阵列式片状电阻器制造技术

本发明专利技术提供了一种阵列式片状电阻器，其包括：形成为长方体形状的基板；等间隔设置在基板底表面的两侧上的下部电极；电阻元件，介于基板的底表面的下部电极之间，通过修整电阻元件的一部分而形成凹槽，以实现精确的电阻值；覆盖在电阻元件上的保护层，保护层的两侧覆盖下部电极的一部分和电阻元件；与暴露至保护层外部的下部电极接触的整平电极；以及形成于整平电极上的镀层，所述镀层的一侧延伸得与所述基板的转角相接触，从而，所述镀层与延伸至所述基板的转角的所述下部电极相对。阵列式片状电阻器可防止装配时电阻元件由于外部碰撞而损坏，因为电阻元件被印制于基板底表面的下部电极的内部。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种阵列式片状电阻器，包括：基板，形成为长方体形状；下部电极，等间隔设置在所述基板底表面的两侧上；电阻元件，介于所述基板的底表面的所述下部电极之间，通过修整所述电阻元件的一部分而形成凹槽，以实现精确的电阻值；保护层，覆盖在所述电阻元件上，所述保护层的两侧均覆盖所述下部电极的一部分和所述电阻元件；整平电极，与暴露至所述保护层外部的所述下部电极接触；以及镀层，形成于所述整平电极上，所述镀层的一侧延伸得与所述基板的转角相接触，从而，所述镀层与延伸至所述基板的转角的所述下部电极相对。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳兴馥，朴章皓，金荣基，徐起元，崔允甲，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR