待写数据中的所有的0对应的字线上的选择信号。结合第三方面的第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，还包括：依次激活或者同时激活与所述待写数据中除所述至少一组连续的0之外的单比特的0对应的字线上的选择信号；在所述每个位线上输入写0脉冲。结合第三方面或者上述任一种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，在所述沿着所述每个位线将所述待写数据中的至少一组连续的0同时进行写入之前，还包括：沿着所述每个位线将所述待写数据中的1进行写入。结合第三方面或者上述任一种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，在所述沿着所述每个位线将所述待写数据中的至少一组连续的0同时进行写入之后，还包括：沿着所述每个位线将所述待写数据中的1进行写入。结合第三方面的第四种可能的实现方式或者第三方面的第五种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，所述沿着所述每个位线将所述待写数据中的1进行写入，包括：沿着所述每个位线，依次激活或者同时激活与所述待写数据中的1对应的字线上的选择信号；在所述每个位线上输入写1脉冲。第四方面，提供了一种存储设备的读取方法，包括：接收读取指令；确定与所述读取指令指示的数据对应的至少一个字线和至少一个位线；激活所述至少一个字线中的一个字线上的选择信号；在所述至少一个位线上输入读脉冲。本专利技术实施例中，存储设备中的控制模块通过沿着位线将待写数据中的至少一组连续的0同时写入，能够减小热串扰的影响。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是相变存储器的阵列结构的示意图的一例。图2是本专利技术一个实施例的存储设备的结构图。图3是本专利技术一个实施例的计算机的结构图。图4是本专利技术一个实施例的存储方法的流程图。图5是本专利技术一个实施例的存储设备的读取方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意，本专利技术实施例中，写0脉冲也可称为复位脉冲，写1脉冲也可称为置位脉冲。图1是相变存储器的阵列结构的示意图的一例。图1示出的相变存储器的阵列结构包含N个位线和M个字线，其中，M和N为自然数。图1所示出的PCM单元的个数为M×N。每一个PCM单元中的相变材料和位线直接相连。如图1所示，位线1、位线2、字线1和字线2之间的PCM单元为单元A，该单元A与位线1直接相连。同时，图1中示出了与该单元A沿着位线1的相邻的PCM单元为单元B。假设单元A所对应的比特位的原值为1，单元B所对应的比特位的原值为0。如果需要将单元A所对应的比特位的值写成本文档来自技高网...

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储设备，其特征在于，包括：控制模块和存储块，所述存储块由相变材料制成，所述存储块包括多个位线，所述控制模块，用于获取所述多个位线的每个位线上的待写数据，进一步用于沿着所述每个位线将所述待写数据中的至少一组连续的0同时写入到所述存储块。2.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，所述存储块还包括多个字线，所述控制模块，具体用于沿着所述每个位线，同时激活所述多个字线中的与所述待写数据中的至少一组连续的0对应的字线上的选择信号，并且在所述每个位线上输入写0脉冲。3.根据权利要求2所述的存储设备，其特征在于，所述控制模块，具体用于沿着所述每个位线，同时激活所述多个字线中的与所述待写数据中的所有的0对应的字线上的选择信号，并且在所述每个位线上输入写0脉冲。4.根据权利要求2所述的存储设备，其特征在于，所述控制模块，还用于依次激活或者同时激活所述多个字线中的与所述待写数据中除所述至少一组连续的0之外的单比特的0对应的字线上的选择信号，并且在所述每个位线上输入写0脉冲。5.根据权利要求1至4任一项所述的存储设备，其特征在于，所述控制模块，还用于沿着所述每个位线将所述待写数据中的1写入到所述存储块。6.根据权利要求5所述的存储设备，其特征在于，所述存储块还包括多个字线，所述控制模块，具体用于沿着所述每个位线，依次激活或者同时激活所述多个字线中的与所述待写数据中的1对应的字线上的选择信号，并且在所述每个位线上输入写1脉冲。7.一种计算机，其特征在于，包括处理器，以及权利要求1至6任一项所述的存储设备，所述存储设备从所述处理器接收指令。8.一种存储方法，其特征在于，包括：获取相变存储器PCM的每个位线上的待写数据；沿着所述每个位线将所述待写...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐君，徐荣刚，赵俊峰，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44