本实用新型提供了一种光电转换装置，具有受光面和背光面，主要包括：任意导电类型的半导体基板和贯穿该半导体基板的孔洞，并且仅在半导体基板的受光面上设置与半导体基板导电类型相反的半导体。通过上述本实用新型中仅在受光面处设置半导体，并且基于导电...

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：制绒—扩散—刻边—去杂质玻璃层—镀设减反射膜—局部去除减反射膜—清洗—印刷—烧结，即可得到所述晶体硅太阳能电池；所述局部去除减反射膜采用腐蚀性浆料腐蚀去除，腐蚀去除的减反射膜的形...

本发明公开了一种背接触式光伏电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒；然后扩散制结，在硅片受光面及周边形成PN结；(2)去除磷硅或硼硅玻璃后，在硅片受光面及周边PN结上设置透明导电膜；(3)对硅片周边进行刻蚀，去除硅片...

本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒，然后开设孔洞；(2)在上述硅片的受光面进行涂源扩散制结，在受光面和孔洞内形成PN结；(3)在上述受光面和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；(4)周边...

本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片表面开设孔洞，然后在其受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结，在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结；(3)在硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；...

本发明公开了一种背接触式光伏电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒，然后开设孔洞；(2)在硅片受光面扩散制结，在其受光面、周边及孔洞内形成PN结；(3)去除磷硅或硼硅玻璃后，在硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透...

本发明公开了一种类单晶太阳能电池的磷扩散方法，包括如下步骤：⑴将待处理的类单晶硅片放于扩散炉中，升温至800~820℃；⑵待温度稳定后，同时通入携磷源气体和干氧进行扩散，扩散时间为40~60min，所述携磷源气体的流量为0.8~2L/m...

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：制绒—扩散—刻边—去杂质玻璃层—去杂质富集层—镀膜—印刷—烧结，即可得到所述晶体硅太阳能电池。本发明在去杂质玻璃层之后进行了去杂质富集层的操作，实现了去除硅片表层的杂质富集层的目...

本发明公开了一种激光打孔后硅片的处理方法，包括如下步骤：在硅片进行激光打孔之后，进行至少一次湿化学清洗，去除硅片表面的损伤层；然后用去离子水进行清洗，去除硅片表面的化学液，干燥处理。本发明在打孔之后设置了湿化学清洗的步骤，除去了硅片表面...

本实用新型公开了一种N型硅太阳能电池，包括N型硅片基底，硅片基底的正面设有包含多孔硅绒面结构的P型发射结层。本实用新型的N型硅太阳能电池的平均光电转换效率在20%以上，具有显著的效果。

本实用新型公开了一种用于太阳能电池片的红外检测装置，包括红外检测仪、稳压电源、底板、定位板、检测机构；所述定位板上设有定位结构；所述检测机构包括导轨支座、导轨、滑动块、伸缩杆和探针；所述底板与定位板的相交线和导轨平行，使设于导轨上的滑动...

本发明公开了一种用于制备单晶硅太阳电池绒面的腐蚀液，以重量计，包括：(a)碱：1~10%；(b)硅酸钠：3~15%；(c)1，3，5-环己烷三醇：5~20%；余量为水。本发明的腐蚀液可以保证绒面大小与均匀性，制备出的绒面大小及均匀性与I...

本发明公开了一种太阳电池P型表面的钝化层的制备方法，包括如下步骤：(1)采用真空蒸镀的方法在太阳电池P型表面上制备铝膜；(2)利用阳极氧化法对上述铝膜进行氧化，形成氧化铝；(3)高温退火，即可得到氧化铝钝化层。本发明采用工业上比较成熟的...

本实用新型公开了一种丝网印刷刮刀装置，包括支架和刮胶，所述支架的两端均设有挡板。本实用新型在支架的两端均设置了挡板，因而防止了导电浆料从刮刀两侧溢出，便于其实际使用。

本实用新型公开了一种用于丝网印刷设备的印刷台面，包括安装孔和吸附通孔，印刷台面的四角各设有第二吸附通孔；所述吸附通孔至少有2排，吸附通孔和第二吸附通孔的总面积占硅片面积的0.5~2%。本实用新型改进了吸附系统的结构，在增加了吸力的同时还...

本发明公开了一种硅太阳能电池扩散死层的去除方法，包括如下步骤：(1)将扩散后的硅片进行去除磷硅玻璃；(2)在上述硅片表面进行氧化处理，形成二氧化硅层；(3)去除上述二氧化硅层。本发明采用氧化法在扩散后的硅片表面形成二氧化硅层，由于氧化消...

本实用新型公开了一种用于PECVD设备的维护工具，所述维护工具呈T形，其上部为固定片，下部为连接管，连接管内设有连接孔道，所述固定片上设有与所述连接孔道连通的通孔；所述连接管的大小与出气孔配合，连接管的长度大于等于5mm。本实用新型解决...

本实用新型公开了一种N型硅太阳能电池，包括N型衬底，所述N型衬底的正面设有P型选择性发射结层，所述P型选择性发射结层包括P型高浓度扩散区域和P型低浓度扩散区域；所述P型选择性发射结层上设有钝化层，钝化层上设有减反射层，减反射层上设有金字...

本实用新型公开了一种全自动硅片上下料机，包括框架、操作台面和吸盘操作装置，所述操作台面的两侧前方各设有一篮具托盘操作机构；所述篮具托盘操作机构的正后方均设有一传送带；在所述两个传送带的上方设有垂直于传送带运动方向的水平运动机构，在所述水...

本实用新型公开了一种丝网印刷刮刀装置，包括支架和刮胶，所述支架底部的背侧设有斜向的凹槽，支架的背侧还设有紧固夹条，紧固夹条的上端与支架构成可拆卸式固定连接结构，其下端向斜下方延伸并与凹槽构成安装槽，所述安装槽与刮胶配合并使刮胶夹紧固定于...