【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料,其特征在于:其由以下结构组成:第一层为生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As缓冲层,第二层为GaSb量子点,第三层为In0.53Ga0.47As缓冲层,第四层为GaSb量子点。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:何苗,陈虞龙,王禄,石震武,孙庆灵,高优,
申请(专利权)人:华南师范大学,
类型:发明
国别省市:
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