一种白光LED器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种白光LED器件，包括透明容纳件、LED芯片、及用于粘接LED芯片和透明容纳件的荧光胶层，所述透明容纳件设有第一容纳槽、及由所述第一容纳槽的底面凹陷形成的第二容纳槽，所述第二容纳槽的底面面积小于所述第一容纳槽的底面面积，所述荧光胶层设于所述第二容纳槽，所述LED芯片设于所述第一容纳槽，LED芯片、荧光胶层二者相对的表面相粘接。本实用新型专利技术提供的白光LED器件有助于实现荧光胶层的薄型化，从而避免荧光胶层过厚而引起的可靠性失效问题，而且该白光LED器件具有较强的机械强度。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于LED
，具体涉及一种白光LED器件。
技术介绍
白光LED芯片是采用Chip Scale Package (以下简称为“CSP”)技术实现的可以直接发白光的LED芯片，该类芯片具有体积小、发光角度大、可耐大电流驱动、制造成本低、方便下游客户灯具设计等优点。当前LED白光芯片的普遍结构特征包括:倒装芯片结构，电极设置在底部，正上表面和4个侧面均包覆荧光粉。正上表面和四个侧面的荧光粉层普遍采用Molding和压合半固化的荧光片工艺来实现的，正上表面和四个侧面的荧光粉层是相同材料一体成型的结构。该结构的白光LED器件在大电流驱动下芯片上方温度过高引起荧光胶体出现发黄、开裂甚至发黑的现象。公开号为CN 102479785 A的中国专利申请中介绍了一种具有沉积式荧光披覆层的发光结构及其制作方法，实现了薄型化的荧光粉层分布。申请号为201410038643.5的中国专利申请中实现了荧光粉层与透明封装胶分离分别封装，故避免了荧光粉层过厚的问题。目前LED封装普遍采用硬度偏软的有机硅材料，受到外界的机械强度冲击后很容易引起遭受到破坏。申请号为201210187387.7的中国专利申请中公开了一种把荧光粉、玻璃粉和浆料添加剂混合，并烧制成玻璃荧光片的封装方法，可增加封装后的器件强度。
技术实现思路
为弥补现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种白光LED器件，本技术提供的白光LED器件有助于实现荧光胶层的薄型化，从而避免荧光胶层过厚而引起的可靠性失效问题，而且该白光LED器件具有较强的机械强度。本技术为达到其目的，采用的技术方案如下:—种白光LED器件，包括透明容纳件、LED芯片、及用于粘接LED芯片和透明容纳件的荧光胶层，所述透明容纳件设有第一容纳槽、及由所述第一容纳槽的底面凹陷形成的第二容纳槽，所述第二容纳槽的底面面积小于所述第一容纳槽的底面面积，所述荧光胶层设于所述第二容纳槽，所述LED芯片设于所述第一容纳槽，LED芯片、荧光胶层二者相对的表面相粘接。进一步的，所述透明容纳件其材质为玻璃、透明陶瓷、高分子透明树脂材料中一种。优选的，第二容纳槽的深度为20?200 μ m，所述荧光胶层的厚度为20?200 μ m。进一步的，所述荧光胶层的厚度小于等于第二容纳槽深度的30%。进一步的，第二容纳槽的底面面积为LED芯片底面面积的1.0?1.2倍。进一步的，第一容纳槽的底面面积和第二容纳槽底面面积的比值大于1，且小于1.2。优选的，所述LED芯片为倒装型LED芯片，所述倒装型LED芯片和所述荧光胶层倒装粘接。优选的，所述倒装型LED芯片包括外延衬底层、生长于所述外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长于N型氮化镓层部分上表面的发光层、及生长于N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层，还包括生长于发光层上表面的P型氮化镓层、生长于P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，在P型氮化镓层、P型欧姆接触层、N型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面设置有绝缘层，在对应于P型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第一通孔，在对应于N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二通孔，在绝缘层上表面设有互相分离的P电极键合层和N电极键合层，所述P电极键合层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接，所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接触层电连接；所述倒装LED芯片的外延衬底层和所述荧光胶层粘接。本技术提供的技术方案具有如下有益效果:本技术的白光LED器件，其荧光胶层即可作为光转换层，同时也发挥着粘接LED芯片的作用，通过第二容纳槽可很好的控制荧光胶层的厚度，可使荧光胶层厚度变薄，散热效果更好。另外，和荧光胶层底面接触的透明容纳件类似于在荧光胶层外加的一层透明层，可起到保护作用，使其抗外界机械强度增加。【附图说明】图1是透明容纳件阵列的剖视图示意图；图2是多个透明容纳件的一种阵列式分布示意图；图3是制备流程不意图；图4是切割示意图；图5是白光LED器件结构示意图；图6是倒装LED芯片的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术的技术方案做进一步说明:实施例1本实施例提供一种白光LED器件，其结构示意图参见图5。该白光LED器件800包括透明容纳件200、LED芯片400、和荧光胶层700。其中，透明容纳件200设有第一容纳槽201、第二容纳槽202，第二容纳槽202为由第一容纳槽201的底面凹陷形成，第二容纳槽202的底面面积小于第一容纳槽201的底面面积，第一容纳槽201和第二容纳槽202衔接处形成台阶。荧光胶层700设于第二容纳槽202，LED芯片400设于第一容纳槽201，且LED芯片400、荧光胶层700 二者相对的表面互相粘接。其中荧光胶层700采用本
现有荧光胶经加热固化形成。荧光胶层700可以充当光转换层，其亦发挥着粘接LED芯片400和透明容纳件的作用。优选的，透明容纳件200的第二容纳槽202的深度优选为20?200 μ m，荧光胶层700的厚度优选为20?200 μ m。优选的，荧光胶层700的厚度小于等于第二容纳槽202的深度的30%。具体的，第二容纳槽202的底面面积可为LED芯片400底面面积的1.0?1.2倍。优选的，第一容纳槽201的底面面积和第二容纳槽202底面面积的比值大于1，且小于1.2。第一容纳槽201、第二容纳槽202的形状均可呈长方体形。优选的，LED芯片400为倒装型LED芯片，倒装LED芯片和荧光胶层倒装粘接，该倒装型LED芯片可以采用现有的倒装型LED芯片。作为优选的，该倒装型LED芯片其结构示意图如图6所示(下文中所称的“上表面”均以图6所示为准)，该倒装型LED芯片400包括外延衬底层401、生长于所述外延衬底层401上表面的N型氮化镓层当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光LED器件，其特征在于，包括透明容纳件、LED芯片、及用于粘接LED芯片和透明容纳件的荧光胶层，所述透明容纳件设有第一容纳槽、及由所述第一容纳槽的底面凹陷形成的第二容纳槽，所述第二容纳槽的底面面积小于所述第一容纳槽的底面面积，所述荧光胶层设于所述第二容纳槽，所述LED芯片设于所述第一容纳槽，LED芯片、荧光胶层二者相对的表面相粘接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：万垂铭，姜志荣，姚述光，曾照明，侯宇，肖国伟，
申请(专利权)人：晶科电子广州有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44