发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极管封装结构。本发明专利技术的发光二极管封装结构包括承载基座、发光二极管以及静电保护组件。承载基座包括彼此分离的二支架及反射构件。反射构件包覆支架且暴露出每一支架的承载面。反射构件具有凹槽，且凹槽的底面与每一支架的承载面切齐。发光二极管配置于凹槽内且跨接在支架上。静电保护组件配置于凹槽内且跨接在支架上。发光二极管与静电保护组件反向并联。本发明专利技术的发光二极管封装结构具有较佳的发光效率与配置方式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种封装结构，且特别是有关于一种发光二极管封装结构。
技术介绍
发光二极管具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。虽然发光二极管具有上述众多优点，但却常因异常电压或静电放电(electrostatic discharge,简称ESD)而损坏。在现有技术中，为了避免发光二极管因异常电压或静电放电而损坏，而将发光二极管与静电防护组件，例如是齐纳二极管(Zener d1de)同时设置在同一承载基板上，且发光二极管与齐纳二极管是通过电极反向相连接，来避免发光二极管受到异常电压或静电放电的破坏。然而，现有的承载基板上的二支架的长边与短边的尺寸较为接近(如长边与短边的比例为1.2:1)，因此最多仅可让发光二极管跨接在二支架上，而静电防护组件配置在其中一个支架上并通过金属接线的方式与另一支架连接。然而，这样以金属接线连接的方式，很有可能因为齐纳二极管与金属接线之间的连接不牢固而导致断路，进而使齐纳二极管无法发挥其稳压的作用。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光二极管封装结构，其具有较佳的发光效率与配置方式。本专利技术的发光二极管封装结构，其包括承载基座、发光二极管以及静电保护组件。承载基座包括彼此分离的二支架及反射构件。反射构件包覆支架且暴露出每一支架的承载面。反射构件具有凹槽，且凹槽的底面与每一支架的承载面切齐。发光二极管配置于凹槽内且跨接在支架上。静电保护组件配置于凹槽内且跨接在支架上。发光二极管与静电保护组件反向并联。在本专利技术的一实施例中，上述的支架的上表面的表面积大于凹槽的底面的表面积。在本专利技术的一实施例中，上述的支架彼此分离且相隔一水平间隔距离，而每一支架的承载面的轮廓为长方形，且水平间隔距离小于承载面的短边。在本专利技术的一实施例中，每一支架的承载面的轮廓为长方形，且发光二极管的一边与相对应的承载面的短边的垂直距离为静电保护组件的宽度的1.2倍至10倍之间。在本专利技术的一实施例中，每一支架的承载面的轮廓为长方形，且发光二极管的一边与相对应的承载面的短边的垂直距离介于0.3厘米至I厘米之间。在本专利技术的一实施例中，每一支架的承载面的轮廓为长方形，且每一支架的承载面的长宽比介于2至5之间。在本专利技术的一实施例中，每一支架的承载面的轮廓为长方形，且承载面的四个角落为直角或圆角。在本专利技术一实施例中，上述的凹槽具有开口端，且凹槽从开口端往底面渐缩。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管与承载基座的支架共晶接合。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管为覆晶式发光二极管。在本专利技术的一实施例中，上述的静电保护组件为齐纳二极管。在本专利技术的一实施例中，上述的静电保护组件与承载基座的支架共晶接合。在本专利技术的一实施例中，上述的这些支架互为对称设置。基于上述，由于本专利技术的发光二极管封装结构中，承载基座具有反射构件，因此发光二极管所发出的光可通过反射构件的反射，而使得本专利技术的发光二极管封装结构具有较佳的发光效率。此外，本专利技术的支架设计可让发光二极管与静电保护组件同时跨接于承载基座的支架上且呈反向并联，因此可避免采用金属接线连接而使得齐纳二极管与金属接线之间的连接不牢固而导致断路，进而使齐纳二极管无法发挥其稳压作用的问题产生。也就是说，本专利技术的发光二极管封装结构可具有较佳的结构可靠度及配置空间，且可让发光二极管受到静电保护组件的抗静电保护功能，可增加发光二极管封装结构的使用寿命。