背接触硅太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片表面开设孔洞，然后在其受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结，在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结；(3)在硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；(4)对硅片周边进行刻蚀，去除硅片周边的透明导电膜和PN结；然后在硅片受光面的透明导电膜上镀设减反射膜；(5)在硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场，即可得到所述背接触硅太阳能电池。本发明专利技术制备得到的背接触硅太阳能电池的受光面没有电极遮挡，避免了遮光损失，显著提高了光电转化效率；需要开设的孔洞也大大减少，从而大大降低了碎片率，而且简化了制备工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于晶体硅太阳电池制造领域。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能，硅太阳能电池在光伏领域占据着重要的地位。因此，研发高性价比的硅太阳能电池已经成为各国光伏企业的主要研究方向之一。硅太阳能电池的发电原理是基于半导体PN结的光伏效应。目前太阳能电池有很多种类和结构，比较普遍的做法是将太阳能电池的正负极分别置于其受光面和背光面，同类太阳能电池可通过低电阻的金属实现正负互联。然而，这类太阳能电池因其受光面上很多区面积被电极遮挡而存在较大的遮光损失，从而损失了一部分电流。为改善上述结构带来的光电转化的损失，现有多种结构的太阳能电池被开发，其中有一类称为“背接触”电池，其特点是电池的正负极均设于背光面，该结构可减少受光面的遮光损失，增加光电转换效率，而且有利于太阳能电池之间的相互连接。现有技术中，实现“背接触”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴坚，王栩生，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯中国投资有限公司，
类型：发明
国别省市：