一种金属卤氧化物纳米薄膜/Si复合电池片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金属卤氧化物纳米膜/Si复合电池片及其制备方法。通过腐蚀沉积处理，能够在硅片表面沉积一层非致密的纳米膜，该纳米膜由金属卤氧化物纳米晶或量子点组成。具有粗糙表面的纳米晶或量子点有很好的陷光效果，减少太阳光在其表面的反射，提高硅基电池片对太阳光的吸收效率；并且利用纳米晶或量子点的量子限域效应和多激子效应，提高热载流子的分离与捕获效率，进而提高硅基太阳能电池的光电转化效率。上述硅基电池片为单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅半成品及成品太阳能电池片。此外，本发明专利技术具有工艺简单，原料易得，制作过程无污染，效率高，生产成本低的优点，因此适用于工业化大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属卤氧化物纳米膜/Si复合电池片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）金属源溶液的配制：配制金属离子浓度为0.0001～1mol/L，氢氟酸浓度为0.05～5mol/L的金属源溶液；2）腐蚀液的配制：配制0.05～5mol/L的氢氟酸/双氧水溶液；3）沉积液的配制：配制0.05～5mol/L的金属离子沉积液；4）晶硅电池片的预处理：将做好p‑n结的晶硅电池片浸入金属源溶液中1～300s，取出，沥干；再浸入0.05～5mol/L的氢氟酸/双氧水中1～300s，取出，沥干；最后浸入0.05～5mol/L的金属离子沉积液中1～300s，取出，沥干，吹干；5）热处理：使用真空干燥箱120℃～240℃热处理1～10min。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余锡宾，吴圣垚，杨海，吴刚，李宇生，
申请(专利权)人：上海师范大学，
类型：发明
国别省市：上海;31