【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2009年11月13号,申请号为200980154070X,专利技术题目为“纳米通道装置和相关方法”的分案申请。与相关申请的交叉参考本申请要求2008年11月14日提交的题为“Nanochanneled Device and Method of Use”的美国临时专利申请系列61/114,687和2009年4月13日提交的题为“Nanochanneled Device and Method of Use”的美国临时专利申请系列61/168,844的优先权,特别通过参考将它们的全部内容引入本文。背景信息本专利技术是在NASA颁发的合约NNJ06HE06A的政府支持下完成的。政府在本专利技术中具有一定的权利。在过去30年来,在治疗剂(例如药物)递送
已经取得了相当大的进展,使临床医学取得了很多突破。制造能以可控方式递送治疗剂的治疗剂递送装置仍然是一种挑战。对可植入性药物递送装置的主要要求之一是可控地释放从小药物分子到较大的生物学分子的治疗剂。特别需要的是达到符合零级动力学的连续被动性的药物释放性质,从而血流中药物的浓度在整个较长的递送期内都保持恒定。这些装置可以改善治疗效力,消除可能的威胁生命的副作用,改善患者的顺应性,减少健康护理人员的介入,减少住院时间并减少从定期给药向药物滥用的转变。纳米通道递送装置可以在药物递送产品中用于有效施用药物。此外,纳米通道递送装置可以用于需要 ...
【技术保护点】
一种制造纳米通道递送装置的方法,所述方法包括:提供第一基底;在所述第一基底上形成所述多个纳米通道;将第一牺牲材料填充到所述多个纳米通道中;在所述第一基底中形成所述多个入口微通道;将第二牺牲材料填充到所述多个入口微通道中;形成覆盖所述多个纳米通道的帽层;在所述帽层中形成多个出口微通道;从所述多个纳米通道中去除第一牺牲材料;和从所述多个入口微通道中去除第二牺牲材料。
【技术特征摘要】
2008.11.14 US 61/114,687;2009.04.13 US 61/168,8441.一种制造纳米通道递送装置的方法,所述方法包括:
提供第一基底;
在所述第一基底上形成所述多个纳米通道;
将第一牺牲材料填充到所述多个纳米通道中;
在所述第一基底中形成所述多个入口微通道;
将第二牺牲材料填充到所述多个入口微通道中;
形成覆盖所述多个纳米通道的帽层;
在所述帽层中形成多个出口微通道;
从所述多个纳米通道中去除第一牺牲材料;和
从所述多个入口微通道中去除第二牺牲材料。
2.权利要求1的方法,其中入口微通道被布置成垂直于所述第一
基底的主平面。
3.权利要求1的方法,其中出口微通道被布置成垂直于所述第一
基底的主平面。
4.权利要求1的方法,其中入口微通道与纳米通道直接流体相
通。
5.权利要求1的方法,其中出口微通道与纳米通道直接流体相
通。
6.权利要求1的方法,其中所述第一基底包含绝缘体上硅型晶
圆,所述晶圆包含内氧化物层。
7.权利要求1的方法,其中用光刻工艺来构建入口和出口微通
道。
8.权利要求6的方法,其中形成多个入口微通道包括从所述第一
基底蚀刻材料,其中所述蚀刻结束于内氧化物层。
9.权利要求8的方法,其中形成多个入口大通道包括从所述第一
基底背侧蚀刻材料,其中所述蚀刻结束于内氧化物层。
10.权利要求9的方法,其中在蚀刻材料从而形成入口微通道和
\t入口大通道后去除所述内氧化物层打开了入口微通道和入口大通道之
间的路径。
11.权利要求1的方法,其中各纳米通道为约1-10纳米深。
12.权利要求1的方法,其中各纳米通道为约10-20纳米深。
13.权利要求1的方法,其中可以随后通过选择性蚀刻来去除第
一牺牲材料。
14.权利要求1的方法,其中所述第一牺牲材料是钨。
15.权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·费拉里,刘学武,A·格拉顿尼,S·霍沙里,R·古多尔,R·梅德玛,L·赫德森,D·法恩,
申请(专利权)人:得克萨斯大学体系董事会,俄亥俄州立大学研究基金会,
类型:发明
国别省市:美国;US
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