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原子能和替代能源委员会专利技术
原子能和替代能源委员会共有347项专利
制备含氧化铀UO2、任选氧化钚PuO2和任选氧化镅AmO2和/或其它次锕系元素氧化物的粉末的方法技术
本发明涉及一种制备含氧化铀UO
用于制造电化学反应器导流构件的方法技术
本发明涉及一种用于制造用于电化学反应器的导流构件的方法,包括以下步骤:‑提供衬底(20);‑在衬底(20)的第一面上,通过对导电油墨层施加剪切应力来印刷导电油墨层,当剪切速率为0.1s
具有两个发射显示器的彩色投影仪制造技术
本发明涉及一种被配置为实现彩色投影的图像投影系统(200),该图像投影系统包括:具有发射显示器的第一矩阵装置(210),用于发送彩色图像的第一颜色分量和第二颜色分量,其中,每个像素适于透射与第一颜色分量相关联的波长和与第二颜色分量相关联...
用于有机发光二极管微屏的像素制造技术
一种用于有机发光二极管微屏的像素,该像素依次包括:‑衬底(1);‑反射器(2),其对可见光谱反射;‑间隔层(3);‑第一透明电极(E
用于分离铀(VI)和钚(IV)而无需还原钚(IV)的碳酰胺制造技术
本发明涉及碳酰胺作为萃取剂用于从由乏核燃料溶解在硝酸中所产生的水性溶液中通过液‑液萃取完全或部分分离铀(VI)和钚(IV)而无需将钚(IV)还原成钚(III)的用途。本发明还涉及新的碳酰胺。用途是处理基于铀(尤其是铀氧化物‑UOX)或基...
HLA-G转录物和同种型及它们的用途制造技术
本发明涉及HLA‑G分子及其治疗用途的领域。本发明涉及新的HLA‑G同种型,即衍生自HLA‑G基因的新的RNA转录物和蛋白质,包含其的药物组合物,以及这些转录物的特异性引物和这些蛋白质的特异性抗体。本发明进一步涉及这些分子的诊断或治疗用途。
转移结构体的方法技术
本发明涉及将结构体(200)转移到主基板(400)上的方法,所述方法依次包括以下步骤:a)提供包括两个主要面的临时基板(100),所述临时基板(100)是可延伸的,所述结构体(200)经它们的正面(210)结合在第一面上;b)沿至少一个...
转移结构体的方法技术
本发明涉及转移方法,包括:步骤a),提供包括第一面的支撑层(100),结构体(200)通过它们的正面结合在第一面(110)上;步骤c),将结构体(200)转移到主基板的主面上。支撑层(100)包括位于结构体(200)之间的折叠区域(10...
一种用于观察由物体反向散射的辐射的方法和装置制造方法及图纸
一种用于观察由物体(3)、特别是生物物体反向散射的辐射的装置和方法。该装置包括适于照射样本(2)的光源(10),以及在光源(10)和物体(3)之间延伸的屏幕(20)。屏幕(20)具有孔(23),由光源(10)产生的照射光束(12)穿过该...
用于电化学反应器的双极板制造技术
本实用新型涉及一种用于电化学反应器的双极板(5),该双极板(5)具有:‑反应区(619),包括在第一外表面上沿纵向方向延伸的第一通道(618);‑均化区(614),包括在第一外表面上的第二通道(641),所述第二通道连接到第一通道(61...
一种用于观察由物体反向散射的辐射的方法和装置制造方法及图纸
一种用于观察物体(3)、特别是生物物体的装置和方法。装置具有适于照射样本(2)的光源(10)。在照射的作用下,物体(3)发射传播到屏幕(20)的反向散射的辐射(14),屏幕的表面积大于100cm。反向散射的辐射(14)在屏幕(20)上的...
孔道穿过的光子芯片制造技术
一种光子芯片包括:在接合界面(40)处接合到互连层(36)的光学层(38),该光学层的厚度小于15μm;主孔道(50‑52),其仅在下表面(34)和接合界面(40)之间延伸穿过互连层;电端子,其选自嵌入光学层(38)内部的电触点(74)...
用于校准电子鼻的方法技术
本发明涉及一种用于校准电子鼻的方法,所述电子鼻包括布置在表面上并且能够与感兴趣气态介质接触的多个光学传感器,所述光学传感器能够在它们被光子激发时传递代表感兴趣气态介质的局部光学指数的信号,该方法的特征在于,所述方法包括以下步骤:在将电子...
具有垂直结构的异质结晶体管制造技术
本发明涉及一种异质结场效应晶体管(1),其包括:‑形成电子气体层或空穴层(15)的III‑N型第一和第二半导体层(14、13)的堆叠;‑与该气体层电接触的第一传导电极(21)以及第二传导电极(22);‑分离层(12),其与第一电极对齐且...
尤其用于分离铀(VI)和钚(IV)的不对称N,N-二烷基酰胺,其合成及用途制造技术
本发明涉及式(I)的新型不对称RN,N‑二烷基酰胺,其中:R
包括光学连接到硅波导的激光器的光子器件及制造方法技术
本发明涉及一种光子器件(1),包括:载体(120);中间层(420);光导级(200),该光导级(200)包括波导(210)和第一至第五波导部分(211,212,213,214,215)。光子器件(1)还包括覆盖光导级(200)的第一电...
用于集合制造多个光电芯片的方法技术
本发明涉及一种用于集合制造多个光电芯片(P1、P2)的方法,包括以下步骤:i)提供包括多个称为基本区域(z1、z2)的区域的接收基底(1),每个基本区域包括至少一个称为耦合波导(31、32)的波导,该波导内置于接收基底(1)中;将多个接...
具有高电子迁移率异质结的电子元件制造技术
本发明涉及一种具有高电子迁移率异质结的电子元件(1),所述电子元件包括:‑第一半导体材料层(12)和第二半导体材料层(13)的叠加,以便在第一和第二半导体层之间的界面附近形成电子气层(14);和‑传导电极的第一和第二金属接触部(21、2...
光发射装置制造方法及图纸
本发明涉及光发射装置(100),该光发射装置包括:至少一个光发射结构(110),该至少一个光发射结构包括基本平行的第一侧和第二侧;第一电极(160,170)经由接触区域与第一侧和第二侧中的一侧接触,该装置的特征在于,第一电极(160,1...
光学器件制造技术
本发明涉及一种光学器件(100),该光学器件包括:‑波导(200),该波导包括沿对称轴线XX’延伸并且封装在包覆层(220)中的芯部(210);‑宽度为La的致动器(400),该致动器与芯部(210)重叠并且沿平行于对称轴线XX’的对称...
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