本发明提供了一种多芯电缆，包括：芯单元；以螺旋状缠绕于所述芯单元的外周的绝缘带；以及缠绕于所述绝缘带上的涂布有金属的树脂带，其中多根均由两根平行布置的绝缘线构成的芯电缆被扭绞在一起以形成所述芯单元，并且所述涂布有金属的树脂带的缠绕方向与...

本发明提供一种T型成形的细径同轴电缆束，其可以良好地进行信号传送。在细径同轴电缆束(10)中，多根细径同轴电缆(12)在连接部分(13a)处排列为平面状，并与连接器(17)连接，多根细径同轴电缆(12)的长度相等，电缆束的长度方向与连接...

本发明提供机械特性和表面精度优异的镁合金材料如镁合金铸造材料或镁合金压延材料、能够稳定制造上述材料的制造方法、利用所述压延材料的镁合金成型制品及其制造方法。本发明提供镁合金材料制造方法，其包括在熔炉中熔化镁合金以得到熔融金属的熔化步骤、...

本发明的目的在于提供一种光电变换模块用部件以及光电变换模块，其可以实现光·电信号的相互变换，并且得到低噪声的输出信号。利用下述光电变换模块用部件(1)达到上述目的，其具有：光纤定位部件(2)，其具有开设有多个贯穿孔(2a)的端面(2b)...

本发明提供一种光学轴线在封装件内垂直地弯折的光学组件，该光学组件设置有多层陶瓷封装件，该封装件中容纳LD、安装LD的子底座、使从LD发射的光的光学轴线朝向透镜弯折的光学元件、以及监测经由光学元件透射的光的一部分的监测PD。用粘合剂将这些...

本发明涉及一种多芯光纤，其具有用于减少传送损耗及非线性的构造。该多芯光纤(100)具有：多个纤芯(中心纤芯(111)及周边纤芯(112、113))，它们沿中心轴Ax方向延伸；以及包层(120)，其覆盖上述纤芯的周围。包层(120)由添加...

本发明提供温塑性成形性能优异的镁合金板、其制造方法以及通过在200℃以上的温度下对所述镁合金板实施塑性成形而制得的成形体。所述镁合金板通过如下方式制造：对由镁基合金构成的材料进行压延，以及对在压延材料的步骤中制得的板施加应变，所述板处于...

本发明提供温塑性成形性能优异的镁合金板、其制造方法以及通过在200℃以上的温度下对所述镁合金板实施塑性成形而制得的成形体。所述镁合金板通过如下方式制造：对由镁基合金构成的材料进行压延，以及对在压延材料的步骤中制得的板施加应变，所述板处于...

本发明涉及一种光纤等，其可以应用于进行拉曼放大的光通信系统，可以实现改善OSNR和抑制弯曲损耗的兼顾。该光纤为石英类光纤，具有至少由纤芯、低折射率的内侧包层、外侧包层构成的凹陷型折射率曲线，具有在波长1550nm下大于或等于110μm2...

本发明提供一种细径同轴电缆束，该电缆束即使反复进行变形，中心导体也不断裂，弯曲性良好，可以维持捆扎状态。细径同轴电缆束通过使捆扎的多根细径同轴电缆的末端与连接器连接而进行成端处理，用在设备内的弯曲、转动或者滑动的位置，多根细径同轴电缆穿...

本发明提供一种细径同轴电缆束及其制造方法，该电缆束即使反复进行变形，中心导体也不断裂，弯曲性良好，且容易进行捆扎加工。细径同轴电缆束通过使捆扎的多根细径同轴电缆的末端与连接器连接而进行成端处理，用在设备内的弯曲、转动或者滑动的位置，多根...

本发明涉及一种内置有多芯光纤的光缆，该多芯光纤具有多个纤芯和包层区域。该光缆具有覆盖多芯光纤的外皮。为了使多个纤芯间的串扰降低，利用按压卷线，将多芯光纤保持为施加了小于或等于一定曲率半径的弯曲的状态。

本发明提供一种光电复合线束及其制造方法，其不会导致连接器部分的大型化，通用性以及经济性优越。光电复合线束(11)在远离第一、第二连接器(12、13)的位置上，设置具有电光变换元件(41)的第一中继部(21)以及具有光电变换元件(43)的...

光学模块(1)包括基板(2)和光电器件(3)，该光电器件(3)包括设置有有源层(31)的第一表面(3A)和与第一表明(3A)相反且面对基板(2)的第二表面(3B)。在第二表面(3B)上设置有多个焊接凸块(3a)，并且光电器件(3)通过这...

本发明提供一种能够抑制电气特性的恶化，并且抑制PL特性的恶化的InP基板的制造方法、外延晶片的制造方法、InP基板及外延晶片。本发明的InP基板的制造方法包括如下步骤：准备InP基板(步骤S1～S3)；利用硫酸过氧化氢水溶液混合物清洗I...

本发明提供一种无卤类的绝缘管和热收缩管，其能够兼顾机械特性、耐热性和阻燃性，并且即使管内径缩小也具有能够在垂直燃烧试验中合格的阻燃性。一种绝缘管，通过将含有热塑性树脂、多官能单体、有机磷类阻燃剂的阻燃性树脂组合物成形为管状而得到，其中，...

本发明提供具有良好耐热性和阻燃性、柔韧性以及良好配线性的绝缘膜、以及使用该绝缘膜的扁平电缆。该绝缘膜包括依次层叠的树脂膜、结合层、以及阻燃树脂层。所述阻燃树脂层由树脂组合物构成，相对于100质量份的根据JIS?K7171所测定的弯曲模量...

一种能够通过减小沟道迁移率而减小导通电阻的IGBT，包括：n型衬底(11)，所述衬底(11)由SiC制成，并且其主表面(11A)相对于{0001}的面取向具有不小于50°且不大于65°的偏离角p型击穿电压保持层(13)，其由SiC制成，...

一种MOSFET(1)，其能够即使当栅电压高时通过减少沟道迁移率来减小导通电阻，所述MOSFET(1)包括：n型衬底(11)，其由SiC制成，并且具有相对于{0001}面具有50°-65°的偏离角的主表面；n型击穿电压保持层(13)，其...

本发明提供了一种SiC衬底，其具有与方向平行的第一取向平面(12)和第二取向平面(13)，所述第二取向平面(13)处于与所述第一取向平面(12)交叉的方向上且长度与所述第一取向平面(12)不同。本发明提供了另一种SiC衬底，其具有矩形平...