用于制造高纯硅的方法、通过该方法得到的高纯硅、以及用于制造高纯硅的硅原料技术

本发明专利技术提供：一种通过熔融硅的单向凝固制造高纯硅的方法，所述方法能够廉价地并且工业上容易地制造高纯硅，所述高纯硅具有低氧浓度和低碳浓度并且适用于如制造太阳能电池的用途；通过这种方法得到的高纯硅；以及用于制造高纯硅的硅原料。一种当通过使熔融硅原料在铸造容器中单向凝固来制造高纯硅时使用含有100至1000ppmw的碳和0.5至2000ppmw的锗作为原料制造高纯硅的方法，通过这种方法得到的高纯硅，以及用于制造高纯硅的硅原料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供：一种通过熔融硅的单向凝固制造高纯硅的方法，所述方法能够廉价地并且工业上容易地制造高纯硅，所述高纯硅具有低氧浓度和低碳浓度并且适用于如制造太阳能电池的用途；通过这种方法得到的高纯硅；以及用于制造高纯硅的硅原料。一种当通过使熔融硅原料在铸造容器中单向凝固来制造高纯硅时使用含有100至1000ppmw的碳和0.5至2000ppmw的锗作为原料制造高纯硅的方法，通过这种方法得到的高纯硅，以及用于制造高纯硅的硅原料。【专利说明】用于制造高纯硅的方法、通过该方法得到的高纯硅、以及用 于制造高纯硅的硅原料
本专利技术涉及用于通过熔融硅原料的单向凝固来制造可以最适宜应用于太阳能电 池制造的高纯硅的制造方法、通过该方法得到的高纯硅、以及在该方法中使用的用于制造 高纯硅的硅原料。 现有技术 对于太阳能电池的制造来说，高质量的硅是重要的，并且这种高质量的硅通常通 过以下方式制造：将硅原料在成型容器中熔融，或者将通过使硅在另一个容器中熔融所得 到的熔融硅倒入成型容器中，在此之后，通过将热逐渐地从底部提出成型容器外，使熔融的 硅从底部向顶部单方向凝固（例如，请参考专利参考文献1)。 当以这种方式使熔融硅在成型容器中单向凝固时，包含在熔融硅中的并且降低载 流子寿命的金属杂质元素比如Fe、Ni和Ti偏析至在成型容器中凝固的硅的上部，并且通过 移除在其中由于该偏析而浓缩了杂质的部分，具有获得高度纯化的硅的优点。 此外，对于将这种熔融硅置于其中的成型容器来说，由石英制成的模具已经成为 工业生产中的主流，并且当使用它们时，在用通过将氮化硅、氧化硅和碳化硅等的粉末与 粘合剂如聚乙烯醇（PVA)捏合而制备的脱模剂涂布内表面之后，将模具在氧化气氛中煅烧 (例如，请参考专利参考文献2)。 顺便提及，当熔融硅与石英成型容器的内表面接触时，石英成型容器中的Si02组 分溶解在熔融硅中，尤其是，使得模具容器的内表面附近的熔融硅的氧浓度增加（非专利 参考文献1)。此外，溶解在熔融硅中的氧部分地形成一氧化硅并且其作为气体从熔融硅的 表面蒸发出来，但是熔融硅中氧的分配系数（偏析系数）接近1，并且在硅的单向凝固期间， 没有进行纯化，并且尤其是在远离表面、接近成型容器底部的部分中，氧浓度高，并且作为 结果，其结合至凝固的硅中。 此外，当凝固的硅中氧的浓度增加时，这种氧与掺杂剂硼结合并且形成B-0对，并 且当使其与高强度的光接触时，在随着时间推移的同时，载流子寿命下降并且产生所谓的 "光劣化"现象。因此，为了对此进行控制，已经提出了使用钾代替硼作为掺杂剂的方法（专 利参考文献3)。 这种劣化是由于硼和在硅中固溶的氧的结合引起的，但是当氧浓度超过固溶极限 时，氧析出为氧化硅（SiOx)并且这成为位错增殖源，或者将位错固定，造成当用作用于太阳 能电池的硅晶片时光电转换率的下降等，已知这是太阳能电池质量下降的原因。因此，为了 获得具有低氧浓度的硅，已经提出了使用等离子体熔炼装置并且使装置内真空度增加的熔 炼方法（专利参考文献4)。 此外，如果硅内的碳的浓度高，则硅内的碳成为促进氧析出的核，并且当用作用于 太阳能电池的硅晶片时，使得光电转换效率下降，并且此外，碳本身析出为碳化硅（SiC)，且 这成为泄漏电流增加的原因。此外，对晶片进行切片和切割和切除也是有缺陷的产品增加 的原因，这是因为硅晶片在表面上受到了损伤等。 因此，为了找到解决这些问题的方案，已经研究多种方法，提出了包括：用于移除 碳的方法，其中将携带氧化剂的惰性气体通过除碳喷枪充入并引入从而将碳从熔融硅表面 作为一氧化碳气体移除（例如，专利参考文献5)，以及移除析出的碳化硅的方法，其中通过 在烙融娃中建立温度梯度（专利参考文献6)或者通过施加磁场（专利参考文献7)移除碳 化娃的局部偏析。 此外，已知的是，当将锗加入至硅中时，这使得其作为太阳能电池的品质增加，并 且已经报道了，通过以重量计0. 5?5%之间的添加，光电转换效率的改善（非专利参考文 献2)，或通过50?200ppmw的添加，观察到强度提高的事实（专利参考文献8)。 现有技术参考文献 专利参考文献 专利参考文献1日本公开专利【专利技术者】德丸慎司, 日吉正孝, 近藤次郎, 堂野前等, 岸田丰, 中泽滋, 尾上浩三 申请人:菲罗索拉硅太阳能公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造高纯硅的方法，其特征在于，所述方法是通过原料熔融硅在成型容器中的单向凝固制造高纯硅，并且使用具有100～1000ppmw的碳浓度和0.5～2000ppmw的锗浓度的熔融硅作为所述原料的高纯硅制造方法。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：德丸慎司，日吉正孝，近藤次郎，堂野前等，岸田丰，中泽滋，尾上浩三，
申请(专利权)人：菲罗索拉硅太阳能公司，
类型：发明
国别省市：西班牙;ES