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苏州阿特斯阳光电力科技有限公司专利技术
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司共有1822项专利
一种晶体硅太阳能电池的制备方法技术
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法,包括制备晶体硅太阳能电池的必需工艺,还包括如下步骤:在电池的背面形成单层钝化层;利用喷墨印刷在上述背面单层钝化层上印刷腐蚀性浆料,然后烘干腐蚀钝化层,清洗去除浆料,形成局部接触的窗口;然后在其...
一种峰值日照时数的测定方法技术
本发明公开了一种峰值日照时数的测定方法,包括如下步骤:(1)采用经过标定的标准太阳能电池,将每天分成N个时间段,每个时间段的持续时间为t,测定每个时间段的瞬时辐射强度S,则日辐射量为Q=NSt,相应的日峰值日照时数为Hp=NSt/100...
一种多晶硅太阳电池表面织构的制备方法技术
本发明公开了一种多晶硅太阳电池表面织构的制备方法,采用酸腐蚀溶液制成,所述酸腐蚀溶液由氢氟酸、氧化剂和改性剂组成;所述氢氟酸的浓度范围为13~17摩尔/升;所述氧化剂为高锰酸钾溶液,浓度范围为0.01~0.5摩尔/升;所述改性剂为亚硝酸...
基于P型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池制造技术
本发明公开了一种基于P型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池,包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、N型黄铜矿半导体薄膜、P型晶体硅、P↑[+]背表面场和背金属电极,形成NPP↑[+]的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响...
基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池制造技术
本发明公开了一种基于N型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池,包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、P型黄铜矿半导体薄膜、N型晶体硅、N↑[+]背表面场和背金属电极,形成PNN↑[+]的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响...
一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法技术
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜,该减反射膜是由两层膜构成,第一层膜设在晶体硅太阳能电池的硅片衬底的表面,第二层膜设在第一层膜的表面,第一层膜为二氧化硅薄膜,其厚度为10~20nm,折射率为1.45~1.47;第二层膜为二氧...
一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法技术
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法,在晶体硅片绒面上均匀沉积氧化锌薄膜,再通过化学腐蚀方法在氧化锌薄膜上腐蚀形成电极窗口,然后通过电极窗口制作选择性发射极结构的重掺杂区域和浅掺杂区域。本发明的氧化锌薄膜具有制备温...
一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法技术
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射结的制备方法,包括在晶体硅片绒面上生长扩散掩膜,再蚀刻开槽出电极栅线区域;然后采用一次扩散工艺,在电极栅线区域形成重掺杂区,同时在非电极栅线区域形成浅掺杂区;所述一次扩散工艺包括如下步骤:(1)...
晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法技术
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法,包括如下步骤:(1)采用磷扩散的方法对P型硅片进行重掺杂,形成P-N+结;(2)在步骤(1)得到的硅片所需的非电极区用酸性溶液或酸性浆料进行化学腐蚀,形成浅掺杂N区;(3)清洗...
一种用于丝网印刷的刮刀装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种用于丝网印刷的刮刀装置,包括支架、刮刀主体和紧固夹条,刮刀主体卡固于支架和紧固夹条之间,所述刮刀主体的横截面为长方形,刮刀主体所在的平面和水平面之间的夹角a为30~70度;刮刀主体伸出支架底端的长度为2~6cm。本实...
长寿命高功率锂离子电池及其制备方法技术
本发明涉及一种可快速充放电的钛酸锂/锰酸锂锂离子电池,属于电化学储能技术创新。该电容包括正极、负极、隔膜、电解液。其中负极的活性材料为钛酸锂/碳复合材料,正极的活性材料为尖晶石型锰酸锂,电解液以锂盐(LiPF6、LiClO4)为电解质,...
长寿命高功率锂离子电池负极材料及其制备方法技术
本发明涉及新型储能器,长寿命高功率锂离子电池负极材料尖晶石钛酸锂/碳复合材料的制备方法。采用无机锂盐和钛酸四丁酯作为材料,以炭黑作为碳源,通过溶胶凝胶法制备出钛酸锂/碳复合材料。本发明制备的钛酸锂/碳复合材料颗粒小,粒度分布均匀,该材料...
一种探针接触电阻的检测方法及其检测装置制造方法及图纸
本发明公开了一种探针接触电阻的检测方法及其及检测装置,所述检测装置包括变阻模块、分压模块、第一测试电极、第二测试电极、电源和开关,所述变阻模块和分压模块串联,第一测试电极和第二测试电极分别连接于分压模块的两端;所述变阻模块具有至少3个可...
一种晶体硅太阳能电池及其钝化方法技术
本发明公开了一种一种晶体硅太阳能电池的钝化方法,包括如下步骤:(1)将完成二次清洗去磷硅玻璃步骤后的硅片在800~850℃氧化气氛下进行氧化处理,使硅片的扩散面上生成厚度为5~20nm的氧化层;(2)将步骤(1)获得的硅片的氧化层上沉积...
一种应用于冶金硅太阳电池的减反射膜及其制备方法技术
本发明公开了一种应用于高纯冶金级多晶硅太阳电池的减反射膜,该减反射膜是由两层膜构成,第一层膜设在高纯冶金级多晶硅太阳电池的硅片衬底的表面,第一层膜的厚度为35~50nm,折射率为2.25~2.35;第二层膜设在第一层膜的表面,第二层膜的...
一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法技术
本发明公开了一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法,包括如下6个步骤:热处理、第一次磷扩散、第一次驱入处理、第二次磷扩散、第二次驱入处理、保温,从而完成掺镓单晶硅片的磷扩散处理。本发明的磷扩散方法降低了掺镓单晶硅片的表面复合,提高了其...
一种制造精炼冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法技术
本发明公开了一种制造精炼冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法,包括如下5个步骤:热处理、氧化处理、磷扩散、驱入处理和保温,从而完成精炼冶金多晶硅片的磷扩散处理。本发明的磷扩散方法可以降低太阳能电池的漏电流,提高电池的可靠性。
一种制造太阳能电池的磷扩散方法技术
本发明公开了一种制造太阳能电池的磷扩散方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将待处理的单晶硅片在900~950℃氮气气氛下进行退火处理20~30分钟;(2)将上述处理后的硅片在850~1050℃氯化氢气氛下进行氧化处理,使其表面生成厚度...
一种太阳能组件测试方法及其装置制造方法及图纸
本发明公开了一种太阳能组件测试方法及其装置,其特征在于:a.测得太阳能组件的性能参数;b.通过GPS定位系统获得被测地的经度与纬度;c.以经纬度调用NASA数据库中的气象数据,得到全年光照及温度数据;d.由a与c推算出组件在被测地全年发...
便携式太阳能组件测试仪制造技术
本实用新型公开了一种便携式太阳能组件测试仪,包括蓄电池、处理器、A/D转换器、电子负载以及传感器组,所述传感器组包括光强传感器、温度传感器、电压传感器及电流传感器,所述处理器经A/D转换器接收由传感器组测得的信号,所述电压及电流传感器接...
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