中国科学院宁波材料技术与工程研究所专利技术

中国科学院宁波材料技术与工程研究所共有5633项专利

  • 本申请公开了一种无定形SiO
  • 本发明提供一种高
  • 本发明公开了一种聚偏二氟乙烯/碳纳米管‑聚苯胺复合柔性膜氨气传感器,依次包括聚偏二氟乙烯多孔膜层、碳纳米管层、聚苯胺层和叉指电极层。本发明制备的传感器具有高灵敏度,在室温下对低浓度氨气具有较好的响应,检测限达到了100ppb,对低浓度氨...
  • 本发明公开了一种聚苯乙烯磺酸掺杂的聚苯胺复合柔性膜为基的高效氨气传感器,包括柔性膜、聚苯乙烯磺酸掺杂的聚苯胺层、叉指电极层。本发明制备的传感器对氨气的检测具有高灵敏度,高选择性和高稳定性;本发明可以通过调控苯胺、过硫酸铵和PSS溶液的浓...
  • 本发明公开了一种氮化渗铬层、其制备方法及应用。所述的制备方法包括:采用辉光离子氮化技术,以高纯NH
  • 本发明公开了一种精制呋喃二羧酸的方法,包括:(1)将待精制的呋喃二羧酸与加合结晶溶剂于T
  • 本申请公开了一种离子吸附剂及其制备方法和用途,属于固相吸附技术领域。所述方法采用海藻酸盐和柠檬酸盐为原料,通过作为连接剂的乙二胺将两者经酰胺化反应相连接,然后滴加至碱土金属离子溶液中进行凝胶化,再经固液分离和干燥而制得离子吸附剂。所述离...
  • 本申请公开了一种吸附剂,吸附剂包含(A)和(B)的酰胺化反应产物中的至少一种;其中,(A)选自海藻酸、海藻酸衍生物、柠檬酸、柠檬酸衍生物中的至少一种;(B)选自含有至少两个‑NH
  • 本发明提供一种非晶纳米晶软磁粉芯的制备方法,包括以下步骤:1)对清洗后的非晶纳米晶磁粉进行偶联处理;2)在偶联后的磁粉表面化学气相沉积一层派瑞林薄膜,对磁粉进行绝缘包覆处理;3)在常温下采用模具将磁粉压制成型,脱模得到压坯;4)对压坯进...
  • 本发明涉及耐空蚀涂层技术领域,公开了一种利用冷喷涂与激光重熔复合工艺制备耐空蚀涂层的方法,包括如下步骤:(1)在基体上利用冷喷涂制备金属陶瓷复合涂层;(2)对步骤(1)的金属陶瓷复合涂层进行激光重熔处理。本发明采用冷喷涂与激光重熔复合工...
  • 本发明涉及耐空蚀涂层技术领域,公开了一种利用热喷涂与激光重熔复合工艺制备耐空蚀涂层的方法,包括如下步骤:(1)在基体上利用热喷涂制备金属陶瓷复合涂层;(2)对步骤(1)的金属陶瓷复合涂层进行激光重熔处理,金属陶瓷复合涂层在激光的高密度能...
  • 本发明公开了一种液态可固化含硼聚碳硅烷及其制备方法。所述制备方法包括:在密闭反应容器中,使聚硅碳硅烷和含硼单体进行第一反应,生成液态含硼聚碳硅烷,其中,所述聚硅碳硅烷是聚二甲基硅烷经高温裂解后的低分子产物,室温呈液态,分子量小于1000...
  • 本发明涉及一种芳香共聚酯及其制备方法,该芳香共聚酯的结构式如下式(1):
  • 本发明公开了一种基于SPR转换的双响应金纳米膜、其制备方法及应用。所述制备方法包括:提供表面修饰有具有双响应性的共聚物的金纳米粒子,并使其与水相液体、与水不相容的油相液体混合,形成混合体系,之后加入易挥发性试剂,使金纳米粒子被诱导捕获至...
  • 本发明公开了一种修补CVD石墨烯薄膜缺陷的方法。所述方法包括:采用CVD法生长CVD石墨烯薄膜,将所述CVD石墨烯薄膜置于液相反应体系中,并向其中加入修补物质,于50~120℃下,使所述修补物质在所述CVD石墨烯薄膜的缺陷位置进行化学吸...
  • 本发明公开了一种金属双极板高导电耐蚀防护涂层及其制备方法与应用。所述金属双极板高导电耐蚀防护涂层的制备方法包括:以铬靶为靶材,采用高功率脉冲磁控溅射技术在所述金属双极板表面沉积铬过渡层;以及,以石墨靶为靶材,采用直流磁控溅射技术在所述铬...
  • 本发明提供了一种钴基永磁体及调控钴基永磁体矫顽力稳定性的方法。所述钴基永磁体包含具有周期调幅的纳米双相结构,所述纳米双相结构包括呈细长棒状的富FeCo相和弱磁性基体富AlNi相,并且所述富FeCo相周期调幅、弥散分布于所述富AlNi相中...
  • 本发明公开了一种核壳结构型吸波材料及其制备方法,所述吸波材料具有以二维过渡金属‑硫族元素化合物纳米片为核,以空心碳球为壳的核壳结构。所述制备方法包括:将空心碳球溶于溶剂中,依次加入过渡金属源和硫族元素源搅拌溶解后进行溶剂热反应,再经过后...
  • 本发明涉及材料技术领域,公开了一种微晶纤维素‑氟改性的聚氨酯涂料,包括A组分和B组分,其中A组分中采用含羟基氟树脂与聚四氢呋喃醚二醇作为聚氨酯的软段,提高聚氨酯的疏水性、耐腐蚀性;B组分中将微晶纤维素经溶胀后与异氰酸酯反应形成交联结构,...
  • 本发明公开了一种提高CVD石墨烯薄膜耐蚀性的方法。所述方法包括:提供CVD石墨烯薄膜,将所述CVD石墨烯薄膜置于沉积设备的反应腔中,向所述反应腔中通入低表面能物质,于100~200℃下,使所述低表面能物质在所述CVD石墨烯薄膜表面发生物...