本实用新型涉及功率半导体芯片，其具有半导体部件主体(2)并且具有多层金属化部(10)，所述金属化部(10)布置在半导体部件主体(2)上并且具有布置在半导体部件主体(2)上方的镍层(6)。本实用新型还涉及用于制造功率半导体芯片(1)的方法...

本发明涉及一种具有冷却器的功率器件设备，该冷却器具有凹部，其中，该凹部具有底面和第一侧面，其中，该凹部的第一侧面相对底面具有小于90°的角，其中，该功率器件设备具有带支承元件的第一无源电气器件，其中，朝向凹部第一侧面的支承元件第一侧面相...

涉及一种包括多个电势面的功率电子开关器件。提出了一种功率电子开关器件，该功率电子开关器件形成有基板，该基板具有多个电势面，其中至少两个不同的电势分别被分配给所述电势面中的至少一个，其中在由第一电势的至少一个电势面形成的第一导体轨道上，多...

本发明涉及功率半导体芯片，其具有半导体部件主体(2)并且具有多层金属化部(10)，所述金属化部(10)布置在半导体部件主体(2)上并且具有布置在半导体部件主体(2)上方的镍层(6)。本发明还涉及用于制造功率半导体芯片(1)的方法。本发明...

本实用新型涉及一种具有电容器装置的功率电子组件，其构造有壳体和布置在壳体内的电容器装置，壳体具有布置在内部的散热面，其被构造成用于借助集成在壳体内的或者外部的散热装置进行散热，电容器装置具有电容器和电容器母线，电容器分别具有第一和第二极...

本实用新型涉及一种电力电子设备，其具有第一负载连接元件(3)，所述第一负载连接元件(3)用于电力电子设备(1)的电连接，所述第一负载连接元件是导电的并具有第一连接部分(3a)、穿过第一连接部分(3a)的间隙(11)、在第一连接部分(3a...

本发明提出用于制造功率电子开关装置的方法。在所述功率电子开关装置中，功率半导体组件布置在基材的导体轨道的第一区域上。然后提供包括切除部的绝缘膜，其中所述绝缘膜的重叠区域设计成覆盖功率半导体组件的边缘区域，所述重叠区域邻近于所述切除部。这...

功率电子模块设计成具有基板，该基板具有电路载体，该电路载体布置在所述基板上并具有与基板电绝缘的多个导体轨道，其中功率半导体组件布置在这些导体轨道中的一个上，并且该功率电子模块具有负载连接元件。在这种情况下，基板具有连续的第一凹部，以及电...

提出一种子模块，其被实施为包括基材、功率半导体组件、连接装置、端子装置及绝缘材料主体。在这种情况下，基材具有彼此电绝缘的导体轨道，其中功率半导体组件布置在导体轨道上并且导电地连接到导体轨道。连接装置被实施为膜复合体，从而形成面向功率半导...

本发明涉及罗氏线圈的定中保持装置和布置罗氏线圈的方法，其中定中保持装置在定中保持装置的虚拟轴线的方向上具有从定中保持装置的第一主侧穿过定中保持装置延伸到定中保持装置的第二主侧并且关于定中保持装置的虚拟轴线居中地布置的第一切口，其中定中保...

本发明涉及一种功率半导体装置，其具有功率半导体模块和导电的载荷电流联接元件，功率半导体模块具有布置在导电的经结构化的导体层上的功率半导体器件，在导体层上布置有导电的载荷电流连接元件，载荷电流联接元件在其第一端部区域具有第一接触面和弹性的...

提供一种功率半导体模块，所述功率半导体模块被实施为包括多个功率电子子模块，包括壳体，包括引向外侧的端子元件，并且包括第一压力装置，其中所述相应的功率电子子模块具有：基材，所述基材具有布置在其上的功率半导体组件；内部连接装置；和具有压力引...

提出一种子模块，其被实施为包括基材、功率半导体组件、连接装置、端子装置及绝缘材料主体。在这种情况下，基材具有彼此电绝缘的导体轨道，其中功率半导体组件布置在导体轨道上并且导电地连接到导体轨道。连接装置被实施为膜复合体，从而形成面向功率半导...

本发明涉及一种具有电容器装置的功率电子组件，其构造有壳体和布置在壳体内的电容器装置，壳体具有布置在内部的散热面，其被构造成用于借助集成在壳体内的或者外部的散热装置进行散热，电容器装置具有电容器和电容器母线，电容器分别具有第一和第二极性的...

本发明涉及带功率半导体模块、直流电压汇流排和电容器器件的装置，其还包括连接器件，功率半导体模块具有面式构造的带接触部段的直流电压联接导体，其至少在各自接触部段处和附近的区域中在其各自的法向量方向上彼此紧密相邻；电容器器件具有面式构造的带...

功率电子模块设计成具有基板，该基板具有电路载体，该电路载体布置在所述基板上并具有与基板电绝缘的多个导体轨道，其中功率半导体组件布置在这些导体轨道中的一个上，并且该功率电子模块具有负载连接元件。在这种情况下，基板具有连续的第一凹部，以及电...

本发明涉及一种半导体元件，其包括MESA形的双极半导体芯片(1)，其中将第一金属化层(4)布置在半导体芯片(1)的第一主表面(2)上且将第二金属化层(5)布置在半导体芯片(1)的第二主表面(3)上，所述第二主表面被布置为与半导体芯片(1...

包括场效应晶体管的功率半导体电路。本发明涉及功率半导体电路，其包括具有漏极(D)、源极(S)和栅极(G)作为端子的场效应晶体管(T1,T2)，并且包括具有驱动设备(2)和欠压检测电路(5)的控制设备(3)，其中驱动设备(2)被设计用于驱...

本发明涉及一种电力电子设备，其具有第一负载连接元件(3)，所述第一负载连接元件(3)用于电力电子设备(1)的电连接，所述第一负载连接元件是导电的并具有第一连接部分(3a)、穿过第一连接部分(3a)的间隙(11)、在第一连接部分(3a)中...

根据本发明的构造设计成具有直流电压母线和功率元件，功率元件具有第一和第二直流电压连接导体，所述导体是平坦的并且每个都具有接触部段，直流电压连接导体在其到相应接触部段的路线中具有第一宽度和第一横截面面积，并且在此在该路线中在其相应的法向矢...