用于有机发光二极管微屏的像素制造技术

一种用于有机发光二极管微屏的像素，该像素依次包括：‑衬底(1)；‑反射器(2)，其对可见光谱反射；‑间隔层(3)；‑第一透明电极(E

Pixels for OLED micro screen

【技术实现步骤摘要】
用于有机发光二极管微屏的像素
本专利技术涉及有机发光二极管微屏的
特别地，本专利技术适用于对虚拟现实或增强现实头戴式耳机和眼镜、相机取景器、平视显示器、微型投影仪等进行制造。
技术介绍
从现有技术，特别是从文献US8956898B2中已知的用于有机发光二极管微屏的像素依次包括：-衬底；-反射器，其对可见光谱反射并形成在衬底上；-间隔层，其形成在反射器上；-第一电极，其对可见光谱透明并形成在间隔层上；-有机发光层的堆叠，其配置成发射白光并形成在第一电极上；-第二电极，其对可见光谱半透明并形成在堆叠上，该第二电极和反射器形成光学谐振器；间隔层具有第一、第二和第三部分，第一、第二和第三部分的厚度调节成使得光学谐振器分别允许透射来自由堆叠发射的白光的红色、绿色和蓝色光，以便分别限定红色、绿色和蓝色子像素；借助于布置在第一透明电极下方的反射器和间隔层，现有技术的这种像素允许有机发光层的堆叠容易地沉积在第一电极的顶上，形成平坦表面，这对于诸如文献EP1672962A1中描述的其他结构是不可能的，文献中堆叠形成在间隔层上，该间隔层是非平坦的(不同厚度的三个部分)。此外，现有技术的这种像素使得可以借助于形成干涉滤波器的Fabry-Pérot光学谐振器来省略颜色滤波器。滤波波长范围由间隔层的第一、第二和第三部分的厚度决定，允许调节光学腔的厚度(由反射器和第二电极界定)使得光学谐振器分别允许透射来自由有机发光层的堆叠发射的白光的红色、绿色和蓝色光。然而，现有技术的这种像素并不完全令人满意，因为红色、绿色和蓝色子像素的电子控制可能导致相邻子像素之间的串扰。
技术实现思路
本专利技术旨在完全或部分地克服上述缺点。为此，本专利技术的一个主题是用于有机发光二极管微屏的像素，其依次包括：-衬底；-反射器，其对可见光谱反射并形成在衬底上；-间隔层，其形成在反射器上；-第一电极，其对可见光谱透明并形成在间隔层上；-有机发光层的堆叠，其配置成发射白光并形成在第一电极上；-第二电极，其对可见光谱半透明并形成在堆叠上，该第二电极和反射器形成光学谐振器；间隔层具有第一、第二和第三部分，第一、第二和第三部分的厚度调节成使得光学谐振器分别允许透射来自由堆叠发射的白光的红色、绿色和蓝色光，以便分别限定红色、绿色和蓝色子像素；值得注意的是，间隔层的第一和第二部分各自包括覆盖有对可见光谱反射的材料的侧向边缘。因此，根据本专利技术的这种像素允许借助于间隔层的第一和第二部分的反射侧向边缘显着减小红色和绿色子像素之间的串扰，这改善了反射光线在光学腔内的限制。定义-术语“微屏”理解为每个像素的面积小于或等于30μm×30μm的屏。-术语“衬底”理解为在基底材料中产生的自支撑物理载体，其允许结合电子器件或电子元件。衬底通常是从半导体材料的单晶锭上切下的晶圆。-术语“可见光谱”理解为380nm至780nm的电磁光谱。-术语“反射”理解为相应元件(即反射器或覆盖侧向边缘的材料)的强度反射系数在可见光谱上平均高于或等于70％，优选平均高于或等于80％，更优选平均高于或等于85％，且甚至更优选平均高于或等于90％。-术语“半透明”理解为第二电极的强度透射系数在可见光谱上严格平均低于80％，优选严格平均低于70％，且更优选严格平均低于60％。-术语“透明”理解为第一电极的强度透射系数在可见光谱上平均高于或等于70％，优选地平均高于或等于80％，更优选平均高于或等于85％，且甚至更优选平均高于或等于90％。-术语“厚度”理解为沿像素或子像素的表面的法线的尺寸。-术语“侧向边缘”理解为在垂直于衬底的法线(即，像素或子像素的表面的法线)的方向上延伸的纵向边缘。根据本专利技术的像素可包括以下特征中的一个或更多个。根据本专利技术的一个特征，间隔层的第三部分包括覆盖有对可见光谱反射的材料的侧向边缘。因此，一个提供的优点是借助于间隔层的第一、第二和第三部分的反射侧向边缘，显着减小红色、绿色和蓝色子像素之间的串扰，这改善了反射光线在光学腔内的限制。根据本专利技术的一个特征，间隔层的第三部分的厚度为零，并且光学谐振器的厚度调节成允许透射来自由堆叠发射的白光的蓝色光。因此，一个提供的优点是通过不必控制间隔层的第三部分的厚度来简化蓝色子像素的制造。根据本专利技术的一个特征，衬底包括结构化介电层，结构化介电层优选由SiO2或SiN制成，反射器形成在该结构化介电层上，该结构化介电层包括分别与红色、绿色和蓝色子像素相关联的第一、第二和第三图案；并且第一、第二和第三图案各自包括覆盖有导电材料的侧向边缘，该导电材料优选地选自铝、银、铂、铬、镍和钨，第一、第二和第三图案的侧向边缘彼此电绝缘。术语“介电的”理解为该层在300K下的导电率低于或等于10-6S/cm。术语“导电的”理解为材料在300K下的导电率高于或等于102S/cm。因此，一个提供的优点是互连通孔(互连通孔的壁由属于两个相邻图案的两个侧向边缘限定)彼此面对地形成。因此，互连通孔的壁是导电的，并且壁可以在内部上填充有介电材料。这种互连通孔不同于现有技术，其中壁是电介质并且壁内是导电的。根据本专利技术的一个特征，覆盖间隔层的第一和第二部分的侧向边缘的反射材料是导电的；并且，结构化介电层的第一和第二图案的侧向边缘分别与间隔层的第一和第二部分的侧向边缘对齐地延伸。因此，一个提供的优点是互连通孔(由两个相邻图案的两个侧向边缘形成)经由间隔层的第一和第二部分的侧向边缘电连接到第一电极。这种结构允许以减小的体积方便地接近结合在衬底内的、用于红色和绿色子像素的控制电路。根据本专利技术的一个特征，覆盖间隔层的第一、第二和第三部分的侧向边缘的反射材料是导电的；并且，结构化介电层的第一、第二和第三图案的侧向边缘分别与间隔层的第一、第二和第三部分的侧向边缘对齐地延伸。因此，一个提供的优点是互连通孔(由两个相邻图案的两个侧向边缘形成)经由间隔层的第一、第二和第三部分的侧向边缘电连接到第一电极。这种结构允许以紧凑的方式方便地接近结合在衬底内的、用于红色、绿色和蓝色子像素的控制电路。根据本专利技术的一个特征，衬底包括CMOS电路；并且，结构化介电层的第一、第二和第三图案的侧向边缘电连接到CMOS电路。因此，一个提供的优点是以减小的体积方便地接近结合在衬底内的、用于红色、绿色和蓝色子像素的CMOS控制电路。根据本专利技术的一个特征，反射器由选自铝、银、铂、铬、镍和钨的材料制成。因此，这种金属材料表现出对可见光谱高强度反射系数和高导电性。根据本专利技术的一个特征，覆盖间隔层的第一、第二和第三部分的侧向边缘的反射材料选自铝、银、铂、铬、镍和钨。因此，这种金属材料表现出对可见光谱高强度反射系数和高导电性。根据本专利技术的一个特征，间隔层由导电的且对可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于有机发光二极管微屏的像素，依次包括：/n-衬底(1)；/n-反射器(2)，其对可见光谱反射并形成在衬底(1)上；/n-间隔层(3)，其形成在反射器(2)上；/n-第一电极(E

