半导体发光元件、半导体发光元件连接构造和半导体发光元件的制造方法技术

本发明专利技术提供即使使用包含Ag的接合材料也能抑制由迁移引起的电极的变色、不发光等不良影响的半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具备：p型半导体层；p型电极，其设于p型半导体层上；以及焊盘，其设于p型电极上，p型电极具有：欧姆金属层，其配置于p型半导体层侧；以及势垒层，其包含TiN层，该势垒层配置于比欧姆金属层靠焊盘侧的位置，在将俯视时势垒层的区域中的不同焊盘与势垒层之间的电连接区域重叠的区域定义为表面扩散抑制面的情况下，表面扩散抑制面形成为环状。表面扩散抑制面形成为环状。表面扩散抑制面形成为环状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光元件、半导体发光元件连接构造和半导体发光元件的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体发光元件、半导体发光元件连接构造和半导体发光元件的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，对于在装置的电子基板上搭载半导体发光元件时的接合，大多数情况是，不使用Au(金)凸块、Au
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Sn(锡)系焊料，而使用含有Ag(银)的接合材料、例如使用Sn
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Ag
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Cu(铜)系焊料(SAC)、含有Ag的膏状的接合材料。但是，在使用含有Ag的接合材料来接合半导体发光元件的情况下，Ag会因迁移而侵入电极，从而有时损害可靠性(例如参照专利文献1)。Ag的导电性良好，但容易引起Ag离子的移动(迁移)(参照专利文献1)。Ag特别容易因通电时、温度变化等引起迁移。若产生Ag离子的迁移，则会漏电等对半导体发光元件的特性、可靠性造成不良影响。
[0003]在专利文献1中，记载一种包含含有Ag的反射电极层地构成的半导体元件。记载如下内容：在该半导体元件中，为了抑制Ag的迁移，构成为包含ITО(氧化铟锡)等的氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体发光元件，其中，该半导体发光元件具备：p型AlGaN系半导体层；p型电极，其设于所述p型AlGaN系半导体层上；以及焊盘，其设于所述p型电极上，所述p型电极具有：欧姆金属层，其配置于所述p型AlGaN系半导体层侧；以及势垒层，其包含TiN层，该势垒层配置于比所述欧姆金属层靠所述焊盘侧的位置，在将俯视时所述势垒层的区域中的不同所述焊盘与所述势垒层之间的电连接区域重叠的区域定义为表面扩散抑制面的情况下，所述表面扩散抑制面形成为环状。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述欧姆金属层是不包含Ag的层。3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，在俯视时，所述势垒层的区域与所述欧姆金属层的区域完全重叠或包含于所述欧姆金属层的区域。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述势垒层所包含的TiN层的厚度为100nm以上且2000nm以下。5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述势垒层还具有Ti层，所述Ti层在所述表面扩散抑制面暴露。6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，该半导体发光元件还具备配置在所述势垒层与所述焊盘之间的含Pt层，经由所述含Pt层进行所述焊盘与所述势垒层的电连接，在俯视时，所述含Pt层的区域被所述表面扩散抑制面包围。7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述欧姆金属层包含Ni和Au。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体发光元件，其中，在俯视时，所述电连接区域的外周缘与所述势垒层的区域的外周缘之间的最短距离为3μm～50μm。9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：百瀬峻，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：