一种MgO/Ag复合介质保护膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MgO/Ag复合介质保护膜及其制备方法，所述复合介质保护MgO薄膜内弥散掺入单质Ag纳米颗粒。由于在MgO薄膜中掺入典型的电子发射体单质Ag纳米颗粒，一方面提高了二次电子发射系数，另一方面提高了复合介质保护膜表面的粗糙度，有效降低了显示器的着火电压，进而从一定程度上降低了PDP显示器的功耗和成本，提高器件的寿命，增强显示器件工作电压的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子显示器
，尤其涉及一种MgO/Ag复合介质保护膜及其 制备方法。
技术介绍
H3P(PlasmaDisplayPanel，等离子显示板）显示发光基于气体放电原理为，当在 电极之间附加一定电压，惰性气体Ne和Xe被击穿，辉光放电产生的可见光或紫外光激发涂 在障壁上的荧光粉发出红、绿、蓝三原色光，从而实现PDP的彩色显示。PDP基板上的电极间 附加电压增至某一临界值时，电极间的惰性气体就会发生放电，把此时放电开始的瞬间电 压Vf称为着火电压。德国著名科学家帕邢（Paschen)发现了著名的帕邢定律，即气体的击 穿电压为：【主权项】1. 一种MgO/Ag复合介质保护膜，其特征在于：所述复合介质保护膜包括MgO薄膜和 MgO/Ag薄膜，MgO/Ag薄膜位于MgO薄膜上方，所述MgO/Ag薄膜中弥散分布单质Ag纳米颗 粒。2.根据权利要求1所述的MgO/Ag复合介质保护膜，其特征在于：所述MgO薄膜厚度为 210-220nm。3.根据权利要求1或2所述的MgO/Ag复合介质保护膜，其特征在于：所述Ag纳米颗 粒晶粒尺寸为l〇nm。4.根据权利要求1或2所述的MgO/Ag复合介质保护膜，其特征在于：所述的MgO/Ag复 合介质保护膜厚度为30nm。5.根据权利要求1所述的MgO/Ag复合介质保护膜，其特征在于：所述的MgO/Ag薄膜 是通过反应磁控溅射法沉积得到。6.根据权利要求1所述的MgO/Ag复合介质保护膜，其特征在于：所述单质Ag纳米颗 粒是通过Mg和Ag共溅射的方式在MgO薄膜表面沉积所得。7. -种MgO/Ag复合介质保护膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1)利用反应磁控溅射在Si基片上溅MgO薄膜，得到溅射有MgO薄膜的基片； 2)利用Mg革E，Ag祀磁控共派射的方法在MgO薄膜表面再派射一层MgO/Ag复合薄膜。8.根据权利要求6所述的MgO/Ag复合介质保护膜的制备方法，其特征在于：所述MgO 薄膜是通过磁控溅射的方法得到。9.根据权利要求6所述的MgO/Ag复合介质保护膜的制备方法，其特征在于：所述MgO/ Ag薄膜为磁控共溅射法MgO表面上溅射制得。10.根据权利要求7所述的MgO/Ag复合介质保护膜的制备方法，其特征在于：磁控溅 射时基底加温为160摄氏度。【专利摘要】本专利技术公开了，所述复合介质保护MgO薄膜内弥散掺入单质Ag纳米颗粒。由于在MgO薄膜中掺入典型的电子发射体单质Ag纳米颗粒，一方面提高了二次电子发射系数，另一方面提高了复合介质保护膜表面的粗糙度，有效降低了显示器的着火电压，进而从一定程度上降低了PDP显示器的功耗和成本，提高器件的寿命，增强显示器件工作电压的稳定性。【IPC分类】H01J9-00, H01J11-10, H01J11-40【公开号】CN104733269【申请号】CN201510066366【专利技术人】王常春, 王剑锋, 宋忠孝 【申请人】临沂大学【公开日】2015年6月24日【申请日】2015年2月7日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MgO/Ag复合介质保护膜，其特征在于：所述复合介质保护膜包括MgO薄膜和MgO/Ag薄膜，MgO/Ag薄膜位于MgO薄膜上方，所述MgO/Ag薄膜中弥散分布单质Ag纳米颗粒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王常春，王剑锋，宋忠孝，
申请(专利权)人：临沂大学，
类型：发明
国别省市：山东;37