中国科学院宁波材料技术与工程研究所专利技术

中国科学院宁波材料技术与工程研究所共有5598项专利

  • 本实用新型公开了一种陶瓷长纤维微波连续处理装置。陶瓷长纤维微波连续处理装置包括:微波反应单元,其包括至少一个可供原纤维连续通过的微波腔体以及与所述微波腔体连接的纤维入口和纤维出口;微波发生单元,其包括至少能够提供照射微波的微波发生器,所...
  • 本发明提供了一种赝电容复合的高容量锰酸锂正极材料,包括锰酸锂基体以及分布于所述锰酸锂基体孔隙内的赝电容材料。本发明利用锰酸锂正极材料内部的介孔、大孔结构,在介孔、大孔的内表面构造赝电容材料,利用赝电容储存部分锂离子,从而在充放电过程中达...
  • 本发明涉及一种超声波空化喷丸方法及其使用装置,该超声波空化喷丸方法包括:提供超声波组件,所述超声波组件包括超声波换能器以及连接于所述超声波换能器上的超声波变幅杆;提供第一工件,所述第一工件包括第一待处理面,所述第一工件可拆卸的连接于所述...
  • 本发明公开了一种基于金属有机骨架化合物的多层级轻质宽频电磁波吸收材料,该材料以水热合成的均苯三甲酸铜作为基体,加入钼酸铵作为催化剂进行高温碳化,经过洗涤最终得到多层级孔碳结构,具有丰富的介孔和大孔。本发明制作流程简单,合成的多层级孔碳材...
  • 本发明公开了一种润滑脂填充多孔结构防污表面、其制备方法及应用。所述制备方法包括:提供钛基底;采用喷砂和/或化学刻蚀对所述钛基底进行刻蚀处理,在所述钛基底表面形成粗糙的多孔微纳结构层;以修饰液对具有多孔微纳结构层的钛基底进行化学修饰,得到...
  • 本申请公开了一种无定形SiO
  • 本发明提供一种高
  • 本发明公开了一种聚偏二氟乙烯/碳纳米管‑聚苯胺复合柔性膜氨气传感器,依次包括聚偏二氟乙烯多孔膜层、碳纳米管层、聚苯胺层和叉指电极层。本发明制备的传感器具有高灵敏度,在室温下对低浓度氨气具有较好的响应,检测限达到了100ppb,对低浓度氨...
  • 本发明公开了一种聚苯乙烯磺酸掺杂的聚苯胺复合柔性膜为基的高效氨气传感器,包括柔性膜、聚苯乙烯磺酸掺杂的聚苯胺层、叉指电极层。本发明制备的传感器对氨气的检测具有高灵敏度,高选择性和高稳定性;本发明可以通过调控苯胺、过硫酸铵和PSS溶液的浓...
  • 本发明公开了一种氮化渗铬层、其制备方法及应用。所述的制备方法包括:采用辉光离子氮化技术,以高纯NH
  • 本发明公开了一种精制呋喃二羧酸的方法,包括:(1)将待精制的呋喃二羧酸与加合结晶溶剂于T
  • 本申请公开了一种离子吸附剂及其制备方法和用途,属于固相吸附技术领域。所述方法采用海藻酸盐和柠檬酸盐为原料,通过作为连接剂的乙二胺将两者经酰胺化反应相连接,然后滴加至碱土金属离子溶液中进行凝胶化,再经固液分离和干燥而制得离子吸附剂。所述离...
  • 本申请公开了一种吸附剂,吸附剂包含(A)和(B)的酰胺化反应产物中的至少一种;其中,(A)选自海藻酸、海藻酸衍生物、柠檬酸、柠檬酸衍生物中的至少一种;(B)选自含有至少两个‑NH
  • 本发明提供一种非晶纳米晶软磁粉芯的制备方法,包括以下步骤:1)对清洗后的非晶纳米晶磁粉进行偶联处理;2)在偶联后的磁粉表面化学气相沉积一层派瑞林薄膜,对磁粉进行绝缘包覆处理;3)在常温下采用模具将磁粉压制成型,脱模得到压坯;4)对压坯进...
  • 本发明涉及耐空蚀涂层技术领域,公开了一种利用冷喷涂与激光重熔复合工艺制备耐空蚀涂层的方法,包括如下步骤:(1)在基体上利用冷喷涂制备金属陶瓷复合涂层;(2)对步骤(1)的金属陶瓷复合涂层进行激光重熔处理。本发明采用冷喷涂与激光重熔复合工...
  • 本发明涉及耐空蚀涂层技术领域,公开了一种利用热喷涂与激光重熔复合工艺制备耐空蚀涂层的方法,包括如下步骤:(1)在基体上利用热喷涂制备金属陶瓷复合涂层;(2)对步骤(1)的金属陶瓷复合涂层进行激光重熔处理,金属陶瓷复合涂层在激光的高密度能...
  • 本发明公开了一种液态可固化含硼聚碳硅烷及其制备方法。所述制备方法包括:在密闭反应容器中,使聚硅碳硅烷和含硼单体进行第一反应,生成液态含硼聚碳硅烷,其中,所述聚硅碳硅烷是聚二甲基硅烷经高温裂解后的低分子产物,室温呈液态,分子量小于1000...
  • 本发明涉及一种芳香共聚酯及其制备方法,该芳香共聚酯的结构式如下式(1):
  • 本发明公开了一种基于SPR转换的双响应金纳米膜、其制备方法及应用。所述制备方法包括:提供表面修饰有具有双响应性的共聚物的金纳米粒子,并使其与水相液体、与水不相容的油相液体混合,形成混合体系,之后加入易挥发性试剂,使金纳米粒子被诱导捕获至...
  • 本发明公开了一种修补CVD石墨烯薄膜缺陷的方法。所述方法包括:采用CVD法生长CVD石墨烯薄膜,将所述CVD石墨烯薄膜置于液相反应体系中,并向其中加入修补物质,于50~120℃下,使所述修补物质在所述CVD石墨烯薄膜的缺陷位置进行化学吸...