【技术特征摘要】
20180821 FR 18575581.一种用于有机发光二极管微屏的像素，依次包括：
-衬底(1)；
-反射器(2)，其对可见光谱反射并形成在衬底(1)上；
-间隔层(3)，其形成在反射器(2)上；
-第一电极(E1)，其对可见光谱透明并形成在间隔层(3)上；
-有机发光层的堆叠(4)，其配置成发射白光并形成在第一电极(E1)上；
-第二电极(E2)，其对可见光谱半透明并形成在堆叠(4)上，所述第二电极(E2)和反射器(2)形成光学谐振器；
所述间隔层(3)具有第一、第二和第三部分(30、31、32)，所述第一、第二和第三部分(30、31、32)的厚度调节成使得光学谐振器分别允许透射来自由堆叠(4)发射的白光的红色、绿色和蓝色光，以便分别限定红色、绿色和蓝色子像素(PR、PV、PB)；
其特征在于，所述间隔层(3)的第一和第二部分(30、31)各自包括覆盖有对可见光谱反射的材料的侧向边缘(300)。


2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述间隔层(3)的第三部分(32)包括覆盖有对可见光谱反射的材料的侧向边缘(300)。


3.根据权利要求1所述的像素，其中，所述间隔层(3)的第三部分(32)的厚度为零，并且其中，所述光学谐振器的厚度调节成允许透射来自由堆叠(4)发射的白光的蓝色光。


4.根据权利要求1至3之一所述的像素，其中，所述衬底(1)包括结构化介电层(5)，所述结构化介电层(5)优选由SiO2或SiN制成，反射器(2)形成在所述结构化介电层(5)上，所述结构化介电层(5)包括分别与红色、绿色和蓝色子像素(PR、PV、PB)相关联的第一、第二和第三图案(50、51、52)；
并且其中，所述第一、第二和第三图案(50、51、52)各自包括覆盖有导电材料的侧向边缘(500)，所述导电材料优选地选自铝、银、铂、铬、镍和钨，所述第一、第二和第三图案(50、51、52)的侧向边缘(500)彼此电绝缘。


5.根据结合权利要求1或3的权利要求4所述的像素，其中，覆盖间隔层(3)的第一和第二部分(30、31)的侧向边缘(300)的反射材料是导电的；
并且其中，所述结构化介电层(5)的第一和第二图案(50、51)的侧向边缘(500)分别与间隔层(3)的第一和第二部分(30、31)的侧向边缘(300)对齐地延伸。


6.根据结合权利要求2的权利要求4所述的像素，其中，覆盖间隔层(3)的第一、第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：洛朗·莫拉尔，托尼·曼德隆，米里亚姆·图内尔，
申请(专利权)人：原子能和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR