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本发明提供即使使用包含Ag的接合材料也能抑制由迁移引起的电极的变色、不发光等不良影响的半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件具备：p型半导体层；p型电极，其设于p型半导体层上；以及焊盘，其设于p型电极上，p型电极具有：欧姆...
该专利属于同和电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过同和电子科技有限公司授权不得商用。

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