提供在没有改变表面处理剂的种类的情况下将该银粉糊剂化进行电极形成时成为低电阻的银粉的制造方法。在银粉的制造工序中，在银粉的浆料中添加包含采用激光衍射式粒度分布测定法得到的体积基准的累计50％粒径D<subgt;50</sub...

本发明所述的载体芯材由铁氧体颗粒构成，含有CaSiO<subgt;3</subgt;，真密度为3.5g/cm<supgt;3</supgt;以上且4.5g/cm<supgt;3</supgt;以下的范...

提供适于用于将锂离子二次电池的正极活性物质粒子的表面用作为固体电解质的铌酸锂被覆的铌酸锂的前体溶液的制备的

本发明提供一种银粉及其制造方法

本发明提供在具有偏离角的

本发明提供一种具有能够降低焙烧后的体积电阻率的粉体物性的银粉及其制造方法。银粉的振实密度为4.8g/mL以上，该振实密度(g/mL)除以体积基准的中值粒径(μm)而得到的值即TAP/D50值为7以上且15以下，比表面积为0.75m2/g...

提供一种振实密度为0.8～1.9g/mL，基于激光衍射散射式粒度分布测定的累积50％粒径(D

提供一种磁铅石型六方晶铁氧体磁性粉末及其制造方法、以及使用该磁性粉末的电波吸收体及其制造方法，所述磁铅石型六方晶铁氧体磁性粉末具有包括76GHz频带的60～90GHz频带范围的电波吸收能力，并且在宽温度范围内峰值频率变化小。一种磁铅石型...

提供能够简便地制造与以往相比一次粒径的偏差小的球状银粉的球状银粉的制造方法及由其得到的球状银粉。本发明的球状银粉的制造方法包括在含有银离子的水性反应体系中混合由碳酸肼构成的还原剂使银颗粒还原析出的还原析出工序。原析出工序。原析出工序。

本发明提供即使使用包含Ag的接合材料也能抑制由迁移引起的电极的变色、不发光等不良影响的半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具备：p型半导体层；p型电极，其设于p型半导体层上；以及焊盘，其设于p型电极上，p型电极具有：...

本发明提供即使接合面积大也能够减少在端部产生孔隙、能够形成具有均匀性的接合层的接合糊剂以及使用该糊剂的接合方法。提供一种接合用金属糊剂，其包含一次粒径的个数平均值为10～100nm的金属纳米颗粒(A)，在将糊剂在氮气气氛中以3℃/分钟的...

提供：特别适合用于LiDAR用的传感器制造的GaAs晶圆和能得到该GaAs晶圆的GaAs晶锭的制造方法。本发明的GaAs晶圆具有：5.0

本发明提供在中碱性区域至弱酸性区域中分散性也良好的铁系氧化物磁粉分散浆料的制造方法。向含有ε型铁系氧化物粒子的浆料中添加作为第一分散剂的季铵盐和碱，使25℃下的pH成为11以上之后，添加作为第二分散剂的为在分子内具有2个以上的羧基的有机...

本发明的钙钛矿型复合氧化物粉末为通式ABO3‑

提供一种GaAs晶锭，其通过与Si一起添加少量的In，可得到载流子浓度为5.5

本发明所述的复合氧化物粉末的特征在于，其具有下述组成式(1)所示的组成，通过BET单点法算出的比表面积值α(m2/g)与由下述式(2)算出的比表面积值β(m2/g)之比α/β大于1.0且为1.5以下，比表面积值α为20m2/g以下。由此...

一种软磁性粉末，其由Fe合金构成，所述Fe合金包含0.1～15质量％的Si，并包含1ppm以上且小于1000ppm的碱金属和/或碱土金属。且小于1000ppm的碱金属和/或碱土金属。

本发明提供在同时实现磁记录介质的记录密度提高和SNR提高的方面极其有用的、结晶微细且具有高饱和磁化的六方晶铁氧体磁粉。六方晶铁氧体磁粉，其以Bi/Fe摩尔比为0.035以下的范围含有Bi，饱和磁化σs为42.0Am2/kg以上，基于微晶...

本发明涉及银粉的制造方法。提供在不改变表面处理剂的种类的情况下粒度分布比以往小、并且在将该银粉糊剂化而进行电极形成时成为低电阻的银粉的制造方法。在银粉的制造工序中，通过在银粉的浆料中添加包含采用激光衍射式粒度分布测定法得到的体积基准的累...

一种银粉，其具有：银颗粒；和，粘附于银颗粒的表面且包含熔点低于银的金属氧化物的粘附物。附物。附物。