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本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片表面开设孔洞，然后在其受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结，在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结；(3)在硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；(4...该专利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司授权不得商用。