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。【附图说明】图1为本专利技术的一实施例的一种发光二极管封装结构的俯视不意图；图2为沿图1的线A-A的剖面示意图。附图标记说明:100:发光二极管封装结构；110:承载基座；112、114:支架;112’、114’:上表面；112a、114a:承载面；112b、114b:下表面；116:反射构件；116b:下表面；117:凹槽；117a:开口端；117b:底面；120:发光二极管；122:第一电极；124:第二电极；130:静电保护组件；132:第一电极；134:第二电极；G:水平间隔距离；L、LW:长边；Sff:短边；d:垂直距离。【具体实施方式】图1为本专利技术的一实施例的一种发光二极管封装结构的俯视示意图。图2为沿图1的线A-A的剖面示意图。请同时参考图1与图2，在本实施例中，发光二极管封装结构100包括承载基座110、发光二极管120以及静电保护组件130。承载基座110包括彼此分离的二支架112、114以及反射构件116。支架112、114分别具有上表面112’、114’，反射构件116包覆支架112、114且暴露出每一支架112(或114)的承载面112a(或114a)。换句话说，承载面112a (或114a)即是未被反射构件116所覆盖的表面，故承载面112a (或114a)的表面积实质上是小于上表面112’(或114’)的表面积。反射构件116具有凹槽117，且凹槽117的底面117b与每一支架112 (或114)的承载面112a (或114a)切齐。发光二极管120配置于凹槽117内且跨接在支架112、114上。静电保护组件130配置于凹槽117内且跨接在支架112、114上。发光二极管120与静电保护组件130反向并联。详细来说，本实施例的承载基座110的支架112、114分别具有不同的电性，如一个为带正电，而另一个为带负电，其中支架112、114的材质例如是金属或导电材料。如图1所示，本实施例的支架112、114的上表面112’、114’的表面积是远大于凹槽117的底面117b的表面积。特别是，支架112、114彼此分离且相隔一水平间隔距离G，其中支架112、114会暴露出凹槽117的部分底面117b。而，每一支架112(或114)的承载面112a(或114a)的轮廓具体化为长方形，且水平间隔距离G小于承载面112a(或114a)的短边SW。这样的配置不但可使发光二极管120及静电保护组件130易于跨接至支架112、114上，同时也可以通过支架112、114较大的面积达到较好的散热效果。较佳地，支架112、114形状对称且互为对称设置，可使发光二极管120及静电保护组件130的对位较为便利且不受方向性限制。此处，支架112 (或114)的承载面112a (或114a)的长边LW与短边SW的比例介于2至5之间，换句话说，长边LW的长度为短边SW的长度的两倍到五倍之间。由于本实施例的支架112、114的承载面112a、114a的长边LW与短边SW的尺寸差异较大，因此支架112、114的承载面112a、114a的长边LW具有足够的配置空间让发光二极管120与静电保护组件130可同时跨接于其上。换句话说，发光二极管120与支架112、114重叠配置，且静电保护组件130的也与支架112、114重叠配置。如此一来，相较于现有支架的长边与短边的尺寸较为接近(如长边与短边的比例为1.2:1)，而仅可让发光二极管跨接于支架上而言，本实施例的支架112、114的设计可避免采用金属接线连接而使得齐纳二极管与金属接线之间的连接不牢固而导致断路的问题产生，因此本实施例的发光二极管120与静电保护组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：承载基座，包括彼此分离的二支架以及反射构件，其中所述反射构件包覆该些支架且暴露出各所述支架的承载面，而所述反射构件具有凹槽，且所述凹槽的底面与各所述支架的所述承载面切齐；发光二极管，配置于所述凹槽内，且跨接在所述些支架上；以及静电保护组件，配置于所述凹槽内，且跨接在该些支架上，其中所述发光二极管与所述静电保护组件反向并联。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡孟庭，李皓钧，林育锋，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71