住友电气工业株式会社专利技术

住友电气工业株式会社共有4740项专利

  • 提供了一种局侧集线设备,该局侧集线设备容纳多个无源光网络,包括:多个接收部件,该多个接收部件连接到多个无源光网络中的每一个;以及接口部件,该接口部件用于控制来自多个无源光网络的用户数据的发射时刻,使得多个接收部件接收到的用户数据能够被紧...
  • 本发明提供:一种聚酰亚胺管,其由氮化硼和针状物质均作为填料分散在聚酰亚胺树脂中而制成的聚酰亚胺树脂组合物构成,其中所述氮化硼占所述组合物总体积的5%至23.5%,所述针状物质占所述组合物总体积的1%至15%;所述聚酰亚胺管的制备方法;用...
  • 本发明公开一种光波导连接器的制造方法,该方法可以改善插芯构件的生产率并且将与配对连接器的连接损耗抑制为较低水平。光波导连接器(11)可以由以下步骤获得:对准步骤,即利用定位构件(16)的与插芯构件(13)的前端相对地布置的定位部分,对从...
  • 本发明涉及一种具有下述构造的光纤分布型检测方法,该构造用于实现温度分布或变形分布的高效测定。在该测定方法中,通过对从光源相对入射至对象物的探测光及泵浦光进行调制频率及调制指数的调节,同时,对上述探测光与泵浦光之间的相位差进行调节,从而顺...
  • 本发明提供一种在液晶投影仪的透明衬底等中所使用的多晶透明陶瓷衬底的制造方法。所述多晶透明陶瓷衬底的制造方法的特征在于包括:对成形为预定形状的陶瓷体进行烧结并制造多晶透明陶瓷烧结体的步骤;对所述多晶透明陶瓷烧结体进行切割并制造多个多晶透明...
  • 本发明公开一种透明多晶尖晶石衬底,其特征在于,在厚度1mm和波长450nm的条件下测量的在正交尼科耳系统中的透过率为0.005%以下。所述透明多晶尖晶石衬底即使在用作光学制品时,也不会出现图像模糊或明暗变化。本发明还提供一种制造所述透明...
  • 本发明提供一种光纤连接部件及其安装方法,其可以通过简单的连接作业高精度地将带外皮光纤定位并连接。安装于在玻璃光纤(21)的外周具有外皮(24)的光纤(20)上的光纤连接器(1)具有:插芯(40),其具有玻璃光纤插入孔(42);固定部(3...
  • 本发明提供一种锂电池,该锂电池虽然含有固体电解质,却具有高容量。锂电池1包括:正极层13;负极层14;以及设置在层13和层14之间的硫化物固体电解质层(SE层15)。锂电池1具有在层13和层15之间形成的正极覆盖层16和缓冲层17,以抑...
  • 本发明公开了一种同时具有足够的机械特性和耐蚀性的镁合金构 件。还公开了一种制造这种镁合金构件的方法。具体公开了这样的镁 合金构件,其包括由镁合金构成的基底以及在所述基底上形成的防腐 涂膜。所述基底为由含5~11质量%Al的镁合金制成的轧...
  • 一种使用OFDMA系统来执行无线通信的无线通信装置,包括:SMI加权导出单元(14),其使用多个接收的信号向量作为采样值而计算相关矩阵和相关向量,并且根据所述计算的相关矩阵和相关向量来导出SMI加权;以及,加权相乘单元(15),其利用由...
  • 在p-外延层(3)上,依次形成n型外延层(4)和栅极区域(5)。 栅极电极(12a)电连接至栅极区域(5),并且源极电极(12b)和漏 极电极(12c)用夹在它们之间的栅极电极(12a)而彼此分隔开。控 制电极(12d)用于给p-外延层...
  • 本发明的III族氮化物基异质结晶体管11a中,第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层1?5与第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a形成异质结21。第一电极17在第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a上形成肖特基结...
  • 其中通过增强加工精度而增强了光学特性的、一种由陶瓷构成的衍射光学元件(1)由红外透射性陶瓷构成,并且在衍射光学元件(1)的表面上重复地形成突出部(11)和沟部(12)。在衍射光学元件的表面的光学有效区域(10)内的表面粗糙度Ra的平均值...
  • 本发明是一种用于制造碳化硅衬底的方法,其中,在其上形成半导体层的主表面具有由平坦台地和台阶组成的台阶-台地结构。用于制造碳化硅衬底的该方法其特征在于,原始材料衬底的主表面(1)的表面取向相对于(0001)面倾斜0.03°至1°的角度,并...
  • 本发明涉及一种光纤特性分布传感器,其具有用于在温度分布测定等中有效地减少位置测定误差的构造。该传感器具有光纤部,用于使探测光和泵浦光相对地入射,其一部分设置在测定对象物上。光纤部包含标记部,事先在该光纤部以正常状态设置的状态下,测定标记...
  • 本发明涉及一种可以减少温度测定的误差的光纤温度传感器。该传感器具有光纤、光频差调整部、光源系统、频谱测定部、温度计算部、以及校正部。光源系统根据来自光频差指示部的指示,向光纤的各不相同的端部输出设定了中心频率的探测光及泵浦光。温度计算部...
  • 一种表面发射激光元件(1)的制造方法,包括:制备导电性GaN多区域衬底作为导电性GaN衬底(10)的步骤,所述衬底包括高位错密度高电导区(10a)、低位错密度高电导区(10b)和低位错密度低电导区(10c);在衬底上形成多个包括发射层(...
  • 本发明的目的是提供一种制造电子电路部件如有机TFT 1的方法,该方法能够制造具有优良可靠性和实用水平品质的电子电路部件,因为特别是在通用塑料衬底等上,通过在对上述塑料衬底无影响的200℃以下的工艺温度下的处理,能够形成具有更优良特性的绝...
  • 提供一种能够实现高质量外延膜的稳定生长的Ga↓[x]In↓[1-x]N衬底和用于获得Ga↓[x]In↓[1-x]N衬底的清洗方法。当Ga↓[x]In↓[1-x]N衬底具有2英寸直径时,存在于Ga↓[x]In↓[1-x]N衬底上且颗粒尺寸...
  • 本发明公开了一种能够通过液相法生长大型晶体的生长III族氮化物晶体的方法。本发明具体公开了一种通过液相法生长III族氮化物晶体(10)的方法,所述生长III族氮化物晶体(10)的方法包括:准备III族氮化物晶体衬底(1)的步骤,所述衬底...