【技术实现步骤摘要】
本申请为国际申请PCT/US2009/062097于2011年4月15日进入中国国家阶段、申请号为200980141147.X、专利技术名称为“倒置有机光敏器件”的分案申请。与相关申请的交叉引用本申请基于2008年10月27日提交的题为“倒置有机光伏器件”(Inverted Organic Photovoltaics)的美国临时专利申请号61/108,817和2008年10月29日提交的题为“倒置有机光伏器件”(Inverted Organic Photovoltaics)的美国临时专利申请号61/109,305并要求其优先权,两份临时专利申请的全部内容在此为所有目的以其全文引为参考。关于联邦资助的研究的陈述本专利技术在能源部(Department of Energy)资助DE-FG36-08GO18022和空军科学研究办公室(Air Force Office of Scientific Research)资助FA9550-07-1-0364的政府支持下做出。政府在本专利技术中具有一定权利。联合研究协议本公开的主题内容由下列大学-公司联合研究协议的一个或多个参与方、以其名义和/或由其共同做出:普林斯顿大学(Princeton University)、密歇根大学(The University of Michigan)和环球光能公司(Global Photonic Energy Corporation)。协议在本公开的主题内容做出之时及之前有效 ...
【技术保护点】
倒置光敏器件,其包含:反射电极,所述反射电极已暴露于氧等离子体表面处理和氩等离子体表面处理的至少一种;所述反射电极上方的有机供体‑受体异质结;以及所述供体‑受体异质结上方的透明电极。
【技术特征摘要】
2008.10.27 US 61/108,817;2008.10.29 US 61/109,3051.倒置光敏器件,其包含:
反射电极,所述反射电极已暴露于氧等离子体表面处理和氩等离子体
表面处理的至少一种;
所述反射电极上方的有机供体-受体异质结;以及
所述供体-受体异质结上方的透明电极。
2.权利要求1的倒置光敏器件,其中反射电极形成在基材上方。
3.权利要求1的倒置光敏器件,其中有机供体-受体异质结的供体包
含选自酞菁、卟啉、亚酞菁及其衍生物或过渡金属络合物的材料。
4.权利要求1的倒置光敏器件,其中供体-受体异质结的供体包含铜
酞菁。
5.权利要求1的倒置光敏器件,其中有机供体-受体异质结的受体包
含选自聚合和非聚合的苝类、聚合和非聚合的萘类以及聚合和非聚合的富
勒烯类的材料。
6.权利要求1的倒置光敏器件,其中有机供体-受体异质结的受体包
含3,4,9,10-苝四羧基双-苯并咪唑。
7.权利要求1的倒置光敏器件,其中透明电极包含选自透明氧化物和
金属或金属替代物的材料。
8.权利要求1的倒置光敏器件,其中透明电极允许至少约50%的环境
电磁辐射透射通过所述电极。
9.权利要求7的倒置光敏器件,其中透明电极包含选自锡氧化物、镓
\t铟锡氧化物和锌铟锡氧化物的材料。
10.权利要求1的倒置光敏器件,其中器件还包含激子阻挡层。
11.权利要求10的倒置光敏器件,其中激子阻挡层位于反射电极与透
明电极之间。
12.权利要求10的倒置光敏器件,其中激子阻挡层位于有机供体-受
体异质结的受体与透明电极之间。
13.权利要求10的倒置光敏器件,其中激子阻挡层包含选自N,N'-二苯
基-N,N'-双-α-萘基联苯胺、三(8-羟基喹啉)铝、联苯咔唑、浴铜灵和三(乙
酰丙酮根)钌(III)的材料。
14.权利要求1的倒置光敏器件,其中有机供体-受体异质结包含选自<...
【专利技术属性】
技术研发人员:史蒂芬·R·福里斯特,朗达·F·贝雷萨尔兹曼,
申请(专利权)人:密歇根大学董事会,
类型:发明
国别省市:美国;US
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