【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片的加工的
,尤其涉及。
技术介绍
在高金价时代,铝线因成本低取代了部份的金线,应用在半导体芯片封装领域。因为铝线在周期表上原子序较小,在失效分析目的下无法藉由铝线对X-ray吸收确认该线位置。目前铝线打线失效分析上,大多采瞎子摸象方式进行,在规格书上简略确认铝打线位置后即进行组件侧向机械研磨,但若研磨断面无法切齐完整铝线线幅,将无法同时分析观察整段铝线与其两焊点,降低或错失了失效分析的效率。目前中较为常用的做法为对半导体芯片进行蚀刻的方法使铝线外露以对铝线的线幅进行观察。现有技术中的蚀刻方法存在蚀刻的精确度较低,容易造成产品报废。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供,该蚀刻方法可较为精确地对半导体芯片进行蚀刻。,包括以下步骤:(I)对半导体芯片的正面进行激光蚀刻;(2)对经激光蚀刻后的半导体芯片正面的钝化层使用HF溶液进行蚀刻,直至半导体芯片外露出金属层;(3)对所述金属层使用强碱溶液进行蚀刻,直至半导体芯片外露出阻挡层;(4)对所述阻挡层使用H2O2和NH4OH的混合溶液进行蚀刻,直至半导体芯片外露出氧化层;(5)对所述氧化层使用该HF溶液进行充分蚀刻。以上的步骤⑵、(3)、(4)和(5)中的蚀刻时间由所蚀刻对象的厚度所决定。可以理解的是,蚀刻的程度依据该蚀刻根据实际芯片封装的需要而设定。其中,所述激光蚀刻的功率为6W?20W,波长为1020?1060nm。激光的发射源为YAG发射源。其中,所述激光蚀刻的速率为8?12 μ m/s。蚀刻时间依照芯片封装厚度而定。其中,所述HF溶液的质量分数为44?48%。H ...
【技术保护点】
一种半导体芯片的蚀刻方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对半导体芯片的正面进行激光蚀刻;(2)对经激光蚀刻后的半导体芯片正面的钝化层使用HF溶液进行蚀刻,直至半导体芯片外露出金属层;(3)对所述金属层使用强碱溶液进行蚀刻,直至半导体芯片外露出阻挡层;(4)对所述阻挡层使用H2O2和NH4OH的混合溶液进行蚀刻,直至半导体芯片外露出氧化层;(5)对所述氧化层使用该HF溶液进行充分蚀刻。
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的蚀刻方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)对半导体芯片的正面进行激光蚀刻; (2)对经激光蚀刻后的半导体芯片正面的钝化层使用HF溶液进行蚀刻,直至半导体芯片外露出金属层; (3)对所述金属层使用强碱溶液进行蚀刻,直至半导体芯片外露出阻挡层; (4)对所述阻挡层使用H2O2和NH4OH的混合溶液进行蚀刻,直至半导体芯片外露出氧化层; (5)对所述氧化层使用该HF溶液进行充分蚀刻。2.根据权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于,所述激光蚀刻的功率为6W?20W,波长为 1020 ?1060nm。3.根据权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于,所述激光蚀刻的速率为8?12μ m/S。4.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘振鑫,陈彦奇,孟涛涛,
申请(专利权)人:宜特科技昆山电子有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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